本申請涉及通信,具體涉及一種電子設(shè)備。
背景技術(shù):
1、衛(wèi)星通信一般采用圓極化天線,現(xiàn)在手機、可穿戴設(shè)備等電子設(shè)備里用的衛(wèi)星通信天線都是線極化天線,如果手機、可穿戴設(shè)備等電子設(shè)備采用線極化天線,導(dǎo)致了至少3db的極化失配,即至少3db的性能下降,導(dǎo)致手機、可穿戴設(shè)備等電子設(shè)備的圓極化效率降低。因此,如何提升電子設(shè)備的圓極化性能成為需要解決的技術(shù)問題。
技術(shù)實現(xiàn)思路
1、本申請?zhí)峁┝艘环N能夠提升電子設(shè)備的圓極化性能的電子設(shè)備。
2、本申請實施例提供的一種電子設(shè)備,包括天線組件,所述天線組件包括:
3、輻射體,所述輻射體包括彎折連接的第一輻射段和第二輻射段,所述第一輻射段遠(yuǎn)離所述第二輻射段的一端為第一端,所述第一輻射段與所述第二輻射段之間的連接處為連接點,所述第二輻射段遠(yuǎn)離所述第一輻射段的一端為第二端;及
4、信號源,所述信號源電連接所述輻射體,所述信號源用于激勵所述輻射體形成第一激勵信號及第二激勵信號,所述第一激勵信號沿所述第一輻射段分布,所述第一激勵信號的方向為所述第一端指向所述連接點的方向,所述第二激勵信號沿所述第二輻射段分布,所述第二激勵信號的方向為所述連接點指向所述第二端的方向,所述第一激勵信號的路徑大于或等于目標(biāo)頻段的1/8波長且小于或等于目標(biāo)頻段的1/2波長,所述第一激勵信號的路徑大于或等于目標(biāo)頻段的1/8波長且小于或等于目標(biāo)頻段的1/2波長,所述第一激勵信號與所述第二激勵信號用于形成圓極化波。
5、本申請通過設(shè)置彎折連接的第一輻射段和第二輻射段,信號源電連接所述輻射體,所述信號源用于激勵所述輻射體形成第一激勵信號及第二激勵信號,其中,所述第一激勵信號沿所述第一輻射段分布,所述第一激勵信號的方向為所述第一端指向所述連接點的方向,所述第二激勵信號沿所述第二輻射段分布,所述第二激勵信號的方向為所述連接點指向所述第二端的方向,由于第一輻射段與第二輻射段彎折連接,使第一激勵信號與第二激勵信號正交或相交;第一激勵信號與第二激勵信號的流向,以及所述第一激勵信號的路徑大于或等于目標(biāo)頻段的1/8波長且小于或等于目標(biāo)頻段的1/2波長,所述第一激勵信號的路徑大于或等于目標(biāo)頻段的1/8波長且小于或等于目標(biāo)頻段的1/2波長,利于使第一激勵信號的至少部分與第二激勵信號的至少部分形成了接近90°的相位差,使所述第一激勵信號與所述第二激勵信號形成圓極化波,進而形成圓極化天線,利于電子設(shè)備在參與衛(wèi)星通信等時減少極化失配,提高電子設(shè)備的圓極化性能。
1.一種電子設(shè)備,其特征在于,包括天線組件,所述天線組件包括:
2.如權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備,其特征在于,所述第一激勵信號為第一磁流信號,所述第二激勵信號為第二磁流信號,所述第一磁流信號與所述第二磁流信號用于形成圓極化波。
3.如權(quán)利要求2所述的電子設(shè)備,其特征在于,所述電子設(shè)備還包括參考地板;
4.如權(quán)利要求2所述的電子設(shè)備,其特征在于,所述天線組件在所述輻射體上形成第一諧振模式,所述第一諧振模式為1/2波長模式,所述第一諧振模式在所述第一輻射段上的電流從所述第一端流向所述連接點,所述第一諧振模式在所述第二輻射段上的電流從所述第二端流向所述連接點。
5.如權(quán)利要求1-4任意一項所述的電子設(shè)備,其特征在于,所述電子設(shè)備包括邊框,所述邊框包括相對設(shè)置的頂邊、底邊,以及依次連接于所述頂邊與所述底邊之間的第一側(cè)邊、第二側(cè)邊,所述第一輻射段設(shè)于所述第二側(cè)邊,所述第二輻射段設(shè)于所述底邊,使所述天線組件的主要輻射方向朝向所述電子設(shè)備的頂邊所在的上半球。
6.如權(quán)利要求1-4任意一項所述的電子設(shè)備,其特征在于,所述第一端與所述第二端之間具有耦合縫隙,所述耦合縫隙位于所述連接點;或者,所述耦合縫隙位于所述連接點與所述第一端之間且所述耦合縫隙與所述連接點之間的距離小于所述耦合縫隙與所述第一端之間的距離;或者,所述耦合縫隙位于所述連接點與所述第二端之間且所述耦合縫隙與所述連接點之間的距離小于所述耦合縫隙與所述第二端之間的距離。
7.如權(quán)利要求6所述的電子設(shè)備,其特征在于,所述耦合縫隙將所述輻射體分隔為第一輻射段和第二輻射段,所述第二輻射段形成所述第一子輻射段,所述第一輻射段形成所述第二子輻射段;
8.如權(quán)利要求7所述的電子設(shè)備,其特征在于,所述第一子諧振模式為第一頻段的1/4波長模式,所述第二子諧振模式為第二頻段的1/4波長模式,所述第二頻段的中心頻點大于所述第一頻段的中心頻點,所述第二頻段的中心頻點與所述第一頻段的中心頻點之差小于1ghz。
9.如權(quán)利要求8所述的電子設(shè)備,其特征在于,所述信號源還激勵所述輻射體產(chǎn)生第二諧振模式,所述第二諧振模式包括設(shè)于所述第一子輻射段上的第三子諧振模式及設(shè)于所述第二子輻射段上的第四子諧振模式,所述第三子諧振模式的電流強度大于所述第四子諧振模式的電流強度,所述第三子諧振模式為主諧振模式,所述第三子諧振模式的電流方向為從所述耦合縫隙流向所述第二端,所述第四子諧振模式的電流方向為從所述第一端到所述耦合縫隙。
10.如權(quán)利要求9所述的電子設(shè)備,其特征在于,所述第三子諧振模式為所述第一頻段的1/4波長模式,所述第四子諧振模式為第二頻段的1/4波長模式。
11.如權(quán)利要求9所述的電子設(shè)備,其特征在于,所述第二諧振模式用于激勵所述輻射體形成第三磁流信號及第四磁流信號,所述第三激勵信號從所述第一端流向所述連接點,所述第四磁流信號為所述第二端流向所述連接點。
12.如權(quán)利要求7-11任意一項所述的電子設(shè)備,其特征在于,所述電子設(shè)備包括邊框,所述邊框包括相對設(shè)置的頂邊、底邊,以及依次連接于所述頂邊與所述底邊之間的第一側(cè)邊、第二側(cè)邊,所述第一輻射段與所述第一側(cè)邊相對設(shè)置,所述第二輻射段與所述頂邊相對設(shè)置。
13.如權(quán)利要求1所述的電子設(shè)備,其特征在于,所述第一端與所述第二端皆為自由端;所述第一激勵信號為位于所述第一輻射段上的第一電流信號,所述第二激勵信號為位于所述第二輻射段上的第二電流信號,所述第一電流信號與所述第二電流信號用于形成圓極化波。
14.如權(quán)利要求13所述的電子設(shè)備,其特征在于,所述天線組件在所述輻射體上形成第一諧振模式,所述第一諧振模式的電流從所述第一端流向所述第二端,所述第一諧振模式為第三頻段的1/2波長模式。
15.如權(quán)利要求13所述的電子設(shè)備,其特征在于,所述輻射體包括饋電點及接地點,所述信號源電連接所述饋電點;
16.如權(quán)利要求15所述的電子設(shè)備,其特征在于,所述接地點位于所述饋電點,所述天線組件還包括第一電感,所述第一電感的一端電連接所述接地點,所述第一電感的另一端接地;所述接地點位于所述第一輻射段或所述第二輻射段;
17.如權(quán)利要求16所述的電子設(shè)備,其特征在于,所述第一諧振模式在所述接地點至所述第二端的電流強度大于所述第一諧振模式在所述第一端流向所述接地點的電流強度,所述第一諧振模式在所述接地點至所述第二端的諧振模式為所述第三頻段的1/4波長模式;
18.如權(quán)利要求15所述的電子設(shè)備,其特征在于,所述輻射體包括饋電點及接地點,所述信號源電連接所述饋電點;
19.如權(quán)利要求18所述的電子設(shè)備,其特征在于,所述第一諧振模式在所述接地點至所述第一端的電流強度大于所述第一諧振模式在所述第二端流向所述接地點的電流強度,所述第一諧振模式在所述接地點至所述第一端的諧振模式為所述第三頻段的1/4波長模式;