本公開涉及半導體，尤其涉及一種半導體結構的制作方法。

背景技術：

1、化學機械研磨(chemical?mechanical?polishing，cmp)是將化學研磨和機械研磨相結合的平坦化工藝，化學機械研磨是半導體結構的表面平坦化的主要手段。

2、在化學機械研磨過程中，不同材料的研磨速率不同，可能在半導體結構的表面形成兩種主要的缺陷：蝶形缺陷(dishing)和氧化物侵蝕缺陷(erosion)。

技術實現(xiàn)思路

1、以下是對本公開詳細描述的主題的概述。本概述并非是為了限制權利要求的保護范圍。

2、本公開提供一種半導體結構的制作方法，所述半導體結構的制作方法包括以下步驟：

3、采用研磨漿研磨所述半導體結構的表面，向所述研磨漿中加入多孔基體；

4、在研磨過程中產生氧化物顆粒，所述氧化物顆粒負載在所述多孔基體的表面形成保護材料，所述保護材料附著在所述半導體結構的表面，抑制所述半導體結構被氧化，同時降低研磨所述半導體結構的研磨速率。

5、在一些實施例中，所述多孔基體包括磷酸鋯。

6、在一些實施例中，所述半導體結構的表面具有金屬層，所述氧化物顆粒包括所述金屬層被研磨、氧化形成的金屬氧化物顆粒。

7、在一些實施例中，所述金屬氧化物顆粒包括鎢氧化物、鈦氧化物、鈷氧化物、銅氧化物、鋁氧化物、釕氧化物、銠氧化物、鉭氧化物、銻氧化物、錫氧化物或銦氧化物中的至少一種。

8、在一些實施例中，所述金屬氧化物顆粒以無定型態(tài)和/或晶體狀態(tài)負載在所述多孔基體的表面。

9、在一些實施例中，所述多孔基體包括介孔結構，所述氧化物顆粒負載在所述介孔結構中。

10、在一些實施例中，所述介孔結構的平均孔徑為

11、在一些實施例中，所述多孔基體的比表面積為300m2/g-450m2/g。

12、在一些實施例中，所述多孔基體的孔隙率為30％-50％。

13、在一些實施例中，所述多孔基體負載所述氧化物顆粒的負載率為5wt％-50wt％。

14、在一些實施例中，所述多孔基體負載所述氧化物顆粒的負載率為30wt％-40wt％。

15、在一些實施例中，控制所述多孔基體的添加量，以使在研磨所述半導體結構的過程中，所述研磨漿的ph值小于或等于4。

16、在一些實施例中，所述半導體結構的制作方法還包括：

17、研磨去除所述保護材料。

18、在一些實施例中，所述半導體結構的制作方法還包括：

19、采用有機溶液處理所述保護材料。

20、在一些實施例中，所述有機溶液包括丙三醇。

21、本公開實施例所提供的半導體結構的制作方法中，采用研磨漿研磨半導體結構的過程中，向研磨漿中加入多孔基體，在研磨過程中產生的氧化物顆粒錨定在多孔基體的表面上，多孔基體負載氧化物顆粒形成保護材料，保護材料保護氧化物顆粒避免氧化物顆粒被研磨去除，以降低半導體結構被氧化的速率，減輕在半導體結構的表面形成的氧化物侵蝕缺陷，同時保護材料附著在半導體結構的表面，降低研磨漿研磨半導體結構的研磨速率，減輕研磨速率過快在半導體結構的表面形成的蝶形缺陷，提高研磨后的半導體結構的表面的均一性，提高半導體結構的品質和良率。

22、在閱讀并理解了附圖和詳細描述后，可以明白其他方面。

技術特征：

1.一種半導體結構的制作方法，其特征在于，所述半導體結構的制作方法包括以下步驟：

2.根據權利要求1所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，所述多孔基體包括磷酸鋯。

3.根據權利要求1所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，所述半導體結構的表面具有金屬層，所述氧化物顆粒包括所述金屬層被研磨、氧化形成的金屬氧化物顆粒。

4.根據權利要求3所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，所述金屬氧化物顆粒包括鎢氧化物、鈦氧化物、鈷氧化物、銅氧化物、鋁氧化物、釕氧化物、銠氧化物、鉭氧化物、銻氧化物、錫氧化物或銦氧化物中的至少一種。

5.根據權利要求3所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，所述金屬氧化物顆粒以無定型態(tài)和/或晶體狀態(tài)負載在所述多孔基體的表面。

6.根據權利要求1-5中任一項所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，所述多孔基體包括介孔結構，所述氧化物顆粒負載在所述介孔結構中。

7.根據權利要求6所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，所述介孔結構的平均孔徑為

8.根據權利要求1-5中任一項所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，所述多孔基體的比表面積為300m2/g-450m2/g。

9.根據權利要求1-5中任一項所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，所述多孔基體的孔隙率為30％-50％。

10.根據權利要求1-5中任一項所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，所述多孔基體負載所述氧化物顆粒的負載率為5wt％-50wt％。

11.根據權利要求1-5中任一項所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，所述多孔基體負載所述氧化物顆粒的負載率為30wt％-40wt％。

12.根據權利要求1-5中任一項所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，控制所述多孔基體的添加量，以使在研磨所述半導體結構的過程中，所述研磨漿的ph值小于或等于4。

13.根據權利要求1-5中任一項所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，所述半導體結構的制作方法還包括：

14.根據權利要求12所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，所述半導體結構的制作方法還包括：

15.根據權利要求14所述的半導體結構的制作方法，其特征在于，所述有機溶液包括丙三醇。

技術總結
本公開提供一種半導體結構的制作方法，涉及半導體術領域，半導體結構的制作方法在采用研磨漿研磨半導體結構的過程中，向研磨漿中加入多孔基體，在研磨過程中產生的氧化物顆粒錨定在多孔基體的表面上，多孔基體負載氧化物顆粒形成保護材料，保護材料保護氧化物顆粒避免氧化物顆粒被研磨去除，以降低半導體結構被氧化的速率，減輕在半導體結構的表面形成的氧化物侵蝕缺陷，同時保護材料附著在半導體結構的表面，降低研磨漿研磨半導體結構的研磨速率，減輕研磨速率過快在半導體結構的表面形成的蝶形缺陷，提高研磨后的半導體結構的表面的均一性，提高半導體結構的品質和良率。

技術研發(fā)人員：盛薄輝
受保護的技術使用者：長鑫存儲技術有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/12/19