本發(fā)明涉及半導(dǎo)體加工，特別涉及一種氣體含量控制裝置。

背景技術(shù)：

1、激光退火設(shè)備在運(yùn)行過(guò)程中，硅片周圍的氧氣會(huì)影響硅片表面膜層的處理效果，導(dǎo)致硅片氧化。所以在退火前后，對(duì)硅片周圍的氧氣含量提出了很高的要求。為了解決以上問(wèn)題，可以采用密封腔體加氮?dú)獯祾哐b置來(lái)實(shí)現(xiàn)在一定時(shí)間內(nèi)氧氣含量降低至一定數(shù)值。在實(shí)際情況中，存在退火腔內(nèi)氧氣濃度高、退火腔入氣口氮?dú)獯祾卟痪鶆驅(qū)е職饬鞑环€(wěn)定等問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于提供一種氣體含量控制裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的一個(gè)或多個(gè)問(wèn)題。

2、為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明提供一種氣體含量控制裝置，包括：反應(yīng)腔和第一勻流腔，所述第一勻流腔設(shè)于所述反應(yīng)腔一側(cè)；所述反應(yīng)腔包括上下相互隔離設(shè)置的上腔體和下腔體；所述第一勻流腔用于與進(jìn)氣接口相接，以將惰性氣體通入所述上腔體內(nèi)；

3、所述第一勻流腔包括沿進(jìn)氣方向依次布置的第一進(jìn)氣腔體、進(jìn)氣勻化板、第二進(jìn)氣腔體和出氣面板，所述進(jìn)氣勻化板具有多個(gè)進(jìn)氣孔，且靠近所述進(jìn)氣接口的所述進(jìn)氣孔的橫截面積小于遠(yuǎn)離所述進(jìn)氣接口的所述進(jìn)氣孔的橫截面積，所述出氣面板具有多個(gè)第一出氣口，各所述第一出氣口與所述上腔體的頂壁之間呈間距設(shè)置。

4、可選的，在所述的氣體含量控制裝置中，最靠近所述進(jìn)氣接口的所述進(jìn)氣孔的孔徑為1.5～2mm，最遠(yuǎn)離所述進(jìn)氣接口的所述進(jìn)氣孔的孔徑為3～4mm。

5、可選的，在所述的氣體含量控制裝置中，所述出氣面板呈格柵型，多個(gè)所述第一出氣口沿所述出氣面板的寬度方向依次排布，各所述第一出氣口的頂部與所述上腔體的頂壁內(nèi)側(cè)之間的距離為0.5～1mm，各所述第一出氣口的底部與所述上腔體的底壁內(nèi)側(cè)之間的距離為0.5～1mm。

6、可選的，在所述的氣體含量控制裝置中，所述出氣面板的吹掃寬度不小于所述上腔體內(nèi)保護(hù)區(qū)域直徑的1.3倍。

7、可選的，在所述的氣體含量控制裝置中，其特征在于，還包括第二勻流腔，所述第一勻流腔和第二勻流腔分別設(shè)于所述反應(yīng)腔兩側(cè)，所述第二勻流腔用于與出氣接口相接，以將所述上腔體內(nèi)的所述惰性氣體排出；

8、所述第二勻流腔包括沿排氣方向依次設(shè)置的排氣勻化板和回收腔體，所述排氣勻化板具有多個(gè)第二出氣口，所述第二出氣口的橫截面積大于所述進(jìn)氣孔的橫截面積。

9、可選的，在所述的氣體含量控制裝置中，所述排氣勻化板采用與所述進(jìn)氣勻化板相同的孔形，所述第二出氣口的橫截面積為所述進(jìn)氣孔的橫截面積的2倍以上。

10、可選的，在所述的氣體含量控制裝置中，所述回收腔體的體積不大于所述第一進(jìn)氣腔體的體積，所述第二勻流腔的底部與所述出氣接口位于同一水平高度。

11、可選的，在所述的氣體含量控制裝置中，所述氣體含量控制裝置還包括填充件，所述填充件對(duì)所述下腔體除工作區(qū)域以外的區(qū)域進(jìn)行填充，所述填充件的頂部與所述上腔體的底壁外側(cè)之間的間隙小于1mm。

12、可選的，在所述的氣體含量控制裝置中，所述下腔體與所述第一進(jìn)氣腔連通。

13、綜上所述，本發(fā)明提供的氣體含量控制裝置包括：反應(yīng)腔和第一勻流腔，所述第一勻流腔設(shè)于所述反應(yīng)腔的一側(cè)；所述反應(yīng)腔包括上下相互隔離設(shè)置的上腔體和下腔體；所述第一勻流腔用于與進(jìn)氣接口相接，以將惰性氣體通入所述上腔體內(nèi)；所述第一勻流腔包括沿進(jìn)氣方向依次布置的第一進(jìn)氣腔體、進(jìn)氣勻化板、第二進(jìn)氣腔體和出氣面板，所述進(jìn)氣勻化板具有多個(gè)進(jìn)氣孔，且靠近所述進(jìn)氣接口的所述進(jìn)氣孔的橫截面積小于遠(yuǎn)離所述進(jìn)氣接口的所述進(jìn)氣孔的橫截面積，所述出氣面板具有多個(gè)第一出氣口，各所述第一出氣口通過(guò)所述出氣面板與所述上腔體的內(nèi)壁隔離開。采用本發(fā)明提供的氣體含量控制裝置，解決了退火腔內(nèi)氧氣濃度高、退火腔入氣口氮?dú)獯祾卟痪鶆虻葐?wèn)題，使得在規(guī)定的時(shí)間內(nèi)可以將氧氣指標(biāo)控制在10ppm以下。

技術(shù)特征：

1.一種氣體含量控制裝置，其特征在于，包括：反應(yīng)腔和第一勻流腔，所述第一勻流腔設(shè)于所述反應(yīng)腔一側(cè)；所述反應(yīng)腔包括上下相互隔離設(shè)置的上腔體和下腔體；所述第一勻流腔用于與進(jìn)氣接口相接，以將惰性氣體通入所述上腔體內(nèi)；

2.如權(quán)利要求1所述的氣體含量控制裝置，其特征在于，最靠近所述進(jìn)氣接口的所述進(jìn)氣孔的孔徑為1.5～2mm，最遠(yuǎn)離所述進(jìn)氣接口的所述進(jìn)氣孔的孔徑為3～4mm。

3.如權(quán)利要求1所述的氣體含量控制裝置，其特征在于，所述出氣面板呈格柵型，多個(gè)所述第一出氣口沿所述出氣面板的寬度方向依次均勻排布，各所述第一出氣口的頂部與所述上腔體的頂壁內(nèi)側(cè)之間的距離及各所述第一出氣口的底部與所述上腔體的底壁內(nèi)側(cè)之間的距離相等。

4.如權(quán)利要求3所述的氣體含量控制裝置，其特征在于，各所述第一出氣口的頂部與所述上腔體的頂壁內(nèi)側(cè)之間的距離為0.5～1mm，各所述第一出氣口的底部與所述上腔體的底壁內(nèi)側(cè)之間的距離為0.5～1mm。

5.如權(quán)利要求3所述的氣體含量控制裝置，其特征在于，所述出氣面板的吹掃寬度不小于所述上腔體內(nèi)保護(hù)區(qū)域直徑的1.3倍。

6.如權(quán)利要求1～5任一項(xiàng)所述的氣體含量控制裝置，其特征在于，還包括第二勻流腔，所述第一勻流腔和第二勻流腔分別設(shè)于所述反應(yīng)腔兩側(cè)，所述第二勻流腔用于與出氣接口相接，以將所述上腔體內(nèi)的所述惰性氣體排出；

7.如權(quán)利要求6所述的氣體含量控制裝置，其特征在于，所述排氣勻化板采用與所述進(jìn)氣勻化板相同的孔形，所述第二出氣口的橫截面積為所述進(jìn)氣孔的橫截面積的2倍以上。

8.如權(quán)利要求6所述的氣體含量控制裝置，其特征在于，所述回收腔體的體積不大于所述第一進(jìn)氣腔體的體積，所述第二勻流腔的底部與所述出氣接口位于同一水平高度。

9.如權(quán)利要求1所述的氣體含量控制裝置，其特征在于，所述氣體含量控制裝置還包括填充件，所述填充件對(duì)所述下腔體除工作區(qū)域以外的區(qū)域進(jìn)行填充，所述填充件的頂部與所述上腔體的底壁外側(cè)之間的間隙小于1mm。

10.如權(quán)利要求9所述的氣體含量控制裝置，其特征在于，所述下腔體與所述第一進(jìn)氣腔連通。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種氣體含量控制裝置，包括：反應(yīng)腔和第一勻流腔，反應(yīng)腔包括上下相互隔離設(shè)置的上腔體和下腔體；第一勻流腔用于將惰性氣體通入上腔體內(nèi)；第一勻流腔包括沿進(jìn)氣方向依次布置的第一進(jìn)氣腔體、進(jìn)氣勻化板、第二進(jìn)氣腔體和出氣面板，進(jìn)氣勻化板具有多個(gè)進(jìn)氣孔，且靠近進(jìn)氣接口的進(jìn)氣孔的橫截面積小于遠(yuǎn)離進(jìn)氣接口的進(jìn)氣孔的橫截面積，出氣面板具有多個(gè)第一出氣口，各所述第一出氣口通過(guò)所述出氣面板與所述上腔體的內(nèi)壁隔離開來(lái)。采用本發(fā)明提供的氣體含量控制裝置，解決了氣體用量大、吹掃不均勻以及腔體內(nèi)部容易發(fā)生湍流等問(wèn)題。

技術(shù)研發(fā)人員：程斌斌,王飛,黃元昊,羅兵,龔輝,孫澤江,張洪博
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海微電子裝備（集團(tuán)）股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19