本發(fā)明涉及復(fù)合材料，尤其涉及一種電磁波吸收材料及其制備方法。

背景技術(shù)：

1、石墨烯被認(rèn)為是一種典型的二維層狀材料，由于優(yōu)良的物理和化學(xué)性質(zhì)，使其成為理想的輕量級(jí)電磁波(emw)吸收體。盡管設(shè)計(jì)不同類別的石墨烯基復(fù)合電磁波吸波體已經(jīng)相當(dāng)成熟，但其高昂的價(jià)格使它的應(yīng)用受限，亟待開發(fā)實(shí)用的吸收劑以解決日益嚴(yán)峻的電磁污染問題。在可替代的二維材料候選中，作為過渡金屬硫化物(tmds)的典型代表，mos2的層狀結(jié)構(gòu)因其許多有趣的特性而被大量研究。2015年，ning等首次報(bào)道了水熱法制備的mos2納米片的電磁波吸收特性。隨后，一些mos2基復(fù)合吸收劑被陸續(xù)報(bào)道，包括mos2和半導(dǎo)體材料、導(dǎo)電材料以及鐵磁性材料的復(fù)合。良好的介電損耗能力和阻抗匹配特性使mos2被視作一種新型的電磁波吸收劑。

2、由于過渡金屬元素和硫族元素之間的配位模式不同，tmds通常有多種存在形成，對(duì)于mos2來說，在結(jié)構(gòu)上通常呈現(xiàn)兩相，即具有六角形配位的2h相和具有八面體配位的1t相，這取決于mo原子周圍的6個(gè)s原子位置。材料的晶體相結(jié)構(gòu)在決定其物理、化學(xué)和電子性能方面起著至關(guān)重要的作用，因此可以通過操縱mos2的晶體結(jié)構(gòu)來調(diào)整其固有特性。2h-mos2的活性點(diǎn)位僅在邊緣處，因此電子傳輸特性較差，這限制了其在催化和電化學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用，幸運(yùn)的是這些問題可以通過將其轉(zhuǎn)化為1t相得到解決。1t-mos2具有優(yōu)異的電子、光學(xué)和機(jī)械性能。通過精確剪裁1t-mos2納米片的尺寸，以及合理組合1t-mos2納米片和其他功能材料，可以得到獨(dú)特晶相結(jié)構(gòu)的新型界面材料?？紤]到1t相的優(yōu)越性能，mos2的相調(diào)控有望成為一種有效提高電磁波吸收性能的方法。

3、由于1t-mos2的亞穩(wěn)定性，一般在自然界中很難獲得，因此很多研究致力于2h-mos2定向調(diào)控生成1t-mos2技術(shù)，包括元素?fù)诫s，溫度調(diào)控，壓力調(diào)控，應(yīng)力調(diào)控，等離子/電子轟擊誘導(dǎo)，氣體分子誘導(dǎo)等。雖然取得了較大的成效，然而在眾多用以改善mos2中1t相的比例方法中，存在著成本高，操作步驟復(fù)雜等問題。此外，由于范德華力的存在，層狀mos2易團(tuán)聚堆疊，導(dǎo)致較大的死體積，會(huì)限制電磁波的響應(yīng)。

4、因此，如何提供一種成本低、制備方法簡(jiǎn)單且電磁波吸收性能優(yōu)異的電磁波吸收材料成為了本領(lǐng)域技術(shù)人員亟需解決的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本發(fā)明提供了一種電磁波吸收材料及其制備方法，其目的是解決現(xiàn)有1t-mos2材料的制備方法復(fù)雜、成本高且電磁波吸收性能差的技術(shù)問題。

2、為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用如下技術(shù)方案：

3、本發(fā)明提供了一種電磁波吸收材料的制備方法，包括以下步驟：

4、將cu2o粉末、鉬酸銨、硫脲和水混合后進(jìn)行反應(yīng)即得電磁波吸收材料。

5、進(jìn)一步的，所述cu2o粉末與鉬酸銨的摩爾比為3～4：0.25～1。

6、進(jìn)一步的，所述鉬酸銨和硫脲的mo/s摩爾比為1：2～8。

7、進(jìn)一步的，所述鉬酸銨與水的摩爾體積比為0.25～1mmol：100～200ml。

8、進(jìn)一步的，所述反應(yīng)的溫度為160～240℃，反應(yīng)的時(shí)間為20～30h。

9、本發(fā)明還提供了上述制備方法所制備的電磁波吸收材料。

10、經(jīng)由上述的技術(shù)方案可知，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的有益效果如下：

11、本發(fā)明制備的電磁波吸收材料，是采用簡(jiǎn)單的水熱法制備的mos2包覆空心cu9s5立方體的核殼復(fù)合結(jié)構(gòu)，是在酸環(huán)境中，大量的nh4+插入至mos2層間，使其具有高1-t相占比。此外，將mos2納米片的自模板生長(zhǎng)機(jī)制應(yīng)用于cu2-xs空心盒子表面負(fù)載，避免了mos2的過渡團(tuán)聚問題；

12、由于空心結(jié)構(gòu)的優(yōu)良特性，在較低的質(zhì)量填充濃度下即可形成導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)，再加之偶極子極化和界面極化等多個(gè)介電損耗機(jī)制，使得本發(fā)明所制備的電磁波吸收材料具有優(yōu)良的電磁波吸收特性。

技術(shù)特征：

1.一種電磁波吸收材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，所述鉬酸銨和硫脲的mo/s摩爾比為1：2～8。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，所述鉬酸銨與水的摩爾體積比為0.25～1mmol：100～200ml。

4.根據(jù)權(quán)利要求1或3所述的制備方法，其特征在于，所述反應(yīng)的溫度為160～240℃，反應(yīng)的時(shí)間為20～30h。

5.權(quán)利要求1～4任一項(xiàng)制備方法所制備的電磁波吸收材料。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明屬于復(fù)合材料技術(shù)領(lǐng)域，本發(fā)明提供了一種電磁波吸收材料及其制備方法。該方法包括以下步驟：將Cu<subgt;2</subgt;O粉末、鉬酸銨、硫脲和水混合后進(jìn)行反應(yīng)即得電磁波吸收材料。在本發(fā)明中，利用堿離子插層的原理，通過簡(jiǎn)單的水熱法制備出了一種高1T相占比的電磁波吸收材料，將MoS<subgt;2</subgt;納米片的自模板生長(zhǎng)機(jī)制應(yīng)用于Cu<subgt;2?x</subgt;S空心盒子表面負(fù)載，避免了MoS<subgt;2</subgt;的過渡團(tuán)聚問題。本發(fā)明制備的電磁波吸收材料具有良好的介電損耗和阻抗性能，是一種優(yōu)異的輕量級(jí)電磁波吸收體。

技術(shù)研發(fā)人員：魏世丞,黃威,王博,王玉江,梁義
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國(guó)人民解放軍陸軍裝甲兵學(xué)院
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/26