本發(fā)明的實施方式涉及半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)：

1、在晶體管等半導(dǎo)體裝置中，期望降低體二極管的正向電壓。

2、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

3、專利文獻(xiàn)

4、專利文獻(xiàn)1：日本專利第6400545號公報

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的實施方式提供一種能夠降低體二極管的正向電壓的半導(dǎo)體裝置。

2、根據(jù)本發(fā)明的實施方式，半導(dǎo)體裝置包括第1導(dǎo)電部、第2導(dǎo)電部、第3導(dǎo)電部、第1絕緣部以及半導(dǎo)體部。從所述第1導(dǎo)電部向所述第2導(dǎo)電部的方向沿著第1方向。從所述第2導(dǎo)電部向所述第3導(dǎo)電部的方向沿著與所述第1方向交叉的第2方向。所述第1絕緣部包括設(shè)置于所述第2導(dǎo)電部與所述第3導(dǎo)電部之間的第1絕緣區(qū)域。所述半導(dǎo)體部包括設(shè)置于所述第1導(dǎo)電部與所述第2導(dǎo)電部之間的第1半導(dǎo)體區(qū)域和設(shè)置于所述第2導(dǎo)電部與所述第1絕緣區(qū)域之間的第2半導(dǎo)體區(qū)域。所述半導(dǎo)體部是第1導(dǎo)電類型。所述第2導(dǎo)電部包括與所述第1半導(dǎo)體區(qū)域肖特基接合的第1導(dǎo)電區(qū)域和與所述第2半導(dǎo)體區(qū)域肖特基接合的第2導(dǎo)電區(qū)域。在所述第1導(dǎo)電類型為n型的情況下，所述第1導(dǎo)電區(qū)域的功函數(shù)低于所述第2導(dǎo)電區(qū)域的功函數(shù)。在所述第1導(dǎo)電類型為p型的情況下，所述第1導(dǎo)電區(qū)域的功函數(shù)高于所述第2導(dǎo)電區(qū)域的功函數(shù)。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體裝置，具備：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

8.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

10.根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

技術(shù)總結(jié)
提供能夠降低體二極管的正向電壓的半導(dǎo)體裝置。根據(jù)實施方式，半導(dǎo)體裝置包括第1導(dǎo)電部、第2導(dǎo)電部、第3導(dǎo)電部、第1絕緣部以及半導(dǎo)體部。從第1導(dǎo)電部向第2導(dǎo)電部的方向沿著第1方向。從第2導(dǎo)電部向第3導(dǎo)電部的方向沿著與第1方向交叉的第2方向。第1絕緣部包括設(shè)置于第2導(dǎo)電部與第3導(dǎo)電部之間的第1絕緣區(qū)域。半導(dǎo)體部包括設(shè)置于第1導(dǎo)電部與第2導(dǎo)電部之間的第1半導(dǎo)體區(qū)域和設(shè)置于第2導(dǎo)電部與第1絕緣區(qū)域之間的第2半導(dǎo)體區(qū)域。第2導(dǎo)電部包括與第1半導(dǎo)體區(qū)域肖特基接合的第1導(dǎo)電區(qū)域和與第2半導(dǎo)體區(qū)域肖特基接合的第2導(dǎo)電區(qū)域。在半導(dǎo)體部為n型的情況下，第1導(dǎo)電區(qū)域的功函數(shù)低于第2導(dǎo)電區(qū)域的功函數(shù)。

技術(shù)研發(fā)人員：井口智明,小林勇介,馬場祥太郎,根本宏樹,福田大地,西脇達(dá)也,清水達(dá)雄
受保護(hù)的技術(shù)使用者：株式會社東芝
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/8/20