本公開涉及半導(dǎo)體器件及其制造方法，更具體地，涉及一種包括場效應(yīng)晶體管的半導(dǎo)體器件及其制造方法。

背景技術(shù)：

1、半導(dǎo)體器件包括具有金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(mosfet)的集成電路。隨著半導(dǎo)體器件的尺寸和設(shè)計規(guī)則逐漸地減少，mosfet的尺寸也日益按比例縮小。mosfet的按比例縮小可能使半導(dǎo)體器件的工作特性劣化。因此，已經(jīng)進行各種研究來開發(fā)制造具有小規(guī)模而沒有劣化的工作特性的半導(dǎo)體器件的方法。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、一些實施例提供了一種具有提高的可靠性和改善的電氣性質(zhì)的半導(dǎo)體器件。

2、一些實施例提供了一種制造具有提高的可靠性和改善的電氣性質(zhì)的半導(dǎo)體器件的方法。

3、根據(jù)實施例的一個方面，一種半導(dǎo)體器件包括：襯底，所述襯底包括第一有源區(qū)和第二有源區(qū)，其中，所述第一有源區(qū)沿著第一方向布置，其中，所述第二有源區(qū)沿著所述第一方向布置，其中，所述第一有源區(qū)與所述第二有源區(qū)之間的邊界在所述第一方向上延伸；器件隔離層，所述器件隔離層在所述襯底上位于所述第一有源區(qū)與所述第二有源區(qū)之間的溝槽中；第一溝道圖案和第一源極/漏極圖案，所述第一溝道圖案和所述第一源極/漏極圖案位于每一個所述第一有源區(qū)上；第二溝道圖案和第二源極/漏極圖案，所述第二溝道圖案和所述第二源極/漏極圖案位于每一個所述第二有源區(qū)上；第一柵電極，所述第一柵電極位于所述第一溝道圖案上，其中，所述第一柵電極在所述第一方向上跨越所述第一有源區(qū)延伸；第二柵電極，所述第二柵電極位于所述第二溝道圖案上，其中，所述第二柵電極在所述第一方向上跨越所述第二有源區(qū)延伸；以及多個有源接觸，所述多個有源接觸位于每一個所述第一有源區(qū)上的所述第一源極/漏極圖案和每一個所述第二有源區(qū)上的所述第二源極/漏極圖案上。所述器件隔離層包括位于所述第一有源區(qū)中的相鄰的第一有源區(qū)之間的突起結(jié)構(gòu)。所述突起結(jié)構(gòu)與所述邊界相鄰。

4、根據(jù)實施例的一個方面，一種半導(dǎo)體器件包括：襯底，所述襯底包括第一有源區(qū)和第二有源區(qū)，其中，所述第一有源區(qū)和所述第二有源區(qū)沿著第一方向彼此相鄰并且具有公共的導(dǎo)電類型；器件隔離層，所述器件隔離層位于所述第一有源區(qū)與所述第二有源區(qū)之間的溝槽中；第一源極/漏極圖案，所述第一源極/漏極圖案位于所述第一有源區(qū)上；第二源極/漏極圖案，所述第二源極/漏極圖案位于所述第二有源區(qū)上；襯墊層，所述襯墊層位于所述器件隔離層以及所述第一源極/漏極圖案和所述第二源極/漏極圖案上；層間電介質(zhì)層，所述層間電介質(zhì)層位于所述襯墊層上；第一有源接觸，所述第一有源接觸延伸到所述層間電介質(zhì)層中并且耦接到所述第一源極/漏極圖案；以及第二有源接觸，所述第二有源接觸延伸到所述層間電介質(zhì)層中并且耦接到所述第二源極/漏極圖案。所述器件隔離層包括在所述第一源極/漏極圖案與所述第二源極/漏極圖案之間垂直地延伸的突起結(jié)構(gòu)。所述突起結(jié)構(gòu)具有平坦的頂表面。

5、根據(jù)實施例的一個方面，一種半導(dǎo)體器件包括：襯底，所述襯底包括第一有源區(qū)和第二有源區(qū)，其中，所述第一有源區(qū)沿著第一方向彼此相鄰，其中，所述第二有源區(qū)沿著所述第一方向彼此相鄰；器件隔離層，所述器件隔離層位于所述第一有源區(qū)之間的第一溝槽和所述第二有源區(qū)之間的第二溝槽中；第一溝道圖案和第一源極/漏極圖案，所述第一溝道圖案和所述第一源極/漏極圖案位于每一個所述第一有源區(qū)上；第二溝道圖案和第二源極/漏極圖案，所述第二溝道圖案和所述第二源極/漏極圖案位于每一個所述第二有源區(qū)上，其中，所述第二源極/漏極圖案的導(dǎo)電類型不同于所述第一源極/漏極圖案的導(dǎo)電類型；第一柵電極，所述第一柵電極位于所述第一溝道圖案上，其中，所述第一柵電極在所述第一方向上跨越所述第一有源區(qū)延伸；第一柵極電介質(zhì)層，所述第一柵極電介質(zhì)層位于所述第一柵電極與所述第一溝道圖案之間；第二柵電極，所述第二柵電極位于所述第二溝道圖案上，其中，所述第二柵電極在所述第一方向上跨越所述第二有源區(qū)延伸；第二柵極電介質(zhì)層，所述第二柵極電介質(zhì)層位于所述第二柵電極與所述第二溝道圖案之間；第一有源接觸，所述第一有源接觸位于所述第一源極/漏極圖案上；第二有源接觸，所述第二有源接觸位于所述第二源極/漏極圖案上；第一柵極接觸，所述第一柵極接觸位于所述第一柵電極上；第二柵極接觸，所述第二柵極接觸位于所述第二柵電極上；以及第一金屬層，所述第一金屬層電連接到所述第一柵極接觸、所述第二柵極接觸、所述第一有源接觸和所述第二有源接觸。位于所述第一有源區(qū)中的相鄰的第一有源區(qū)之間的所述器件隔離層包括突起結(jié)構(gòu)。凹陷的頂表面形成在位于所述第二有源區(qū)中的相鄰的第二有源區(qū)之間的所述器件隔離層中。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，當(dāng)俯視觀察時，所述突起結(jié)構(gòu)具有在與所述第一方向相交的第二方向上延伸的條形狀。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述突起結(jié)構(gòu)是所述器件隔離層的在垂直方向上延伸的區(qū)域，并且

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述器件隔離層還包括位于所述突起結(jié)構(gòu)與所述第一源極/漏極圖案之間的凹陷區(qū)域。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述突起結(jié)構(gòu)的頂表面處于第一高度，

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，每一個所述第一有源區(qū)是n型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管區(qū)和p型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管區(qū)中的一者，并且

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，凹陷的頂表面形成在位于彼此相鄰的所述第二有源區(qū)之間的所述器件隔離層中，并且

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件還包括：位于所述器件隔離層上的襯墊層、位于每一個所述第一有源區(qū)上的所述第一源極/漏極圖案、以及位于每一個所述第二有源區(qū)上的所述第二源極/漏極圖案，

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一柵電極包括彼此相鄰并且位于所述器件隔離層上的成對的第一柵電極，

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述突起結(jié)構(gòu)包括在所述第一方向上彼此間隔開的第一突起結(jié)構(gòu)和第二突起結(jié)構(gòu)，并且

11.一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括：

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，其中，當(dāng)俯視觀察時，所述突起結(jié)構(gòu)具有在與所述第一方向相交的第二方向上延伸的條形狀。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述器件隔離層包括：

14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一有源區(qū)和所述第二有源區(qū)中的每一者是n型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管區(qū)和p型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管區(qū)中的一者。

15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一源極/漏極圖案和所述第二源極/漏極圖案是n型外延圖案。

16.一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件包括：

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件還包括：位于所述器件隔離層上的襯墊層、位于每一個所述第一有源區(qū)上的所述第一源極/漏極圖案、以及位于每一個所述第二有源區(qū)上的所述第二源極/漏極圖案，

18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述突起結(jié)構(gòu)的頂表面處于第一高度，

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的半導(dǎo)體器件，其中，位于所述第一柵電極下方的所述器件隔離層的頂表面處于第三高度，并且

20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體器件，其中，每一個所述第一有源區(qū)是n型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管區(qū)和p型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管區(qū)中的一者，并且

技術(shù)總結(jié)
提供了一種半導(dǎo)體器件。所述半導(dǎo)體器件包括：襯底，包括第一有源區(qū)和第二有源區(qū)，其中，邊界設(shè)置在所述第一有源區(qū)與所述第二有源區(qū)之間；器件隔離層，在所述襯底上位于所述第一有源區(qū)與所述第二有源區(qū)之間的溝槽中；第一溝道圖案和第一源極/漏極圖案，位于所述第一有源區(qū)上；第二溝道圖案和第二源極/漏極圖案，位于所述第二有源區(qū)上；第一柵電極，位于所述第一溝道圖案上并且跨越所述第一有源區(qū)延伸；第二柵電極，位于所述第二溝道圖案上并且跨越所述第二有源區(qū)延伸；以及有源接觸，位于所述第一源極/漏極圖案和所述第二源極/漏極圖案上。所述器件隔離層包括位于所述第一有源區(qū)之間的突起結(jié)構(gòu)。所述突起結(jié)構(gòu)與所述邊界相鄰。

技術(shù)研發(fā)人員：李秀斌,金孝謙,姜在賢,徐堫原
受保護的技術(shù)使用者：三星電子株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/24