實施例涉及一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法。更具體地，實施例涉及一種用于使用重疊測量來制造半導(dǎo)體器件的方法，并且實施例還涉及使用該方法制造的半導(dǎo)體器件。

背景技術(shù)：

1、隨著半導(dǎo)體器件變得高度集成，半導(dǎo)體器件中包括的圖案的關(guān)鍵尺寸變得越來越精細。隨著復(fù)雜的工藝和材料的應(yīng)用，測量工藝的難度也隨之增加。

2、重疊測量工藝是掌握襯底上的在下圖案和上圖案之間的對準狀態(tài)(即，重疊)的工藝。針對每個圖案的重疊鍵可以用于準確地掌握重疊。然而，由于新材料的引入和復(fù)雜的制造工藝，重疊鍵可能會被損壞，這可能會逐漸增加重疊測量的難度。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、實施例提供了一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，該方法包括：在襯底上形成下圖案，該下圖案包括具有第一間距的下重疊鍵圖案；在下圖案上形成上圖案，該上圖案包括具有與第一間距不同的第二間距的上重疊鍵圖案；測量下重疊鍵圖案和上重疊鍵圖案之間的重疊；去除上重疊鍵圖案；以及在去除上重疊鍵圖案之后，使用上圖案作為蝕刻掩模來執(zhí)行蝕刻工藝。

2、實施例還提供了一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，該方法包括：設(shè)置襯底，該襯底包括單元區(qū)域和重疊鍵區(qū)域；形成下圖案，該下圖案包括單元區(qū)域上的下單元圖案和重疊鍵區(qū)域上的下重疊鍵圖案，下重疊鍵圖案具有第一間距；形成上圖案，該上圖案包括下單元圖案上的上單元圖案和下重疊鍵圖案上的上重疊鍵圖案，上重疊鍵圖案具有與第一間距不同的第二間距；使用由下重疊鍵圖案和上重疊鍵圖案形成的莫爾圖案來測量下重疊鍵圖案和上重疊鍵圖案之間的重疊；去除上重疊鍵圖案；以及在去除上重疊鍵圖案之后，使用上單元圖案作為蝕刻掩模來執(zhí)行蝕刻工藝，其中，蝕刻工藝的蝕刻終點低于下單元圖案的上表面。

3、實施例還提供了一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，該方法包括：設(shè)置襯底，該襯底包括單元區(qū)域和重疊鍵區(qū)域；形成下圖案，該下圖案包括單元區(qū)域上的下單元圖案和重疊鍵區(qū)域上的下重疊鍵圖案，下重疊鍵圖案具有第一間距；形成上圖案，該上圖案包括下單元圖案上的上單元圖案和下重疊鍵圖案上的上重疊鍵圖案，上重疊鍵圖案具有與第一間距不同的第二間距；去除上重疊鍵圖案；以及在去除上重疊鍵圖案之后，使用上單元圖案作為蝕刻掩模來執(zhí)行蝕刻工藝，以去除下單元圖案的至少一部分。

技術(shù)特征：

1.一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，測量所述重疊包括：使用由所述下重疊鍵圖案和所述上重疊鍵圖案形成的莫爾圖案。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，所述蝕刻工藝的蝕刻終點低于所述下圖案的上表面。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，所述下重疊鍵圖案未被所述蝕刻工藝蝕刻。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，所述上圖案包括光刻膠。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，測量所述下重疊鍵圖案和所述上重疊鍵圖案之間的重疊包括：執(zhí)行清潔后檢查aci。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，所述第一間距和所述第二間距之間的差值為100nm至300nm。

8.一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件通過根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法來制造。

9.一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，去除所述上重疊鍵圖案包括：

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，通過所述蝕刻工藝來蝕刻所述下單元圖案的至少一部分。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，所述下重疊鍵圖案未被所述蝕刻工藝蝕刻。

13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，所述上圖案包括光刻膠。

14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，所述第一間距與所述第二間距之間的差值為100nm至300nm。

15.一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件通過根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法來制造。

16.一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，所述方法包括：

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，在執(zhí)行所述蝕刻工藝之后，所述下單元圖案包括通過所述蝕刻工藝形成的凹陷。

18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，所述下重疊鍵圖案未被所述蝕刻工藝蝕刻。

19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的用于制造半導(dǎo)體器件的方法，其中，所述上圖案包括光刻膠。

20.一種半導(dǎo)體器件，所述半導(dǎo)體器件通過根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法來制造。

技術(shù)總結(jié)
提供了一種用于使用重疊測量來制造半導(dǎo)體器件的方法、以及通過該方法制造的半導(dǎo)體器件。該方法包括：在襯底上形成下圖案，該下圖案包括具有第一間距的下重疊鍵圖案；在下圖案上形成上圖案，該上圖案包括具有與第一間距不同的第二間距的上重疊鍵圖案；測量下重疊鍵圖案和上重疊鍵圖案之間的重疊；去除上重疊鍵圖案；以及在去除上重疊鍵圖案之后，使用上圖案作為蝕刻掩模來執(zhí)行蝕刻工藝。

技術(shù)研發(fā)人員：李斗珪,李汀鎮(zhèn),郭旻哲,李承潤,黃燦
受保護的技術(shù)使用者：三星電子株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/6/26