背景技術(shù)：

1、在一些半導體工藝(例如晶體管技術(shù)依賴于全環(huán)繞柵裝置或其變體的工藝)中，出于例如靜電放電(esd)保護的目的p-n結(jié)和電阻器的制造變得非常具有挑戰(zhàn)性。這樣的制造可以包括對用于數(shù)字邏輯晶體管的工藝以及前端的附加工藝步驟的修改，這可能影響數(shù)字邏輯晶體管(例如，由于寄生連接)的性能，導致額外的成本，并且造成良率風險。

技術(shù)實現(xiàn)思路

技術(shù)特征：

1.一種集成電路裝置，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路裝置，其中，所述tft溝道材料在300開氏度具有在5cm2/(v·s)至700cm2/(v·s)的范圍內(nèi)的電荷載流子遷移率以及在1.15ev至6.5ev的范圍內(nèi)的帶隙電壓。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路裝置，其中，所述集成電路裝置包括集成電路管芯，所述集成電路管芯具有前側(cè)和后側(cè)，所述前側(cè)包括多個晶體管和互連層，所述后側(cè)包括所述電阻器。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路裝置，其中，所述非晶體襯底包括氧化硅、氮化硅、金屬氧化物或氮氧化硅。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的集成電路裝置，還包括二極管，所述二極管包括第一導電接觸部、第二導電接觸部以及耦合在所述第一導電接觸部和所述第二導電接觸部之間的所述tft溝道材料。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的集成電路裝置，還包括實現(xiàn)靜電放電保護的電路，其中，所述電路包括所述電阻器和所述二極管。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的集成電路裝置，其中，所述第一導電接觸部基本上平行于所述第二導電接觸部，并且其中，所述tft溝道材料基本上正交于所述第一導電接觸部和所述第二導電接觸部。

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的集成電路裝置，其中，所述tft溝道材料在水平格柵配置中基本上平行于所述第一導電接觸部和所述第二導電接觸部。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的集成電路裝置，其中，所述tft溝道材料在豎直堆疊體中位于所述第一導電接觸部和所述第二導電接觸部之間。

10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的集成電路裝置，其中，所述集成電路裝置包括集成電路管芯，所述集成電路管芯具有前側(cè)和后側(cè)，所述前側(cè)包括多個晶體管和互連層，所述后側(cè)包括所述電阻器，其中，所述集成電路管芯的所述后側(cè)還包括所述二極管。

11.根據(jù)權(quán)利要求1-10中任一項所述的集成電路裝置，還包括集成電路管芯，所述集成電路管芯包括所述電阻器。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的集成電路裝置，還包括耦合到所述集成電路管芯的電路板。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的集成電路裝置，還包括耦合到所述集成電路管芯的網(wǎng)絡接口、電池或存儲器中的至少一者。

14.一種設備，包括：

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的設備，其中，所述tft溝道材料與所述第一導電接觸部形成肖特基勢壘。

16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的設備，其中，所述tft溝道材料與所述第二導電接觸部形成歐姆接觸。

17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的設備，其中，所述tft溝道材料在300開氏度具有在50cm2/(v·s)至700cm2/(v·s)的范圍內(nèi)的電荷載流子遷移率以及在1.15ev至6.5ev的范圍內(nèi)的帶隙電壓。

18.根據(jù)權(quán)利要求14-17中任一項所述的設備，還包括：

19.一種方法，包括：

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述tft溝道材料在300開氏度具有在5cm2/(v·s)至700cm2/(v·s)的范圍內(nèi)的電荷載流子遷移率以及在1.15ev至6.5ev的范圍內(nèi)的帶隙電壓。。

21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，還包括形成集成電路管芯，所述集成電路管芯具有前側(cè)和后側(cè)，所述前側(cè)包括多個晶體管和互連層，所述后側(cè)包括所述電阻器。

22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述非晶體襯底包括氧化硅、氮化硅、金屬氧化物或氮氧化硅。

23.根據(jù)權(quán)利要求19-22中任一項所述的方法，其中，所述第一導電接觸部基本上平行于所述第二導電接觸部，并且其中，所述tft溝道材料基本上正交于所述第一導電接觸部和所述第二導電接觸部。

24.根據(jù)權(quán)利要求19-23中任一項所述的方法，還包括通過形成第一導電接觸部和第二導電接觸部而在所述非晶體襯底上形成二極管，其中，所述tft溝道材料耦合在所述第一導電接觸部和所述第二導電接觸部之間。

25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的方法，還包括形成實現(xiàn)靜電放電保護的電路，其中，所述電路包括所述電阻器和所述二極管。

技術(shù)總結(jié)
一種集成電路裝置，包括：電阻器，形成在非晶體襯底上，所述電阻器包括：柵極電極；柵極電介質(zhì)，與所述柵極電極接觸；源極電極和漏極電極；以及薄膜晶體管(TFT)溝道材料，耦合在所述源極電極和所述漏極電極之間。

技術(shù)研發(fā)人員：S·葉梅尼喬格魯,A·A·夏爾馬,S·納斯卡爾,K·C·科柳魯,C-H·梁,B·U·穆哈默德,V·勒
受保護的技術(shù)使用者：英特爾公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/10