本技術(shù)系有關(guān)一種半導(dǎo)體裝置，尤其是一種功率金氧半晶體管。

背景技術(shù)：

1、一般而言，金屬氧化物場效晶體管的源漏順向電壓壓降(vfsd)比接面蕭特基位障(junction?barrier?schottky)二極管的順向電壓壓降還要高。在金屬氧化物場效晶體管中，當(dāng)柵源電壓從0v變成-5v時(shí)，源漏順向電壓壓降會(huì)變高。因此需要一種新的半導(dǎo)體裝置來克服這些問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本實(shí)用新型提供一種半導(dǎo)體裝置，其包括：碳化硅磊晶層、柵極氧化物層、復(fù)晶硅層、層間介電質(zhì)層、凹槽、障壁層以及第一金屬層。該碳化硅磊晶層具有：在柵極區(qū)中之接面場效區(qū)與該接面場效區(qū)接觸之p型阱區(qū)在該p型阱區(qū)內(nèi)之第一重?fù)诫sp型區(qū)以及在該p型阱區(qū)之外之第二重?fù)诫sp型區(qū)。該柵極氧化物層在該碳化硅磊晶層上該復(fù)晶硅層在該柵極氧化物層上該層間介電質(zhì)層在該復(fù)晶硅層上該凹槽在源極區(qū)中穿過該層間介電質(zhì)層、該復(fù)晶硅層和該柵極氧化物層形成在該碳化硅磊晶層中該障壁層在該凹槽的下表面與側(cè)表面上，并且在該第二重?fù)诫sp型區(qū)上以及該第一金屬層在該障壁層上。

2、綜上所述，藉由該半導(dǎo)體裝置中的接面蕭特基位障二極管(由該第一金屬層、該障壁層和該第二重?fù)诫sp型區(qū)所構(gòu)成)，可以降低金屬氧化物場效晶體管的源漏順向電壓壓降vfsd和漏源導(dǎo)通電組rds(on)，克服了當(dāng)柵源電壓從0v變成-5v時(shí)源漏順向電壓壓降vfsd會(huì)變高的技術(shù)問題，讓組件的可靠度更好。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該碳化硅磊晶層還具有：

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還包括：

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該第一金屬層在該凹槽內(nèi)透過硅化物和該障壁層與該第一重?fù)诫sp型區(qū)和該重?fù)诫sn型區(qū)接觸。

5.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該障壁層與該層間介電質(zhì)層、該接點(diǎn)間隔物、以及該碳化硅磊晶層接觸。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該障壁層和該第二重?fù)诫sp型區(qū)之間具有硅化物。

7.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還包括：

8.如權(quán)利要求7所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，還包括：

9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該第一金屬層、該障壁層和該第二重?fù)诫sp型區(qū)作為接面蕭特基位障二極管。

10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，該第一金屬層為鋁銅合金，以及該障壁層為鈦與氮化鈦的疊層。

技術(shù)總結(jié)
一種半導(dǎo)體裝置，其包括：碳化硅磊晶層、柵極氧化物層、復(fù)晶硅層、層間介電質(zhì)層、凹槽、障壁層以及第一金屬層。該碳化硅磊晶層具有：接面場效區(qū)；p型阱區(qū)；在該p型阱區(qū)內(nèi)之第一重?fù)诫sp型區(qū)；以及在該p型阱區(qū)之外之第二重?fù)诫sp型區(qū)。該柵極氧化物層在該碳化硅磊晶層上；該復(fù)晶硅層在該柵極氧化物層上；該層間介電質(zhì)層在該復(fù)晶硅層上；該凹槽在源極區(qū)中穿過該層間介電質(zhì)層、該復(fù)晶硅層和該柵極氧化物層形成在該碳化硅磊晶層中；該障壁層在該凹槽的下表面與側(cè)表面上，并且在該第二重?fù)诫sp型區(qū)上；以及該第一金屬層在該障壁層上。

技術(shù)研發(fā)人員：劉原良,陳彥彰,張?jiān)?李宜蓁
受保護(hù)的技術(shù)使用者：漢磊科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20230927
技術(shù)公布日：2024/9/19