本技術(shù)涉及半導(dǎo)體封裝，特別是涉及一種發(fā)光器件、顯示面板及顯示裝置。

背景技術(shù)：

1、micro?led(micro?light?emitting?diode，微型發(fā)光二極管，以下簡(jiǎn)稱為微發(fā)光芯片)是將傳統(tǒng)led(light?emitting?diode，發(fā)光二極管)的像素點(diǎn)從毫米級(jí)降低至微米級(jí)，并在單個(gè)芯片上將驅(qū)動(dòng)電路與像素點(diǎn)高度集成的新一代自發(fā)光顯示技術(shù)，其像素尺寸通常不超過(guò)100μm。相比lcd(liquid?crystal?display，液晶顯示)技術(shù)與oled(organiclight-emitting?diode，有機(jī)發(fā)光二極管)顯示器，micro?led具有多方面的優(yōu)勢(shì)。

2、但在micro?led批量生產(chǎn)的路上，仍然面臨著成本和良率兩座大山。其中包括巨量轉(zhuǎn)移良率和效率問題，以及后段測(cè)試分選帶來(lái)的成本問題等。在此背景下，mip(micro?ledin?package，micro?led封裝)技術(shù)的誕生引起了關(guān)注。mip是一種芯片級(jí)的封裝技術(shù)，具體制程是：在外延片上將micro?led芯片巨量轉(zhuǎn)移到載板上，然后直接封裝，切割后再進(jìn)行檢測(cè)和混光，這一過(guò)程可以直接剔除不良燈珠，后續(xù)無(wú)需返修；下一步便是將micro?led燈珠放置于卷帶上，交由顯示屏廠進(jìn)行打件，制成模組。由于打件需要的固晶焊盤，以及rgb芯片的大小，一般mip的尺寸較難縮小，會(huì)影響屏幕的ppi(pixels?per?inch，每英寸所擁有的像素?cái)?shù)目)提升。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)，本實(shí)用新型的目的在于提供一種發(fā)光器件、顯示面板及顯示裝置，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中發(fā)光器件尺寸較大，會(huì)影響屏幕顯示效果的問題。

2、為實(shí)現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本實(shí)用新型提供一種發(fā)光器件，包括：

3、基板；

4、發(fā)光單元，包括多個(gè)設(shè)置于所述基板上的發(fā)光二極管芯片；

5、平坦層，覆蓋于各個(gè)所述發(fā)光二極管芯片上；

6、導(dǎo)電層，設(shè)置于所述平坦層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)，并沿遠(yuǎn)離所述平坦層的方向延伸形成多個(gè)焊接區(qū)域；以及

7、封裝層，設(shè)置于所述導(dǎo)電層遠(yuǎn)離所述基板的一側(cè)，所述焊接區(qū)域突出所述封裝層遠(yuǎn)離所述導(dǎo)電層的一側(cè)；

8、其中，各個(gè)所述發(fā)光二極管芯片的第一極電性連接在同一個(gè)所述焊接區(qū)域上，第二極分別電性連接在不同的所述焊接區(qū)域上，所述焊接區(qū)域在所述基板上的投影區(qū)域與各個(gè)所述發(fā)光二極管芯片在所述基板上的投影區(qū)域至少部分重合，各個(gè)所述焊接區(qū)域之間具有間隙。

9、可選地，所述發(fā)光二極管芯片包括多組，每組所述發(fā)光二極管芯片的數(shù)量為三個(gè)，并包括紅色發(fā)光二極管芯片、綠色發(fā)光二極管芯片以及藍(lán)色發(fā)光二極管芯片中的至少一種。

10、可選地，每組所述發(fā)光二極管芯片中的各個(gè)所述發(fā)光二極管芯片沿第一方向排列，并且電極方向均沿第二方向設(shè)置，相鄰兩個(gè)所述發(fā)光二極管芯片的電極方向與另外一個(gè)所述發(fā)光二極管芯片的電極方向相反，所述第一方向與所述第二方向垂直。

11、可選地，每組所述發(fā)光二極管芯片中的兩個(gè)所述發(fā)光二極管芯片沿第二方向排列，并且電極方向沿第一方向設(shè)置。

12、可選地，每組所述發(fā)光二極管芯片中的另外一個(gè)所述發(fā)光二極管芯片的電極方向沿第二方向設(shè)置。

13、可選地，所述平坦層還覆蓋所述發(fā)光二極管芯片遠(yuǎn)離所述基板的表面上的非電極區(qū)域。

14、可選地，所述發(fā)光器件還包括設(shè)置于所述基板與各個(gè)所述發(fā)光二極管芯片之間的黏附層。

15、可選地，所述封裝層包括原子沉積層。

16、本實(shí)用新型還提供一種顯示面板，包括背板以及安裝于所述背板上的多個(gè)如上所述的發(fā)光器件。

17、本實(shí)用新型還提供一種顯示裝置，包括殼體和設(shè)置在所述殼體上的顯示面板，所述顯示面板包括背板以及安裝于所述背板上的發(fā)光器件，所述發(fā)光器件為上述的發(fā)光器件。

18、如上所述，本實(shí)用新型的發(fā)光器件，具有以下有益效果：

19、本方案中，通過(guò)將焊接區(qū)域在基板上的投影區(qū)域與各個(gè)發(fā)光二極管芯片在基板上的投影區(qū)域設(shè)置為部分重合或完全重合，也即將各焊接區(qū)域集中設(shè)置在芯片上方，將焊接區(qū)域原先的設(shè)置區(qū)域解放出來(lái)，從而縮小發(fā)光器件的整體尺寸。

技術(shù)特征：

1.一種發(fā)光器件，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光二極管芯片包括多組，每組所述發(fā)光二極管芯片的數(shù)量為三個(gè)，并包括紅色發(fā)光二極管芯片、綠色發(fā)光二極管芯片以及藍(lán)色發(fā)光二極管芯片中的至少一種。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其特征在于，每組所述發(fā)光二極管芯片中的各個(gè)所述發(fā)光二極管芯片沿第一方向排列，并且電極方向均沿第二方向設(shè)置，相鄰兩個(gè)所述發(fā)光二極管芯片的電極方向與另外一個(gè)所述發(fā)光二極管芯片的電極方向相反，所述第一方向與所述第二方向垂直。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光器件，其特征在于，每組所述發(fā)光二極管芯片中的兩個(gè)所述發(fā)光二極管芯片沿第二方向排列，并且電極方向沿第一方向設(shè)置。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光器件，其特征在于，每組所述發(fā)光二極管芯片中的另外一個(gè)所述發(fā)光二極管芯片的電極方向沿第二方向設(shè)置。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述平坦層還覆蓋所述發(fā)光二極管芯片遠(yuǎn)離所述基板的表面上的非電極區(qū)域。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述發(fā)光器件還包括設(shè)置于所述基板與各個(gè)所述發(fā)光二極管芯片之間的黏附層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中任意一項(xiàng)所述的發(fā)光器件，其特征在于，所述封裝層包括原子沉積層。

9.一種顯示面板，其特征在于，包括背板以及安裝于所述背板上的多個(gè)如權(quán)利要求1至8中任意一項(xiàng)所述的發(fā)光器件。

10.一種顯示裝置，其特征在于，包括殼體和設(shè)置在所述殼體上的顯示面板，所述顯示面板包括背板以及安裝于所述背板上的發(fā)光器件，所述發(fā)光器件為權(quán)利要求1至8中任意一項(xiàng)所述的發(fā)光器件。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)涉及半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及一種發(fā)光器件、顯示面板及顯示裝置，包括：基板；發(fā)光單元；平坦層；導(dǎo)電層；以及封裝層；其中，各個(gè)所述發(fā)光二極管芯片的第一極電性連接在同一個(gè)所述焊接區(qū)域上，第二極分別電性連接在不同的所述焊接區(qū)域上，所述焊接區(qū)域在所述基板上的投影區(qū)域與各個(gè)所述發(fā)光二極管芯片在所述基板上的投影區(qū)域至少部分重合，各個(gè)所述焊接區(qū)域之間具有間隙。通過(guò)將焊接區(qū)域在基板上的投影區(qū)域與各個(gè)發(fā)光二極管芯片在基板上的投影區(qū)域部分重合或完全重合，也即將各焊接區(qū)域集中設(shè)置在芯片上方，從而縮小發(fā)光器件的整體尺寸。

技術(shù)研發(fā)人員：戴廣超,馬非凡,趙永周,陳德偽,馬振琦
受保護(hù)的技術(shù)使用者：重慶康佳光電科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20231123
技術(shù)公布日：2024/8/20