本技術(shù)涉及集成電路制造領(lǐng)域，尤其涉及一種缺陷標(biāo)準(zhǔn)片。

背景技術(shù)：

1、在半導(dǎo)體集成電路的制造過程中，通常使用缺陷掃描機(jī)臺檢測晶圓表面的缺陷，以及時發(fā)現(xiàn)產(chǎn)品制造工藝中存在的問題。缺陷掃描機(jī)臺隨著時間推移可能會出現(xiàn)性能不穩(wěn)或故障等問題，如果不能及時發(fā)現(xiàn)這些問題而繼續(xù)利用它進(jìn)行缺陷檢測，會導(dǎo)致缺陷檢測結(jié)果不準(zhǔn)確，進(jìn)而影響產(chǎn)品制造工藝。

2、目前，集成電路制造廠家通常會購買一些具有特定數(shù)量缺陷的缺陷標(biāo)準(zhǔn)片(standard?wafer)以監(jiān)測缺陷掃描機(jī)臺性能，通過定時利用缺陷掃描機(jī)臺掃描這種缺陷標(biāo)準(zhǔn)片，并比較針對同一缺陷標(biāo)準(zhǔn)片的當(dāng)前掃描結(jié)果與正確值是否具有偏差，若發(fā)現(xiàn)當(dāng)前掃描結(jié)果相對于正確值出現(xiàn)偏差，說明缺陷掃描機(jī)臺出現(xiàn)了掃描偏差，其穩(wěn)定性或者精度可能發(fā)生了變化，進(jìn)一步可對缺陷掃描機(jī)臺進(jìn)行維護(hù)。

3、然而，目前采用的缺陷標(biāo)準(zhǔn)片由專門廠家制作，制作流程復(fù)雜且價格昂貴，并且由于頻繁使用存在破片和被沾污的風(fēng)險且無法直接清洗，通常不便于長時間連續(xù)使用，經(jīng)濟(jì)易用性差，使用成本高，不能滿足缺陷掃描機(jī)臺日常監(jiān)控的需求。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、為了提高缺陷標(biāo)準(zhǔn)片的經(jīng)濟(jì)易用性，降低使用成本，本實用新型提供一種缺陷標(biāo)準(zhǔn)片。

2、本實用新型提供的缺陷標(biāo)準(zhǔn)片包括：

3、半導(dǎo)體基底，所述半導(dǎo)體基底包括切割通道以及被所述切割通道限定的多個芯粒區(qū)，其中，至少一個所述芯粒區(qū)相較于另一些所述芯粒區(qū)具有圖案缺陷；以及

4、保護(hù)層，保形覆蓋所述半導(dǎo)體基底表面。

5、可選地，所述半導(dǎo)體基底具有位于所述圖案缺陷周圍的凹槽。

6、可選地，所述凹槽的深度為

7、可選地，所述保護(hù)層包括氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅中的至少一種。

8、可選地，所述保護(hù)層的厚度為

9、可選地，所述半導(dǎo)體基底包括襯底以及堆疊于所述襯底表面的緩沖層。

10、可選地，所述緩沖層包括氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅中的至少一種。

11、可選地，所述圖案缺陷的圖形包括圓形、橢圓形以及多邊形中的至少一種。

12、可選地，所述圖案缺陷的圖形寬度為30nm～10μm。

13、可選地，所述半導(dǎo)體基底具有至少一種所述圖案缺陷，同一種所述圖案缺陷的形狀和尺寸相同，不同種所述圖案缺陷的形狀和/或尺寸不同。

14、上述缺陷標(biāo)準(zhǔn)片可用于監(jiān)控所述缺陷掃描機(jī)臺的穩(wěn)定性和精度，例如可先在缺陷掃描機(jī)臺正常的情況下使其掃描所述缺陷標(biāo)準(zhǔn)片，以檢測所述圖案缺陷的位置和數(shù)量，得到所述缺陷標(biāo)準(zhǔn)片上圖案缺陷的正確檢測結(jié)果并存儲，之后根據(jù)具體需要，按照一定頻率使所述缺陷掃描機(jī)臺在同樣條件下再次掃描所述缺陷標(biāo)準(zhǔn)片，得到當(dāng)次關(guān)于圖案缺陷的檢測結(jié)果，比較當(dāng)次的檢測結(jié)果與之前得到的正確檢測結(jié)果，若當(dāng)次的檢測結(jié)果與所述正確檢測結(jié)果產(chǎn)生偏差，說明所述缺陷掃描機(jī)臺的穩(wěn)定性或精度發(fā)生了變化，則需對缺陷掃描機(jī)臺進(jìn)行維護(hù)，若當(dāng)次的檢測結(jié)果與所述正確檢測結(jié)果未產(chǎn)生偏差，說明所述缺陷掃描機(jī)臺的穩(wěn)定性或精度未發(fā)生變化。

15、本實用新型提供的所述缺陷標(biāo)準(zhǔn)片可以利用常規(guī)制作集成電路的光罩以及集成電路工藝制作，而且所述缺陷標(biāo)準(zhǔn)片表面具有保護(hù)層，在保護(hù)半導(dǎo)體基底的同時，方便清洗以及重制，經(jīng)濟(jì)易用性好，使用成本低，在能夠延長所述缺陷標(biāo)準(zhǔn)片的壽命的同時，便于提高使用次數(shù)，以便于及時監(jiān)控缺陷掃描機(jī)臺的穩(wěn)定性以及精度。

技術(shù)特征：

1.一種缺陷標(biāo)準(zhǔn)片，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的缺陷標(biāo)準(zhǔn)片，其特征在于，所述半導(dǎo)體基底具有位于所述圖案缺陷周圍的凹槽。

3.如權(quán)利要求2所述的缺陷標(biāo)準(zhǔn)片，其特征在于，所述凹槽的深度為

4.如權(quán)利要求1所述的缺陷標(biāo)準(zhǔn)片，其特征在于，所述保護(hù)層包括氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅中的一種。

5.如權(quán)利要求1所述的缺陷標(biāo)準(zhǔn)片，其特征在于，所述保護(hù)層的厚度為

6.如權(quán)利要求1所述的缺陷標(biāo)準(zhǔn)片，其特征在于，所述半導(dǎo)體基底包括襯底以及堆疊于所述襯底表面的緩沖層。

7.如權(quán)利要求6所述的缺陷標(biāo)準(zhǔn)片，其特征在于，所述緩沖層包括氧化硅、氮化硅以及氮氧化硅中的一種。

8.如權(quán)利要求1至7任一項所述的缺陷標(biāo)準(zhǔn)片，其特征在于，所述圖案缺陷的圖形包括圓形、橢圓形以及多邊形中的至少一種。

9.如權(quán)利要求1至7任一項所述的缺陷標(biāo)準(zhǔn)片，其特征在于，所述圖案缺陷的圖形寬度為30nm～10μm。

10.如權(quán)利要求1至7任一項所述的缺陷標(biāo)準(zhǔn)片，其特征在于，所述半導(dǎo)體基底具有至少一種所述圖案缺陷，同一種所述圖案缺陷的形狀和尺寸相同，不同種所述圖案缺陷的形狀和/或尺寸不同。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)涉及一種缺陷標(biāo)準(zhǔn)片。所述缺陷標(biāo)準(zhǔn)片包括半導(dǎo)體基底以及保護(hù)層，所述半導(dǎo)體基底包括切割通道以及被所述切割通道限定的多個芯粒區(qū)，其中，至少一個所述芯粒區(qū)相較于另一些所述芯粒區(qū)具有圖案缺陷，所述保護(hù)層保形覆蓋所述半導(dǎo)體基底表面。所述缺陷標(biāo)準(zhǔn)片可以利用常規(guī)制作集成電路的光罩以及集成電路工藝制作，制作成本低，而且所述缺陷標(biāo)準(zhǔn)片表面具有保護(hù)層，在保護(hù)半導(dǎo)體基底的同時，方便清洗以及重制，經(jīng)濟(jì)易用性好，使用成本低，在能夠延長所述缺陷標(biāo)準(zhǔn)片的壽命的同時，便于提高使用次數(shù)，以便于及時監(jiān)控缺陷掃描機(jī)臺的穩(wěn)定性以及精度。

技術(shù)研發(fā)人員：胡開亮,李豐陽
受保護(hù)的技術(shù)使用者：榮芯半導(dǎo)體（淮安）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20231206
技術(shù)公布日：2024/9/17