本申請屬于光伏電池領(lǐng)域，具體涉及一種異質(zhì)結(jié)電池及太陽能電池組件。

背景技術(shù)：

1、異質(zhì)結(jié)電池是一種高度對稱的單晶硅太陽電池結(jié)構(gòu)，以n型硅片為襯底，經(jīng)過清洗制絨處理后，在兩側(cè)分別沉積起鈍化作用的本征非晶硅膜層，再從兩側(cè)分別沉積p型非晶硅膜層和n型非晶硅膜層，接著再沉積透明導電氧化物薄膜層(tco膜層)，最后在tco膜層上進行絲網(wǎng)印刷銀電極。

2、透明導電氧化物tco(transparent?conductive?oxide)薄膜同時具有導電性和透光性。在異質(zhì)結(jié)電池中，tco膜層需要將盡可能多的光射入非晶硅膜層，并收集非晶硅膜層的電流。

3、由于非晶硅薄膜的高溫不穩(wěn)定，因此一般是采用低溫銀漿在tco膜的表面，低溫下(250℃)完成絲網(wǎng)印刷銀電極。銀電極只有一個面與tco膜接觸，接觸面積有限，粘結(jié)性能差，銀電極與tco膜容易產(chǎn)生接觸不良，導致異質(zhì)結(jié)電池的導電性能不佳；同時，為了降低銀電極與tco膜之間的接觸電阻，銀電極的印刷寬度較寬，需要使用較多的價格昂貴的低溫銀漿，導致異質(zhì)結(jié)電池的生產(chǎn)成本較高。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本申請的目的是提供一種異質(zhì)結(jié)電池及太陽能電池組件，用于解決異質(zhì)結(jié)電池的電極與tco膜接觸面積小的問題，達到電極與tco膜接觸可靠、降低電極與tco膜的接觸電阻、增強異質(zhì)結(jié)電池的導電性能、降低異質(zhì)結(jié)電池的生產(chǎn)成本的效果。

2、為了實現(xiàn)上述目的，本申請?zhí)峁┮环N異質(zhì)結(jié)電池，包括：

3、晶硅襯底，表面設(shè)有凹槽；

4、第一tco膜層，覆蓋所述凹槽的表面；

5、電極，一端嵌入所述凹槽并與所述第一tco膜層電連接。

6、在一些實施例中，所述晶硅襯底設(shè)有第一表面和第二表面，所述第一表面或所述第二表面至少一個表面設(shè)有所述凹槽；所述第一表面依次疊加有本征非晶硅膜層、n型非晶硅膜層和所述第一tco膜層；所述第二表面依次疊加有本征非晶硅膜層、p型非晶硅膜層和所述第一tco膜層。

7、在一些實施例中，所述電極遠離所述晶硅襯底的一端向所述凹槽的兩側(cè)延伸。

8、在一些實施例中，所述電極向所述凹槽的兩側(cè)分別延伸10-15μm。

9、在一些實施例中，所述凹槽的寬度為5-15μm，深度為5-15μm。

10、在一些實施例中，所述電極為沿所述凹槽設(shè)置的金屬柵線。

11、在一些實施例中，所述晶硅襯底受光的第一tco膜層上還疊加有第二tco膜層；所述第二tco膜層與所述電極的側(cè)面相抵接；所述第一tco膜層的電導率大于所述第二tco膜層，所述第二tco膜層的光透過率大于所述第一tco膜層。

12、在一些實施例中，所述第一tco膜層的厚度為30-40nm；所述第二tco膜層的厚度為50-70nm。

13、在一些實施例中，所述第一tco膜層的電導率≥104s/cm，或所述第二tco膜層的光透過率≥93％。

14、在一些實施例中，所述第二tco膜層上還疊加有減反射膜層，所述減反射膜層與所述電極的側(cè)面相抵接。

15、在一些實施例中，所述電極的另一端穿過所述第二tco膜層和所述減反射膜層，向遠離所述晶硅襯底的方向伸出。

16、在一些實施例中，所述晶硅襯底背光的第一tco膜層上還疊加有第三tco膜層；所述第三tco膜層與所述電極的側(cè)面相抵接；所述第三tco膜層的電導率不小于所述第一tco膜層。

17、此外，本申請還提供一種太陽能電池組件，采用上述的異質(zhì)結(jié)電池。

18、與現(xiàn)有技術(shù)相比，本申請的有益效果為：

19、本申請通過將電極嵌入晶硅襯底上預(yù)設(shè)的凹槽內(nèi)，增大電極與第一tco膜層的接觸面積，進而解決異質(zhì)結(jié)電池的電極與tco膜接觸面積小的問題，達到電極與tco膜接觸可靠、降低電極與tco膜的接觸電阻、增強異質(zhì)結(jié)電池的導電性能、降低異質(zhì)結(jié)電池的生產(chǎn)成本的效果。

20、本申請實施方式的其它特征和優(yōu)點將在隨后的具體實施方式部分予以詳細說明。

技術(shù)特征：

1.一種異質(zhì)結(jié)電池，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種異質(zhì)結(jié)電池，其特征在于，所述晶硅襯底(1)設(shè)有第一表面和第二表面，所述第一表面或所述第二表面至少一個表面設(shè)有所述凹槽(11)；所述第一表面依次疊加有本征非晶硅膜層(2)、n型非晶硅膜層(3)和所述第一tco膜層(5)；所述第二表面依次疊加有本征非晶硅膜層(2)、p型非晶硅膜層(4)和所述第一tco膜層(5)。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種異質(zhì)結(jié)電池，其特征在于，所述電極(9)遠離所述晶硅襯底(1)的一端向所述凹槽的兩側(cè)延伸。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種異質(zhì)結(jié)電池，其特征在于，所述電極(9)向所述凹槽(11)的兩側(cè)分別延伸10-15μm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種異質(zhì)結(jié)電池，其特征在于，所述凹槽(11)的寬度為5-15μm，深度為5-15μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種異質(zhì)結(jié)電池，其特征在于，所述電極(9)為沿所述凹槽(11)設(shè)置的金屬柵線。

7.根據(jù)權(quán)利要求2至4任一項所述的一種異質(zhì)結(jié)電池，其特征在于，所述晶硅襯底(1)受光的第一tco膜層(5)上還疊加有第二tco膜層(6)；所述第二tco膜層(6)與所述電極(9)的側(cè)面相抵接；所述第一tco膜層(5)的電導率大于所述第二tco膜層(6)，所述第二tco膜層(6)的光透過率大于所述第一tco膜層(5)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種異質(zhì)結(jié)電池，其特征在于，所述第一tco膜層(5)的厚度為30-40nm；所述第二tco膜層(6)的厚度為50-70nm。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種異質(zhì)結(jié)電池，其特征在于，所述第一tco膜層(5)的電導率≥104s/cm，或所述第二tco膜層(6)的光透過率≥93％。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種異質(zhì)結(jié)電池，其特征在于，所述第二tco膜層(6)上還疊加有減反射膜層(8)，所述減反射膜層(8)與所述電極(9)的側(cè)面相抵接。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的一種異質(zhì)結(jié)電池，其特征在于，所述電極(9)的另一端穿過所述第二tco膜層(6)和所述減反射膜層(8)，向遠離所述晶硅襯底(1)的方向伸出。

12.根據(jù)權(quán)利要求2至4任一項所述的一種異質(zhì)結(jié)電池，其特征在于，所述晶硅襯底(1)背光的第一tco膜層(5)上還疊加有第三tco膜層(7)；所述第三tco膜層(7)與所述電極(9)的側(cè)面相抵接；所述第三tco膜層(7)的電導率不小于所述第一tco膜層(5)。

13.一種太陽能電池組件，其特征在于，包括如權(quán)利要求1至12任一項所述的一種異質(zhì)結(jié)電池。

技術(shù)總結(jié)
本申請涉及光伏電池領(lǐng)域，公開了一種異質(zhì)結(jié)電池及太陽能電池組件。該異質(zhì)結(jié)電池包括：晶硅襯底，表面設(shè)有凹槽；第一TCO膜層，覆蓋所述凹槽的表面；電極，一端嵌入所述凹槽并與所述第一TCO膜層電連接。本申請通過將電極嵌入晶硅襯底上預(yù)設(shè)的凹槽內(nèi)，增大電極與第一TCO膜層的接觸面積，進而解決異質(zhì)結(jié)電池的電極與TCO膜接觸面積小的問題，達到電極與TCO膜接觸可靠、降低電極與TCO膜的接觸電阻、增強異質(zhì)結(jié)電池的導電性能、降低異質(zhì)結(jié)電池的生產(chǎn)成本的效果。

技術(shù)研發(fā)人員：覃林剛,譚煒文,曹軒,向昱任
受保護的技術(shù)使用者：比亞迪股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20231225
技術(shù)公布日：2024/12/12