本技術(shù)涉及傳感器，特別涉及一種傳感器封裝結(jié)構(gòu)及電子設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、近年來(lái)，對(duì)于智能手機(jī)及可穿戴設(shè)備的測(cè)溫需求不斷提升。為實(shí)現(xiàn)測(cè)溫功能，需要在上述設(shè)備中集成溫度傳感器。由于智能手機(jī)及可穿戴設(shè)備均具有小型化、輕薄化的特點(diǎn)，故對(duì)于溫度傳感器的小型化要求也較高。接觸式溫度傳感器的尺寸較小，但體溫檢測(cè)時(shí)需要佩戴較長(zhǎng)時(shí)間，體驗(yàn)感一般。

2、基于紅外熱電堆測(cè)溫原理的紅外溫度傳感器為非接觸式測(cè)溫，能夠在極短時(shí)間內(nèi)完成體溫檢測(cè)。但是，現(xiàn)有的紅外溫度傳感器主要采用mems/asic堆疊打線方式實(shí)現(xiàn)封裝。受到封裝規(guī)則、打線規(guī)則的限制，導(dǎo)致紅外溫度傳感器的整體尺寸偏大，難以適用于小型化的應(yīng)用場(chǎng)景。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、基于此，有必要針對(duì)上述問(wèn)題，提供一種傳感器封裝結(jié)構(gòu)及電子設(shè)備。

2、一種傳感器封裝結(jié)構(gòu)，包括介質(zhì)層、第一注塑層、集成電路芯片、紅外傳感元件、封裝件及濾光層；

3、所述集成電路芯片設(shè)置于所述介質(zhì)層的表面并由所述第一注塑層包覆，所述介質(zhì)層的預(yù)設(shè)位置設(shè)置有沿厚度方向貫穿所述介質(zhì)層的金屬柱，所述金屬柱與所述集成電路芯片的焊墊通過(guò)形成于所述第一注塑層表面的第一重布線層電連接；所述介質(zhì)層背向所述集成電路芯片的一側(cè)形成有與所述金屬柱電連接的第二重布線層；

4、所述紅外傳感元件設(shè)置于所述集成電路芯片上方并由所述封裝件部分包覆，所述封裝件暴露出所述紅外傳感元件的接收區(qū)域，所述紅外傳感元件的焊墊通過(guò)引線與所述第一重布線層電連接，所述濾光層覆設(shè)于所述紅外傳感元件背向所述集成電路芯片的一側(cè)。

5、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述介質(zhì)層為聚酰亞胺層或含氟氧化硅層。

6、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述金屬柱為金柱、銅柱及鋁柱中的任一種。

7、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述濾光層為透鏡或?yàn)V光貼片。

8、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述傳感器封裝結(jié)構(gòu)還包括覆設(shè)于所述第一注塑層的第一保護(hù)層，所述第一重布線層嵌設(shè)于所述第一保護(hù)層內(nèi)。

9、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述傳感器封裝結(jié)構(gòu)還包括鈍化層，所述鈍化層覆設(shè)于所述第一保護(hù)層的表面并覆蓋所述第一重布線層，所述鈍化層形成有暴露出所述第一重布線層的連接孔，所述引線穿過(guò)所述連接孔電連接所述紅外傳感元件的焊墊與所述第一重布線層。

10、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述介質(zhì)層背向所述集成電路芯片的表面形成有第二保護(hù)層，所述第二重布線層嵌設(shè)于所述第二保護(hù)層內(nèi)。

11、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述封裝件設(shè)置為罩設(shè)于所述紅外傳感元件外的封裝殼體，所述濾光層設(shè)置于所述封裝殼體上。

12、在其中一個(gè)實(shí)施例中，所述封裝件設(shè)置為部分包覆所述紅外傳感元件的第二注塑層，所述濾光層粘貼于所述第二注塑層的表面。

13、一種電子設(shè)備，包括如上述優(yōu)選實(shí)施例中任一項(xiàng)所述的傳感器封裝結(jié)構(gòu)。

14、上述電子設(shè)備及傳感器封裝結(jié)構(gòu)，集成電路芯片與紅外傳感元件通過(guò)第一重布線層及引線實(shí)現(xiàn)電連接，而集成電路芯片則通過(guò)第一重布線層及金屬柱與第二重布線層電連接。因此，相較于傳統(tǒng)封裝結(jié)構(gòu)能夠減少引線的數(shù)量，從而能夠降低傳感器封裝結(jié)構(gòu)厚度方向的尺寸。進(jìn)一步的，通過(guò)介質(zhì)層與第二重布線層的組合作為整個(gè)封裝結(jié)構(gòu)的襯底，相較于傳統(tǒng)pcb板作為襯底的封裝結(jié)構(gòu)，介質(zhì)層及第二重布線層的厚度均較小。因此，上述傳感器封裝方法能夠顯著減小封裝的尺寸，從而實(shí)現(xiàn)小型化。

技術(shù)特征：

1.一種傳感器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，包括介質(zhì)層、第一注塑層、集成電路芯片、紅外傳感元件、封裝件及濾光層；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述介質(zhì)層為聚酰亞胺層或含氟氧化硅層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述金屬柱為金柱、銅柱及鋁柱中的任一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述濾光層為透鏡或?yàn)V光貼片。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述傳感器封裝結(jié)構(gòu)還包括覆設(shè)于所述第一注塑層的第一保護(hù)層，所述第一重布線層嵌設(shè)于所述第一保護(hù)層內(nèi)。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的傳感器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述傳感器封裝結(jié)構(gòu)還包括鈍化層，所述鈍化層覆設(shè)于所述第一保護(hù)層的表面并覆蓋所述第一重布線層，所述鈍化層形成有暴露出所述第一重布線層的連接孔，所述引線穿過(guò)所述連接孔電連接所述紅外傳感元件的焊墊與所述第一重布線層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述介質(zhì)層背向所述集成電路芯片的表面形成有第二保護(hù)層，所述第二重布線層嵌設(shè)于所述第二保護(hù)層內(nèi)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述封裝件設(shè)置為罩設(shè)于所述紅外傳感元件外的封裝殼體，所述濾光層設(shè)置于所述封裝殼體上。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的傳感器封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述封裝件設(shè)置為部分包覆所述紅外傳感元件的第二注塑層，所述濾光層粘貼于所述第二注塑層的表面。

10.一種電子設(shè)備，其特征在于，包括如上述權(quán)利要求1至9任一項(xiàng)所述的傳感器封裝結(jié)構(gòu)。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)涉及一種傳感器封裝結(jié)構(gòu)及電子設(shè)備，集成電路芯片與紅外傳感元件通過(guò)第一重布線層及引線實(shí)現(xiàn)電連接，而集成電路芯片則通過(guò)第一重布線層及金屬柱與第二重布線層電連接。因此，相較于傳統(tǒng)封裝結(jié)構(gòu)能夠減少打線的步驟，從而能夠降低傳感器封裝結(jié)構(gòu)厚度方向的尺寸。進(jìn)一步的，通過(guò)介質(zhì)層與第二重布線層的組合作為整個(gè)傳感器封裝結(jié)構(gòu)的襯底，相較于傳統(tǒng)PCB板作為襯底的封裝結(jié)構(gòu)，介質(zhì)層及第二重布線層的厚度均較小。因此，上述傳感器封裝結(jié)構(gòu)的尺寸較小，能夠?qū)崿F(xiàn)小型化。

技術(shù)研發(fā)人員：顏培力,張永平,羅英哲
受保護(hù)的技術(shù)使用者：上海矽?？萍脊煞萦邢薰?br/>技術(shù)研發(fā)日：20231226
技術(shù)公布日：2024/9/19