本技術(shù)涉及一種晶片運(yùn)輸裝置。

背景技術(shù)：

1、磷化銦襯底在制造高頻高功率器件、光纖通信、無(wú)線傳輸、射電天文學(xué)等射頻器件領(lǐng)域存在應(yīng)用市場(chǎng)。使用磷化銦襯底制造的射頻器件已在衛(wèi)星、雷達(dá)等應(yīng)用場(chǎng)景中表現(xiàn)出優(yōu)異的性能。在雷達(dá)和通信系統(tǒng)的射頻前端、模擬/混合信號(hào)寬帶寬電路方面具有較強(qiáng)競(jìng)爭(zhēng)力，適合高速數(shù)據(jù)處理、高精度寬帶寬a/d轉(zhuǎn)換等應(yīng)用。此外，磷化銦基射頻器件相關(guān)器件如低噪聲放大器、模塊和接收機(jī)等器件還被廣泛應(yīng)用于衛(wèi)星通信、毫米波雷達(dá)、有源和無(wú)源毫米波成像等設(shè)備中。在100ghz以上的帶寬水平，使用磷化銦基射頻器件在回程網(wǎng)絡(luò)和點(diǎn)對(duì)點(diǎn)通信網(wǎng)絡(luò)的無(wú)線傳輸方面具有明顯優(yōu)勢(shì)，未來(lái)在6g通信甚至7g通信無(wú)線傳輸網(wǎng)絡(luò)中，磷化銦襯底將有望成為射頻器件的主流襯底材料。

2、現(xiàn)磷化銦上下料和傳遞均采用人工操作，員工先核對(duì)晶片信息開(kāi)啟檢查設(shè)備，完成準(zhǔn)備后將選擇程序，檢查各步驟時(shí)間、轉(zhuǎn)速及壓力，將磷化銦晶片傳遞對(duì)應(yīng)的工序上，員工雙手端著裝有磷化銦晶片的卡塞進(jìn)行傳遞，該操作工作效率低，對(duì)晶片的磨損較大。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本實(shí)用新型的目的是：提供一種能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)晶片自動(dòng)化搬運(yùn)的晶片運(yùn)輸裝置。

2、為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供了一種晶片運(yùn)輸裝置，其包括：底座、驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)、座體、第一連接桿、第二連接桿、設(shè)置在所述底座上的第一安裝板、設(shè)置在所述第一安裝板上的第二安裝板；所述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)包括：氣缸、電機(jī)、絲杠以及滑動(dòng)架；

3、所述第一安裝板和所述第二安裝板之間形成有安裝腔；所述電機(jī)設(shè)置在所述安裝腔；所述電機(jī)的輸出軸與所述絲杠同軸連接；所述滑動(dòng)架與所述絲杠螺紋連接；所述氣缸與所述滑動(dòng)架連接；所述座體與所述氣缸的輸出軸連接；所述第一連接桿和所述第二連接桿分別與所述座體連接；所述第一連接桿上設(shè)置有用于吸附晶片的第一真空吸盤(pán)；所述第二連接桿上設(shè)置有用于吸附晶片的第二真空吸盤(pán)；

4、其中，所述氣缸輸出軸沿第一方向延伸，所述絲杠沿第二方向延伸；所述第一方向與所述第二方向相交。

5、可選的，所述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)、所述座體、所述第一連接桿以及所述第二連接桿的數(shù)量為多個(gè)且一一對(duì)應(yīng)設(shè)置。

6、可選的，多個(gè)所述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)、所述座體、所述第一連接桿以及所述第二連接桿分別設(shè)置在所述安裝腔相背的兩側(cè)上。

7、可選的，所述第一連接桿和所述第二連接桿分別沿所述第一方向延伸。

8、可選的，所述第一連接桿和所述第二連接桿呈長(zhǎng)方體狀；所述第一連接桿具有豎直朝上的第一支撐面，所述第一支撐面設(shè)置有第一凹陷部，所述第一真空吸盤(pán)設(shè)置在所述第一凹陷部；所述第二連接桿具有豎直朝上的第二支撐面，所述第二支撐面設(shè)置有第二凹陷部，所述第二真空吸盤(pán)設(shè)置在所述第二凹陷部。

9、可選的，還包括：第一光電傳感器和第二光電傳感器；所述第一光電傳感器設(shè)置在所述第一連接桿上；所述第二光電傳感器設(shè)置在所述第二連接桿上。

10、可選的，所述第一連接桿上設(shè)置有第一墊體；所述第二連接桿上設(shè)置有第二墊體。

11、可選的，所述第一墊體上開(kāi)設(shè)有與所述第一凹陷部相對(duì)應(yīng)的第一通孔，所述第二墊體上開(kāi)設(shè)有與所述第二凹陷部相對(duì)應(yīng)的第二通孔。

12、可選的，所述第一墊體為第一全氟橡膠墊；所述第二墊體為第二全氟橡膠。

13、本實(shí)用新型實(shí)施例一種晶片運(yùn)輸裝置與現(xiàn)有技術(shù)相比，其有益效果在于：

14、本申請(qǐng)能夠通過(guò)電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)以使絲杠帶動(dòng)滑動(dòng)座沿第二方向進(jìn)行移動(dòng)，而氣缸則能夠帶動(dòng)座體沿第一方向進(jìn)行移動(dòng)，進(jìn)而帶動(dòng)座體上的第一連接桿和第二連接桿沿第一方向和第二方向進(jìn)行移動(dòng)，以使本申請(qǐng)的晶片運(yùn)輸裝置能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)晶片的搬運(yùn)，相較以往的人工搬運(yùn)方式，本申請(qǐng)的搬運(yùn)方式效率更高。其次，本申請(qǐng)采用第一連接桿和第二連接桿的方式支撐晶片，一方面能夠提高對(duì)晶片的支撐力，另一方面能夠利用兩條直線確定一個(gè)平面的原則使得晶片能夠穩(wěn)固的支撐在第一連接桿和第二連接桿上，防止晶片的掉落。再者，在第一連接桿上設(shè)置第一真空吸盤(pán)和在第二連接桿上設(shè)置第二真空吸盤(pán)能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)晶片的吸附，以進(jìn)一步地提高第一連接桿和第二連接桿在移動(dòng)過(guò)程中晶片的穩(wěn)定性。

技術(shù)特征：

1.一種晶片運(yùn)輸裝置，其特征在于，包括：底座、驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)、座體、第一連接桿、第二連接桿、設(shè)置在所述底座上的第一安裝板、設(shè)置在所述第一安裝板上的第二安裝板；所述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)包括：氣缸、電機(jī)、絲杠以及滑動(dòng)架；

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片運(yùn)輸裝置，其特征在于，所述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)、所述座體、所述第一連接桿以及所述第二連接桿的數(shù)量為多個(gè)且一一對(duì)應(yīng)設(shè)置。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶片運(yùn)輸裝置，其特征在于，多個(gè)所述驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)、所述座體、所述第一連接桿以及所述第二連接桿分別設(shè)置在所述安裝腔相背的兩側(cè)上。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片運(yùn)輸裝置，其特征在于，所述第一連接桿和所述第二連接桿分別沿所述第一方向延伸。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片運(yùn)輸裝置，其特征在于，所述第一連接桿和所述第二連接桿呈長(zhǎng)方體狀；所述第一連接桿具有豎直朝上的第一支撐面，所述第一支撐面設(shè)置有第一凹陷部，所述第一真空吸盤(pán)設(shè)置在所述第一凹陷部；所述第二連接桿具有豎直朝上的第二支撐面，所述第二支撐面設(shè)置有第二凹陷部，所述第二真空吸盤(pán)設(shè)置在所述第二凹陷部。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶片運(yùn)輸裝置，其特征在于，還包括：第一光電傳感器和第二光電傳感器；所述第一光電傳感器設(shè)置在所述第一連接桿上；所述第二光電傳感器設(shè)置在所述第二連接桿上。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的晶片運(yùn)輸裝置，其特征在于，所述第一連接桿上設(shè)置有第一墊體；所述第二連接桿上設(shè)置有第二墊體。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的晶片運(yùn)輸裝置，其特征在于，所述第一墊體上開(kāi)設(shè)有與所述第一凹陷部相對(duì)應(yīng)的第一通孔，所述第二墊體上開(kāi)設(shè)有與所述第二凹陷部相對(duì)應(yīng)的第二通孔。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶片運(yùn)輸裝置，其特征在于，所述第一墊體為第一全氟橡膠墊；所述第二墊體為第二全氟橡膠。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)涉及一種晶片運(yùn)輸裝置，其包括：底座、驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)、座體、第一連接桿、第二連接桿、設(shè)置在所述底座上的第一安裝板、設(shè)置在所述第一安裝板上的第二安裝板；本申請(qǐng)能夠通過(guò)電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)以使絲杠帶動(dòng)滑動(dòng)座沿第二方向進(jìn)行移動(dòng)，而氣缸則能夠帶動(dòng)座體沿第一方向進(jìn)行移動(dòng)，進(jìn)而帶動(dòng)座體上的第一連接桿和第二連接桿沿第一方向和第二方向進(jìn)行移動(dòng)，以使本申請(qǐng)的晶片運(yùn)輸裝置能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)晶片的搬運(yùn)，相較以往的人工搬運(yùn)方式，本申請(qǐng)的搬運(yùn)方式效率更高。

技術(shù)研發(fā)人員：鄭金龍,唐勇,黃藝毅,周鐵軍,馬金峰
受保護(hù)的技術(shù)使用者：廣東先導(dǎo)微電子科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20231228
技術(shù)公布日：2024/12/19