本技術(shù)涉及電子器件，特別是一種減少發(fā)熱量的單條柵單元。

背景技術(shù)：

1、高電子遷移率單條柵單元特別是gan材料制程的高電子遷移率單條柵單元，禁帶寬度寬，擊穿場強(qiáng)高，熱傳導(dǎo)率高和飽和漂移速度高等特點(diǎn)，越來越多的被運(yùn)用在衛(wèi)星通信、雷達(dá)及導(dǎo)彈等民用和軍用領(lǐng)域。在實(shí)際使用特別是大功率應(yīng)用場景中，器件的自熱效應(yīng)帶來的晶格溫度的上升，會(huì)引起單條柵單元內(nèi)部的溝道電子遷移率的急劇下降，導(dǎo)致單條柵單元的性能衰退。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)的目的在于針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本申請(qǐng)通過將位于柵極下方溝道區(qū)域的部分區(qū)域進(jìn)行改造實(shí)現(xiàn)，構(gòu)建惰性區(qū)域，該惰性區(qū)域始終處于高阻狀態(tài)，在所述高阻狀態(tài)下，源極電子無法經(jīng)過所述惰性區(qū)域到達(dá)漏極(無論柵極電壓如何，該惰性區(qū)域始終處于高阻狀態(tài)，沒有電子移動(dòng))。

2、一種單條柵單元，包括襯底和設(shè)置在襯底上的柵極、源極和漏極，所述襯底具有位于所述柵極下方的溝道區(qū)域，所述溝道區(qū)域中具有阻斷電子流通的惰性區(qū)域，惰性區(qū)域的寬度小于柵極寬度。

3、進(jìn)一步地，所述溝道區(qū)域中具有第一鏤空區(qū)域，所述第一鏤空區(qū)域?yàn)槎栊詤^(qū)域。

4、進(jìn)一步地，所述溝道區(qū)域中具有填充高介電常數(shù)的第一填充區(qū)域，所述第一填充區(qū)域?yàn)槎栊詤^(qū)域。

5、進(jìn)一步地，所述溝道區(qū)域中具有襯底晶格被破壞的注入?yún)^(qū)，所述注入?yún)^(qū)為惰性區(qū)域。

6、進(jìn)一步地，所述惰性位于所述柵極寬度方向的中間位置。

7、本實(shí)用新型的有益效果在于：

8、柵極下方的溝道區(qū)域中，由于惰性區(qū)域的設(shè)置，具有電荷移動(dòng)的導(dǎo)通區(qū)域面積減少，發(fā)熱量降低，有效解決器件的自熱效應(yīng)帶來的性能衰退的問題。

技術(shù)特征：

1.一種單條柵單元，包括襯底和設(shè)置在襯底上的柵極、源極和漏極，所述襯底具有位于所述柵極下方的溝道區(qū)域，其特征在于，所述溝道區(qū)域中具有阻斷電子流通的惰性區(qū)域，惰性區(qū)域的寬度小于柵極寬度；所述溝道區(qū)域中具有第一鏤空區(qū)域，所述第一鏤空區(qū)域?yàn)槎栊詤^(qū)域。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的單條柵單元，其特征在于，所述惰性位于所述柵極寬度方向的中間位置。

技術(shù)總結(jié)
本技術(shù)涉及一種單條柵單元，所述單柵條包括襯底和設(shè)置在襯底上的柵極、源極和漏極，所述襯底具有位于所述柵極下方的溝道區(qū)域，所述溝道區(qū)域中具有阻斷電子流通的惰性區(qū)域，惰性區(qū)域的寬度小于柵極寬度。柵極下方的溝道區(qū)域中，由于惰性區(qū)域的設(shè)置，具有電荷移動(dòng)的導(dǎo)通區(qū)域面積減少，發(fā)熱量降低，有效解決器件的自熱效應(yīng)帶來的性能衰退的問題。

技術(shù)研發(fā)人員：張占龍,宋賓,丁一
受保護(hù)的技術(shù)使用者：杭州致善微電子科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：20231231
技術(shù)公布日：2024/9/17