本發(fā)明關(guān)于連接構(gòu)造體及其制造方法。

背景技術(shù)：

1、一直以來，在制造ic芯片或led芯片等電子部件安裝于布線基板的半導(dǎo)體裝置或led裝置等連接構(gòu)造體的情況下，一般連續(xù)地進行如下這種一系列操作：在ic芯片或led芯片等電子部件的電極和應(yīng)當(dāng)接合于該電極的布線基板的對置的電極的任一個臨時粘貼含有導(dǎo)電粒子的各向異性導(dǎo)電膜或?qū)щ娔?，接下來進行應(yīng)當(dāng)連接的許多相互對置的電極的對準(zhǔn)，進一步進行熱壓接處理。對于適用于這樣的連接構(gòu)造體的制造的各向異性導(dǎo)電膜或?qū)щ娔ぃ瑸榱藢?yīng)于高密度安裝(例如，電極(凸塊)間間隔被設(shè)計成約10μm左右的電子部件向布線基板的安裝)，例如進行使用平均粒徑約3至10μm的導(dǎo)電粒子的操作(專利文獻1)。

2、近年來，對于各向異性導(dǎo)電膜或?qū)щ娔?，要求能夠?qū)?yīng)于更高水平的高密度安裝，因此，作為應(yīng)當(dāng)在各向異性導(dǎo)電膜或?qū)щ娔ぶ惺褂玫膶?dǎo)電粒子，嘗試使用平均粒徑不到3μm的導(dǎo)電粒子，期待將適用于高密度安裝的電子部件的電極的電極寬度或電極間間隔寬度縮小至比現(xiàn)有更窄。

3、在先技術(shù)文獻

4、專利文獻

5、專利文獻1：日本特開第2003-64324號公報

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、發(fā)明要解決的課題

2、可是，在通過高密度安裝來制造連接構(gòu)造體的情況下，為了對許多相互對置的電極連續(xù)地進行對準(zhǔn)操作，無法避免會產(chǎn)生對準(zhǔn)偏差，存在連接構(gòu)造體的對置電極的鄰接對置電極間最短距離會由于對置電極的對準(zhǔn)偏差的大小而變動這一問題。例如，如圖4所示，在將對置電極的電極寬度(更窄的一方的電極寬度)設(shè)為l并將電極間間隔的寬度設(shè)為s的情況下，在對置電極的對準(zhǔn)上不存在偏差的情況下，鄰接對置電極間最短距離a0與電極間間隔寬度s一致，但如果在對置電極的對準(zhǔn)上產(chǎn)生偏差，則如圖5所示，鄰接的對置電極1a與2a之間的最短距離(鄰接對置電極間最短距離)a1比a0更短。

3、如果導(dǎo)電粒子的平均粒徑比較大而約為3至10μm，則即使在連接構(gòu)造體的對置電極的對準(zhǔn)上產(chǎn)生偏差的情況下，也能夠預(yù)先使電極間間隔寬度比較寬，因而雖然鄰接對置電極間最短距離稍微變短，但能夠?qū)⑧徑訉χ秒姌O間最短距離保持為比導(dǎo)電粒子的粒徑更大，即使假設(shè)在電極間間隔存在導(dǎo)電粒子，也不會使初始導(dǎo)通特性下降，而且不易增大生成短路的風(fēng)險。

4、然而，如果導(dǎo)電粒子的平均粒徑非常微細(xì)而為不到3μm，則不僅鄰接對置電極間最短距離縮小至比現(xiàn)有更窄，電極間間隔也會縮小至比現(xiàn)有更窄，而且，微細(xì)的導(dǎo)電粒子在連接時容易從對置電極間向電極間間隔移動，因而在產(chǎn)生與以往相同程度的對準(zhǔn)偏差的情況下，存在在第1電子部件1的電極1a的邊緣1ae與鄰接的第2電子部件2的電極2a的邊緣2ae之間生成短路的風(fēng)險提高這一問題。

5、本發(fā)明的目的是要解決以往的問題，提供一種連接構(gòu)造體，其關(guān)于經(jīng)由配置于ic芯片或led芯片等第1電子部件的電極與布線基板等第2電子部件的電極之間的導(dǎo)電粒子和絕緣性粘接劑來將該第1電子部件與第2電子部件連接的連接構(gòu)造體，即使在為了適用于高密度安裝而使用平均粒徑不到3μm的導(dǎo)電粒子作為導(dǎo)電粒子的情況下，也不會使初始導(dǎo)通特性下降，抑制生成短路的風(fēng)險。

6、用于解決課題的方案

7、本發(fā)明人等發(fā)現(xiàn)如下情況而完成本發(fā)明：通過將使用平均粒徑不到3μm的導(dǎo)電粒子的連接構(gòu)造體的俯視觀察下的對置電極的對準(zhǔn)偏差的偏差寬度設(shè)為導(dǎo)電粒子的平均粒徑的10.0倍以下，能夠達成本發(fā)明的目的。

8、即，本發(fā)明提供一種連接構(gòu)造體，其是將第1電子部件的電極和第2電子部件的電極以相互對置的方式對準(zhǔn)且經(jīng)由配置于所對準(zhǔn)的這些電極之間的導(dǎo)電粒子和絕緣性粘接劑來將該第1電子部件與第2電子部件連接的連接構(gòu)造體，

9、導(dǎo)電粒子的平均粒徑不到3μm，

10、在相互對置的電極存在對準(zhǔn)偏差，

11、連接構(gòu)造體中的對準(zhǔn)偏差的偏差寬度是導(dǎo)電粒子的平均粒徑的10.0倍以下。

12、另外，本發(fā)明提供一種連接構(gòu)造體的制造方法，其是該連接構(gòu)造體的制造方法，

13、在第1電子部件的電極與第2電子部件的電極之間，配置導(dǎo)電粒子和絕緣性粘接劑，從第1電子部件或第2電子部件的任一側(cè)對導(dǎo)電粒子和絕緣性粘接劑進行加熱加壓，由此將第1電子部件與第2電子部件連接。

14、發(fā)明效果

15、本發(fā)明的連接構(gòu)造體具有如下構(gòu)造：將第1電子部件的電極和第2電子部件的電極以相互對置的方式對準(zhǔn)，經(jīng)由配置于所對準(zhǔn)的這些電極之間的導(dǎo)電粒子和絕緣性粘接劑來將該第1電子部件與第2電子部件連接。在本發(fā)明的連接構(gòu)造體中，作為導(dǎo)電粒子，為了對應(yīng)于高密度安裝，使用平均粒徑不到3μm的導(dǎo)電粒子。因此，不僅對置電極間距離變窄，而且由于原本存在于相互對置的電極的對準(zhǔn)偏差，鄰接對置電極間最短距離也變小，會讓人擔(dān)憂短路的生成，但在本發(fā)明的連接構(gòu)造體中，以對準(zhǔn)偏差的偏差寬度成為導(dǎo)電粒子的平均粒徑的10.0倍以下的方式進行調(diào)整。其結(jié)果是，在本發(fā)明的連接構(gòu)造體中，雖然使用平均粒徑不到3μm的導(dǎo)電粒子作為導(dǎo)電粒子，但能夠抑制短路的生成。

技術(shù)特征：

1.一種連接構(gòu)造體，其是將第1電子部件的電極和第2電子部件的電極以相互對置的方式對準(zhǔn)且經(jīng)由配置于所對準(zhǔn)的這些電極之間的導(dǎo)電粒子和絕緣性粘接劑來將該第1電子部件與第2電子部件連接的連接構(gòu)造體，其中，

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的連接構(gòu)造體，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的連接構(gòu)造體，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項所述的連接構(gòu)造體，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中的任一項所述的連接構(gòu)造體，其中，

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的連接構(gòu)造體，其中，

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中的任一項所述的連接構(gòu)造體，其中，

8.根據(jù)權(quán)利要求1至7中的任一項所述的連接構(gòu)造體，其中，

9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中的任一項所述的連接構(gòu)造體，其中，

10.一種連接構(gòu)造體的制造方法，其是權(quán)利要求1所述的連接構(gòu)造體的制造方法，其中，

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的制造方法，其中，

技術(shù)總結(jié)
在將第1電子部件的電極和第2電子部件的電極以相互對置的方式對準(zhǔn)且經(jīng)由配置于所對準(zhǔn)的這些電極之間的導(dǎo)電粒子和絕緣性粘接劑來將該第1電子部件與第2電子部件連接的連接構(gòu)造體中，使用平均粒徑不到3μm的導(dǎo)電粒子作為導(dǎo)電粒子，在相互對置的電極存在對準(zhǔn)偏差，連接構(gòu)造體中的對準(zhǔn)的偏差寬度被調(diào)整成導(dǎo)電粒子的平均粒徑的10.0倍以下。

技術(shù)研發(fā)人員：渡邊伸榮,吉元隆介
受保護的技術(shù)使用者：迪睿合株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/11/11