本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體用黏合膜、切割晶粒接合(dicing/die-bonding)膜及制造半導(dǎo)體裝置的方法。

背景技術(shù)：

1、有時需要通過用于將半導(dǎo)體芯片黏合于被粘附體上的半導(dǎo)體用黏合膜，埋入與其他半導(dǎo)體芯片連接的導(dǎo)線(wire)(例如專利文獻(xiàn)1)。為了適當(dāng)?shù)芈袢雽?dǎo)線，要求這樣的導(dǎo)線埋入型的黏合膜在其熱固化過程中具有一定程度高的流動性。

2、以往技術(shù)文獻(xiàn)

3、專利文獻(xiàn)

4、專利文獻(xiàn)1：日本專利第6135202號公報

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、發(fā)明要解決的技術(shù)課題

2、然而，具有一定程度高的流動性的以往的黏合膜在熱固化過程中產(chǎn)生其厚度方向的變形，其結(jié)果，有時產(chǎn)生黏合膜局部變薄的部分。黏合膜局部變薄的部分例如可能成為半導(dǎo)體芯片中的裂紋的原因。

3、本發(fā)明的一方面涉及如下內(nèi)容：對于用于在埋入與其他半導(dǎo)體芯片連接的導(dǎo)線的同時將半導(dǎo)體芯片黏合于被粘附體上的熱固性的半導(dǎo)體用黏合膜，抑制伴隨熱固化的黏合膜的厚度方向的局部變形。

4、用于解決技術(shù)課題的手段

5、本發(fā)明的一方面涉及一種熱固性的半導(dǎo)體用黏合膜，其用于在埋入與其他半導(dǎo)體芯片連接的導(dǎo)線的同時將半導(dǎo)體芯片黏合于被粘附體上。該黏合膜在90～180℃的范圍內(nèi)顯示1.0以下的tanδ的最大值及10000pa·s以下的最低熔融粘度。所述tanδ的最大值及所述最低熔融粘度為通過在升溫速度5℃/分鐘及頻率1hz的條件下測定該黏合膜的動態(tài)粘彈性而求出的值。

6、本發(fā)明的另一方面涉及一種具備切割膜和設(shè)置于所述切割膜上的上述半導(dǎo)體用黏合膜的切割晶粒接合膜。

7、本發(fā)明的又一方面涉及一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，該方法包括如下步驟：在具有基板及搭載于該基板上的第一半導(dǎo)體芯片的結(jié)構(gòu)體上，將第二半導(dǎo)體芯片及黏合膜以所述黏合膜介在于所述結(jié)構(gòu)體與所述第二半導(dǎo)體芯片之間的方式配置；及使所述黏合膜熱固化，由此將所述第二半導(dǎo)體芯片黏合于所述結(jié)構(gòu)體上。所述黏合膜可以為上述半導(dǎo)體用黏合膜。導(dǎo)線與所述第一半導(dǎo)體芯片連接，所述導(dǎo)線的一部分或整體通過所述黏合膜被埋入。

8、本發(fā)明包括以下。

9、[1]

10、一種熱固性的半導(dǎo)體用黏合膜，其用于在埋入與其他半導(dǎo)體芯片連接的導(dǎo)線的同時將半導(dǎo)體芯片黏合于被粘附體上，

11、該黏合膜在90～180℃的范圍內(nèi)顯示1.0以下的tanδ的最大值及10000pa·s以下的最低熔融粘度，

12、所述tanδ的最大值及所述最低熔融粘度為通過在升溫速度5℃/分鐘及頻率1hz的條件下測定包含90～180℃的范圍的溫度范圍的該黏合膜的動態(tài)粘彈性而求出的值。

13、[2]

14、根據(jù)[1]所述的半導(dǎo)體用黏合膜，其中，

15、該黏合膜包含含有環(huán)氧樹脂的熱固性樹脂、固化劑及咪唑化合物。

16、[3]

17、根據(jù)[2]所述的半導(dǎo)體用黏合膜，其中，

18、相對于所述環(huán)氧樹脂的含量100質(zhì)量份，所述咪唑化合物的含量為0.30～5.0質(zhì)量份。

19、[4]

20、根據(jù)[1]至[3]中任一項所述的半導(dǎo)體用黏合膜，其中，

21、該黏合膜含有無機填料，以該黏合膜的質(zhì)量為基準(zhǔn)，所述無機填料的含量為35～50質(zhì)量％。

22、[5]

23、根據(jù)[1]至[4]中任一項所述的半導(dǎo)體用黏合膜，其中，

24、該黏合膜含有彈性體，以該黏合膜的質(zhì)量為基準(zhǔn)，所述彈性體的含量為15～30質(zhì)量％。

25、[6]

26、根據(jù)[5]所述的半導(dǎo)體用黏合膜，其中，

27、所述彈性體含有丙烯酸樹脂。

28、[7]

29、根據(jù)[1]至[6]中任一項所述的半導(dǎo)體用黏合膜，其中，

30、該黏合膜具有25～80μm的厚度。

31、[8]

32、根據(jù)[1]至[7]中任一項所述的半導(dǎo)體用黏合膜，其中，

33、該黏合膜在90～180℃的范圍內(nèi)顯示2500pa·s以上的所述最低熔融粘度。

34、[9]

35、根據(jù)[1]所述的半導(dǎo)體用黏合膜，其中，

36、該黏合膜在90～180℃的范圍內(nèi)顯示2500pa·s以上的所述最低熔融粘度，

37、該黏合膜含有無機填料及彈性體，

38、以該黏合膜的質(zhì)量為基準(zhǔn)，所述無機填料的含量為35～50質(zhì)量％，

39、以該黏合膜的質(zhì)量為基準(zhǔn)，所述彈性體的含量為15～30質(zhì)量％。

40、[10]

41、根據(jù)[9]所述的半導(dǎo)體用黏合膜，其中，

42、所述彈性體含有丙烯酸樹脂。

43、[11]

44、一種切割晶粒接合膜，其具備：

45、切割膜；及

46、設(shè)置于所述切割膜上的[1]至[10]中任一項所述的半導(dǎo)體用黏合膜。

47、[12]

48、一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，其包括如下步驟：

49、在具有基板及搭載于該基板上的第一半導(dǎo)體芯片的結(jié)構(gòu)體上，將第二半導(dǎo)體芯片及黏合膜以所述黏合膜介在于所述結(jié)構(gòu)體與所述第二半導(dǎo)體芯片之間的方式配置；及

50、使所述黏合膜熱固化，由此將所述第二半導(dǎo)體芯片黏合于所述結(jié)構(gòu)體上，

51、所述黏合膜為[1]至[10]中任一項所述的半導(dǎo)體用黏合膜，

52、導(dǎo)線與所述第一半導(dǎo)體芯片連接，

53、所述導(dǎo)線的一部分或整體通過所述黏合膜被埋入。

54、[13]

55、根據(jù)[12]所述的方法，其中，

56、所述結(jié)構(gòu)體還具有配置于所述基板上且所述第一半導(dǎo)體芯片的周圍的間隔件，

57、所述第二半導(dǎo)體芯片及所述黏合膜以所述黏合膜介在于所述間隔件與所述第二半導(dǎo)體芯片之間的方式配置于所述結(jié)構(gòu)體上。

58、[14]

59、根據(jù)[13]所述的方法，其中，

60、以所述黏合膜與所述第一半導(dǎo)體芯片接觸的方式，所述黏合膜被熱固化。

61、[15]

62、根據(jù)[12]至[14]中任一項所述的方法，其中，

63、該方法還包括形成密封層的步驟，該密封層密封所述第一半導(dǎo)體芯片及所述第二半導(dǎo)體芯片。

64、發(fā)明效果

65、對于用于在埋入與其他半導(dǎo)體芯片連接的導(dǎo)線的同時將半導(dǎo)體芯片黏合于被粘附體上的熱固性的半導(dǎo)體用黏合膜，能夠抑制伴隨熱固化的黏合膜的厚度方向的局部變形。

技術(shù)特征：

1.一種熱固性的半導(dǎo)體用黏合膜，其用于在埋入與其他半導(dǎo)體芯片連接的導(dǎo)線的同時將半導(dǎo)體芯片黏合于被粘附體上，

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體用黏合膜，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體用黏合膜，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體用黏合膜，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體用黏合膜，其中，

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體用黏合膜，其中，

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體用黏合膜，其中，

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體用黏合膜，其中，

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體用黏合膜，其中，

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體用黏合膜，其中，

11.一種切割晶粒接合膜，其具備：

12.一種制造半導(dǎo)體裝置的方法，其包括如下步驟：

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中，

15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中，

技術(shù)總結(jié)
一種半導(dǎo)體用黏合膜，其用于在埋入與其他半導(dǎo)體芯片連接的導(dǎo)線的同時將半導(dǎo)體芯片黏合于被粘附體上。在升溫速度5℃/分鐘、及頻率1Hz的條件下測定了黏合膜的90～180℃的范圍的動態(tài)粘彈性時，tanδ的最大值為1.0以下，最低熔融粘度為10000Pa·s以下。

技術(shù)研發(fā)人員：黑田孝博,丹羽孝明,谷口纮平,尾崎義信,大河原奎佑
受保護(hù)的技術(shù)使用者：株式會社力森諾科
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/10