本發(fā)明涉及透氣性塞及載置臺。

背景技術(shù)：

1、以往，在等離子體蝕刻裝置、等離子體cvd(chemical?vapor?deposition)裝置等的半導體制造裝置中，對用于抑制在產(chǎn)生等離子體時產(chǎn)生的放電的構(gòu)件進行了各種研究。例如，在專利文獻1中記載有靜電卡盤。該靜電卡盤作為透氣性塞具備多個第一多孔質(zhì)部，所述第一多孔質(zhì)部包含具有多個孔的多個稀疏部分及具有比稀疏部分更高的密度的緊密部分。

2、但是，專利文獻1所記載的以往的透氣性塞即使設(shè)置包含外周面的環(huán)狀的緊密部分，在軸向上貫通的孔、多孔質(zhì)的壁部所占的體積也相對變多。因此，無法充分提高機械強度。并且，若由等離子體產(chǎn)生的反應生成物侵入并殘留于壁部的氣孔內(nèi)，則難以去除該反應生成物。

3、現(xiàn)有技術(shù)文獻

4、專利文獻

5、專利文獻1：日本特開2019-165194號公報

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、用于解決課題的方案

2、本公開的透氣性塞包括具有圓柱狀或圓板狀且由致密質(zhì)陶瓷構(gòu)成的第一構(gòu)件。沿第一構(gòu)件的軸向貫通的多個第一貫通孔位于第一構(gòu)件的外周側(cè)區(qū)域。形成相鄰的第一貫通孔的內(nèi)壁面間的間隔的平均值大于第一貫通孔的直徑的平均值。

3、本公開的載置臺包括：靜電吸附構(gòu)件，其由具有吸附被處理基板的吸附面和位于吸附面的相反側(cè)的對置面的板狀的陶瓷構(gòu)成，且沿著厚度方向而具有第一流路；內(nèi)部電極，其位于靜電吸附構(gòu)件內(nèi)；基材，其支承靜電吸附構(gòu)件，且沿著厚度方向具有與第一流路連接的第二流路；以及裝配于第一流路的內(nèi)部的上述的透氣性塞。

技術(shù)特征：

1.一種透氣性塞，其中，

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的透氣性塞，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的透氣性塞，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項所述的透氣性塞，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的透氣性塞，其中，

6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項所述的透氣性塞，其中，

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的透氣性塞，其中，

8.根據(jù)權(quán)利要求1～7中任一項所述的透氣性塞，其中，

9.根據(jù)權(quán)利要求1～8中任一項所述的透氣性塞，其中，

10.根據(jù)權(quán)利要求1～8中任一項所述的透氣性塞，其中，

11.一種載置臺，其中，

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的載置臺，其中，

技術(shù)總結(jié)
本公開的透氣性塞包括具有圓柱狀或圓板狀且由致密質(zhì)陶瓷構(gòu)成的第一構(gòu)件。沿第一構(gòu)件的軸向貫通的多個第一貫通孔位于第一構(gòu)件的外周側(cè)區(qū)域。形成相鄰的第一貫通孔的內(nèi)壁面間的間隔的平均值大于第一貫通孔的直徑的平均值。

技術(shù)研發(fā)人員：浜島浩
受保護的技術(shù)使用者：京瓷株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/10