本發(fā)明涉及固體電解質(zhì)、蓄電元件和固體電解質(zhì)的制造方法。
背景技術(shù):
1、以鋰離子二次電池為代表的非水電解質(zhì)二次電池由于能量密度高,多用于個(gè)人計(jì)算機(jī)、通信終端等電子設(shè)備、汽車等。上述非水電解質(zhì)二次電池一般構(gòu)成為具有包括一對(duì)電極和隔離件的電極體、非水電解質(zhì)、以及收納這些電極體和非水電解質(zhì)的容器,通過在兩電極間進(jìn)行電荷輸送離子的授受而充放電。另外,作為非水電解質(zhì)二次電池以外的非水電解質(zhì)蓄電元件,鋰離子電容器、雙電層電容器等電容器也廣泛得到了普及。
2、近年來,提出了使用硫化物固體電解質(zhì)等固體電解質(zhì)來代替在有機(jī)溶劑等液體中溶解電解質(zhì)鹽而得的非水電解液作為非水電解質(zhì)的蓄電元件。專利文獻(xiàn)1中記載了含有l(wèi)i、p、s、n和元素x(x為選自cl、br、i中的至少一種元素)作為構(gòu)成元素且具有晶體結(jié)構(gòu)的硫化物固體電解質(zhì)。
3、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
4、專利文獻(xiàn)
5、專利文獻(xiàn)1:國際公開第2020/045634號(hào)
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、已知含有l(wèi)i、p、s、n和上述元素x作為構(gòu)成元素的硫化物固體電解質(zhì)生成在使用cukα射線的x射線衍射圖中在2θ=19.9°和29.3°具有衍射峰的離子傳導(dǎo)度高的晶相。但是,如果為了提高該晶相的結(jié)晶性而提高熱處理溫度,則有生產(chǎn)率降低的風(fēng)險(xiǎn)。
2、本發(fā)明是基于上述情況而完成的,其目的在于提供能夠提高生產(chǎn)率的固體電解質(zhì)和蓄電元件。
3、本發(fā)明的一個(gè)方面的固體電解質(zhì)是含有鋰、磷、硫、鋁、氮、溴和碘作為構(gòu)成元素且具有晶體結(jié)構(gòu)的固體電解質(zhì),將上述鋰相對(duì)于上述磷的摩爾比設(shè)為r1,將上述溴和上述碘的總和相對(duì)于上述磷的摩爾比設(shè)為r2,將上述溴和上述碘的總和相對(duì)于上述氮的摩爾比設(shè)為r3時(shí),滿足下述條件(a)、(b)或(c)。
4、(a)3.00≤r1-r2≤3.60且1.5≤r3≤100
5、(b)2.80≤r1-r2<3.00且2.0≤r3≤100
6、(c)2.60≤r1-r2<2.80且2.5≤r3≤100
7、本發(fā)明的另一個(gè)方面的蓄電元件包含該固體電解質(zhì)。
8、本發(fā)明的另一個(gè)方面的固體電解質(zhì)的制造方法具備如下工序:準(zhǔn)備含有鋰、磷、硫、鋁、氮、溴和碘作為構(gòu)成元素的組合物;以及,處理上述組合物;將上述鋰相對(duì)于上述磷的摩爾比設(shè)為r1,將上述溴和上述碘的總和相對(duì)于上述磷的摩爾比設(shè)為r2,將上述溴和上述碘的總和相對(duì)于上述氮的摩爾比設(shè)為r3時(shí),滿足下述條件(a)、(b)或(c)。
9、(a)3.00≤r1-r2≤3.60且1.5≤r3≤100
10、(b)2.80≤r1-r2<3.00且2.0≤r3≤100
11、(c)2.60≤r1-r2<2.80且2.5≤r3≤100
12、根據(jù)本發(fā)明的任一方面,可以提供一種能夠提高生產(chǎn)率的固體電解質(zhì)和蓄電元件。
1.一種固體電解質(zhì),其為含有鋰、磷、硫、鋁、氮、溴和碘作為構(gòu)成元素且具有晶體結(jié)構(gòu)的固體電解質(zhì),
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的固體電解質(zhì),其中,所述氮相對(duì)于所述磷的摩爾比為0.01~0.45。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的固體電解質(zhì),其由下述式1表示,
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的固體電解質(zhì),其中,在150℃~400℃的范圍具有多個(gè)晶化溫度,將所述多個(gè)晶化溫度中最低的晶化溫度設(shè)為t1[℃],將所述多個(gè)晶化溫度中最高的晶化溫度設(shè)為t2[℃]時(shí),所述晶化溫度t1與所述晶化溫度t2之差{t2-t1}為50℃以上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的固體電解質(zhì),其中,包含在使用cukα射線的x射線衍射圖中在2θ=19.9°±0.5°和29.3°±0.5°具有衍射峰的晶體結(jié)構(gòu)a、以及在所述x射線衍射圖中在衍射角2θ=21.0±0.5°和28.0±0.5°具有衍射峰的晶體結(jié)構(gòu)b中的至少一者。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的固體電解質(zhì),其中,包含所述晶體結(jié)構(gòu)a。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的固體電解質(zhì),其中,25℃的離子傳導(dǎo)度為2.0×10-3s/cm以上。
8.一種蓄電元件,包含權(quán)利要求1或2所述的固體電解質(zhì)。
9.一種固體電解質(zhì)的制造方法,具備如下工序: