本技術(shù)(本公開的技術(shù))涉及光電檢測器和電子裝置,并且更具體地涉及當(dāng)應(yīng)用于包括轉(zhuǎn)移晶體管的光電檢測器和包括光電檢測器的電子裝置時有效的技術(shù)。
背景技術(shù):
1、對于每個像素,諸如固態(tài)成像裝置或測距裝置的光電檢測器包括將由光電轉(zhuǎn)換單元通過光電轉(zhuǎn)換生成的信號電荷轉(zhuǎn)移至電荷保持單元的轉(zhuǎn)移晶體管。專利文獻(xiàn)1公開了一種具有垂直結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)移晶體管,其中柵電極的一部分(主體)經(jīng)由柵絕緣膜嵌入在襯底的凹槽中。此外,專利文獻(xiàn)2公開了一種成像裝置,其中,用于淺溝槽隔離(sti)的溝槽形成在襯底中,通過經(jīng)由絕緣膜將電壓施加至嵌入在溝槽中的嵌入式多晶硅電極來增強(qiáng)sti側(cè)壁的釘扎,并且通過將電壓施加至像素區(qū)p阱和嵌入式多晶硅電極來改善轉(zhuǎn)移期間的信號電荷的轉(zhuǎn)移。
2、引用列表
3、專利文獻(xiàn)
4、專利文獻(xiàn)1:日本專利申請公開號2018-120804
5、專利文獻(xiàn)2:日本專利申請公開號2006-120804
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、本發(fā)明要解決的問題
2、近年來,順便提及,由于在市場中需要高分辨率圖像傳感器,所以正在開發(fā)具有減小的像素尺寸的圖像傳感器。
3、然而,當(dāng)像素尺寸減小時,將通過光電轉(zhuǎn)換單元生成的信號電荷傳輸?shù)诫姾杀3謫卧膫鬏斁w管的傳輸能力減小。與具有平面結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)移晶體管相比,具有垂直結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)移晶體管被認(rèn)為有利于信號電荷的轉(zhuǎn)移,但是即使在具有垂直結(jié)構(gòu)的現(xiàn)有轉(zhuǎn)移晶體管中,也變得難以確保魯棒(穩(wěn)定)轉(zhuǎn)移能力。
4、本技術(shù)的目的是確保穩(wěn)定的傳輸能力。
5、問題的解決方案
6、根據(jù)本技術(shù)的一個方面的光電檢測器包括:
7、半導(dǎo)體層,具有位于相對側(cè)的第一表面和第二表面,
8、光電轉(zhuǎn)換單元,設(shè)置在半導(dǎo)體層中并且通過光電轉(zhuǎn)換從半導(dǎo)體層的第二表面?zhèn)热肷涞墓猓?/p>
9、電荷保持單元,設(shè)置在半導(dǎo)體層的第一表面?zhèn)壬希?/p>
10、轉(zhuǎn)移晶體管,包括柵電極并且通過光電轉(zhuǎn)換將由光電轉(zhuǎn)換單元生成的信號電荷轉(zhuǎn)移至電荷保持單元,以及
11、隔離區(qū),設(shè)置在半導(dǎo)體層的第一表面?zhèn)壬稀?/p>
12、此外,柵電極包括:
13、頭部,設(shè)置在半導(dǎo)體層的第一表面?zhèn)壬希灰约?/p>
14、腿部,在半導(dǎo)體層的厚度方向上從頭部延伸并且經(jīng)由柵極絕緣膜設(shè)置在與半導(dǎo)體層相鄰的隔離區(qū)中。
15、根據(jù)本技術(shù)的另一方面的電子裝置包括:
16、該光電檢測器,
17、光學(xué)透鏡,在光電檢測器的成像表面上形成來自被攝體的圖像光的圖像,以及
18、信號處理電路,對從光電檢測器輸出的信號執(zhí)行信號處理。
1.一種光電檢測器,包括:
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電檢測器,其中,所述柵電極的腿部在平面圖中在與電荷轉(zhuǎn)移路徑交叉的方向上設(shè)置在所述頭部的兩個端側(cè)中的至少一個上,所述轉(zhuǎn)移晶體管通過所述電荷轉(zhuǎn)移路徑將信號電荷從所述光電轉(zhuǎn)換單元轉(zhuǎn)移至所述電荷保持單元。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電檢測器,其中,
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電檢測器,其中,所述柵電極的腿部在平面圖中布置在轉(zhuǎn)移路徑的兩側(cè)中的一個上。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電檢測器,還包括:
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光電檢測器,其中,所述像素隔離區(qū)與所述隔離區(qū)分離。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光電檢測器,其中,所述像素隔離區(qū)連接至所述隔離區(qū)。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光電檢測器,其中,所述隔離區(qū)在平面圖中布置在彼此相鄰的兩個光電轉(zhuǎn)換區(qū)之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的光電檢測器,其中,所述隔離區(qū)以鋸齒形狀沿著所述第一方向和所述第二方向中的一個延伸。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電檢測器,其中,所述隔離區(qū)包括設(shè)置在所述半導(dǎo)體層的第一表面?zhèn)壬系陌疾亢驮O(shè)置在所述凹部中的隔離絕緣膜。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電檢測器,還包括:
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光電檢測器,所述半導(dǎo)體層是第一半導(dǎo)體層,所述光電檢測器還包括:
13.一種電子裝置,包括: