本公開涉及半導(dǎo)體發(fā)光元件以及半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法。

背景技術(shù)：

1、以往激光就被用于加工，且需要具有高效且高輸出的激光光源。作為這種激光光源而采用了半導(dǎo)體激光元件等半導(dǎo)體發(fā)光元件。

2、作為用于使半導(dǎo)體發(fā)光元件高效化的技術(shù)，有已知的形成脊部以便將電流限制在脊部的技術(shù)(例如，專利文獻(xiàn)1)。

3、(現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn))

4、(專利文獻(xiàn))

5、專利文獻(xiàn)1日本特開2010-67763號公報

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、發(fā)明要解決的課題

2、然而，在形成有脊部的半導(dǎo)體發(fā)光元件中存在的問題是，由于電流會流入到脊部的側(cè)面，因此這將成為發(fā)熱的原因。

3、本公開為了解決這樣的課題，目的在于提供一種能夠抑制電流流入到脊部的側(cè)面的半導(dǎo)體發(fā)光元件等。

4、用于解決課題的手段

5、為了解決上述課題，本公開所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光元件的一個方式是射出光的半導(dǎo)體發(fā)光元件，所述半導(dǎo)體發(fā)光元件具備：襯底；配置在所述襯底的上方的n型包覆層；配置在所述n型包覆層的上方的活性層；配置在所述活性層的上方的p型包覆層；配置在所述p型包覆層的上方的接觸層；以及配置在所述p型包覆層的上方的絕緣膜，在包括所述p型包覆層以及所述接觸層的區(qū)域形成有在所述光的傳播方向上延伸的脊部，所述脊部包括下脊部和上脊部，所述下脊部包括所述p型包覆層，所述上脊部配置在所述下脊部的頂面且包括所述接觸層，所述下脊部的頂面具有位于所述下脊部的側(cè)面與所述上脊部的底面之間的平坦部，且該平坦部在所述光的傳播方向上延伸，所述上脊部的底面的寬度比所述下脊部的頂面的寬度以及所述下脊部的層疊方向中央位置上的寬度小，所述絕緣膜從所述下脊部的側(cè)面開始連續(xù)地覆蓋到所述上脊部的頂面的一部分為止。

6、為了解決上述課題，本公開所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光元件的其他的一個方式是射出光的半導(dǎo)體發(fā)光元件，所述半導(dǎo)體發(fā)光元件具備：襯底；配置在所述襯底的上方的n型包覆層；配置在所述n型包覆層的上方的活性層；配置在所述活性層的上方的p型包覆層；以及配置在所述p型包覆層的上方的接觸層，在包括所述p型包覆層以及所述接觸層的區(qū)域形成有在所述光的傳播方向上延伸的脊部，所述脊部包括下脊部和上脊部，所述下脊部包括所述p型包覆層，所述上脊部配置在所述下脊部的頂面且包括所述接觸層，所述p型包覆層由alxga1-xas(0＜x＜1)構(gòu)成，并且所述p型包覆層具有：下部包覆層、配置在所述下部包覆層的上方的第一包覆層、配置在所述第一包覆層的上方的第一蝕刻停止層、配置在所述第一蝕刻停止層的上方的第二包覆層、以及配置在所述第二包覆層的上方的第二蝕刻停止層，關(guān)于所述下部包覆層的al組分比x0、所述第一包覆層的al組分比x1、以及所述第二包覆層的al組分比x2，x1＝x2＞0.8以及x1＝x2＞x0的關(guān)系成立。

7、為了解決上述課題，本公開所涉及的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法的一個方式是射出光的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，所述制造方法包括如下的工序：在襯底的上方形成n型包覆層的工序；在所述n型包覆層的上方形成活性層的工序；在所述活性層的上方形成p型包覆層的工序；在所述p型包覆層的上方形成接觸層的工序；在包括所述p型包覆層以及所述接觸層的區(qū)域形成脊部的工序；以及在所述脊部形成絕緣膜的工序，所述脊部包括下脊部和上脊部，所述下脊部包括所述p型包覆層，所述上脊部配置在所述下脊部的頂面且包括所述接觸層，形成所述脊部的工序中包括：形成所述上脊部的工序；以及在形成所述上脊部的工序之后形成所述下脊部的工序，所述下脊部的頂面具有平坦部，該平坦部位于所述下脊部的側(cè)面與所述上脊部的底面之間且在所述光的傳播方向上延伸，所述上脊部的底面的寬度比所述下脊部的頂面的寬度以及所述下脊部的層疊方向中央位置上的寬度小，所述絕緣膜從所述下脊部的側(cè)面連續(xù)地覆蓋到所述上脊部的頂面的一部分為止。

8、發(fā)明效果

9、通過本公開，能夠提供一種能夠抑制電流流入到脊部的側(cè)面的半導(dǎo)體發(fā)光元件等。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，是射出光的半導(dǎo)體發(fā)光元件，

2.一種半導(dǎo)體發(fā)光元件，是射出光的半導(dǎo)體發(fā)光元件，

3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，

4.如權(quán)利要求2或3所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，

5.如權(quán)利要求2至4的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，

6.如權(quán)利要求2至4的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，

7.如權(quán)利要求5或6所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，

8.如權(quán)利要求2至7的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，

9.如權(quán)利要求2至7的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，

10.如權(quán)利要求2至9的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，

11.如權(quán)利要求2至10的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，

12.如權(quán)利要求2至11的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，

13.如權(quán)利要求2至12的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，

14.如權(quán)利要求1至13的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，

15.如權(quán)利要求1至14的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，

16.如權(quán)利要求1至9、11至15的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，

17.如權(quán)利要求1至16的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，

18.如權(quán)利要求17所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，

19.如權(quán)利要求1至18的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，

20.如權(quán)利要求1至19的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件，

21.一種半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，是射出光的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，

22.如權(quán)利要求21所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，

23.如權(quán)利要求21或22所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，

24.如權(quán)利要求21或22所述的半導(dǎo)體發(fā)光元件的制造方法，

技術(shù)總結(jié)
一種半導(dǎo)體發(fā)光元件(1)，其具備活性層(30)、P型包覆層(40)、接觸層(50)及絕緣膜(60)，在包括P型包覆層(40)及接觸層(50)的區(qū)域形成有脊部(R)，脊部(R)包括下脊部(Rd)和上脊部(Ru)，下脊部(Rd)包括P型包覆層(40)，上脊部(Ru)配置在下脊部(Rd)的頂面(Rdt)且包括接觸層(50)，下脊部(Rd)的頂面(Rdt)具有位于下脊部(Rd)的側(cè)面(Rds)與上脊部(Ru)的底面(Rub)之間的平坦部(Rdf)，上脊部(Ru)的底面(Rub)的寬度比下脊部(Rd)的頂面(Rdt)的寬度及下脊部(Rd)的層疊方向中央位置上的寬度小，絕緣膜(60)從下脊部(Rd)的側(cè)面(Rds)開始一直連續(xù)地覆蓋到上脊部(Ru)的頂面(Rut)的一部分為止。

技術(shù)研發(fā)人員：山田篤志,久納康光,永井洋希,中谷東吾,油本隆司
受保護(hù)的技術(shù)使用者：新唐科技日本株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/10