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      發(fā)光元件以及發(fā)光裝置的制作方法

      文檔序號(hào):40388525發(fā)布日期:2024-12-20 12:11閱讀:3來(lái)源:國(guó)知局
      發(fā)光元件以及發(fā)光裝置的制作方法

      本發(fā)明涉及一種發(fā)光元件以及發(fā)光裝置。


      背景技術(shù):

      1、以往,提出了一種發(fā)光元件,該發(fā)光元件具備:半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),其具有n型半導(dǎo)體層、和以將n型半導(dǎo)體層的一部分露出的方式層疊的有源層以及p型半導(dǎo)體層;設(shè)置在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的一面?zhèn)鹊膎電極以及p電極。在這樣的發(fā)光元件中,由于半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的組分,導(dǎo)致產(chǎn)生半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中的電流擴(kuò)散的偏差,因此為了實(shí)現(xiàn)面內(nèi)的均勻的電流密度,進(jìn)行了各種設(shè)計(jì)。

      2、例如,提出了在與半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)連接的電極間設(shè)置溝槽,來(lái)控制水平電流的流動(dòng)等方法(例如,專利文獻(xiàn)1)。

      3、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

      4、專利文獻(xiàn)

      5、專利文獻(xiàn)1:(日本)特表2010-530628號(hào)


      技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

      1、發(fā)明要解決的課題

      2、本發(fā)明是鑒于上述課題而作出的發(fā)明,其目的在于提供一種能夠更高效地取出光的發(fā)光元件以及發(fā)光裝置。

      3、用于解決課題的方案

      4、本公開(kāi)包括以下發(fā)明。

      5、(1)一種發(fā)光元件,其包括:

      6、基板;

      7、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體,其配置在所述基板上,從所述基板側(cè)依次包括n側(cè)半導(dǎo)體層、有源層和p側(cè)半導(dǎo)體層;

      8、p電極,其配置在所述p側(cè)半導(dǎo)體層上,與所述p側(cè)半導(dǎo)體層電連接;

      9、n電極,其配置在所述n側(cè)半導(dǎo)體層上,與所述n側(cè)半導(dǎo)體層電連接;

      10、所述n電極包括基部和從所述基部延伸的多個(gè)延伸部,

      11、所述基板包括從所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體露出的露出部,

      12、在俯視觀察下,所述露出部包括:第一露出部,其位于相鄰的兩個(gè)所述延伸部之間;第二露出部,其配置在所述基板的外周部,與所述第一露出部相連;

      13、在俯視觀察下,所述p電極配置在所述延伸部與所述第一露出部之間。

      14、(2)一種發(fā)光裝置,其包括:

      15、上述發(fā)光元件;

      16、覆蓋部件,其在俯視觀察下至少覆蓋與所述露出部相鄰的所述n側(cè)半導(dǎo)體層的側(cè)面以及所述有源層的側(cè)面。

      17、發(fā)明效果

      18、根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的發(fā)光元件以及發(fā)光裝置,能夠提供一種能夠更高效地取出光的發(fā)光元件以及發(fā)光裝置。



      技術(shù)特征:

      1.一種發(fā)光元件,其特征在于,包括:

      2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件,其特征在于,

      3.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光元件,其特征在于,

      4.如權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的發(fā)光元件,其特征在于,

      5.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的發(fā)光元件,其特征在于,

      6.如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的發(fā)光元件,其特征在于,

      7.一種發(fā)光裝置,其特征在于,包括:

      8.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光裝置,其特征在于,


      技術(shù)總結(jié)
      目的在于提供一種能夠更高效地取出光的發(fā)光元件以及發(fā)光裝置。一種發(fā)光元件,其包括:基板;半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體,其配置在所述基板上,從所述基板側(cè)依次包括n側(cè)半導(dǎo)體層、有源層和p側(cè)半導(dǎo)體層;p電極,其配置在所述p側(cè)半導(dǎo)體層上,與所述p側(cè)半導(dǎo)體層電連接;n電極,其配置在所述n側(cè)半導(dǎo)體層上,與所述n側(cè)半導(dǎo)體層電連接;所述n電極包括基部和從所述基部延伸的多個(gè)延伸部,所述基板包括從所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)體露出的露出部,在俯視觀察下,所述露出部包括:第一露出部,其位于相鄰的兩個(gè)所述延伸部之間;第二露出部,其配置在所述基板的外周部,與所述第一露出部相連;在俯視觀察下,所述p電極配置在所述延伸部與所述第一露出部之間。

      技術(shù)研發(fā)人員:楠瀨健,渡邊健太郎
      受保護(hù)的技術(shù)使用者:日亞化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社
      技術(shù)研發(fā)日:
      技術(shù)公布日:2024/12/19
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