本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置的制造方法。

背景技術(shù)：

1、在半導(dǎo)體裝置的制造中，通常經(jīng)過如下工序：在半導(dǎo)體晶圓的一面(表面、電路形成面)形成圖案，對半導(dǎo)體晶圓的另一面(背面)用背面研磨機(jī)等進(jìn)行磨削至成為規(guī)定的厚度為止的背面磨削(背面研磨)工序。在背面磨削工序中，以保護(hù)半導(dǎo)體晶圓為目的，通常進(jìn)行如下步驟：在半導(dǎo)體晶圓貼合背面研磨帶并對背面進(jìn)行磨削(例如，專利文獻(xiàn)1)。

2、以往技術(shù)文獻(xiàn)

3、專利文獻(xiàn)

4、專利文獻(xiàn)1：日本特開2010-034379號公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、發(fā)明要解決的技術(shù)課題

2、本發(fā)明的目的在于提供一種具備對半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行背面磨削的工序的新型半導(dǎo)體裝置的制造方法。

3、用于解決技術(shù)課題的手段

4、本發(fā)明提供一種[1]～[3]的半導(dǎo)體裝置的制造方法。

5、[1]一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其具備：

6、第1層疊體制作工序，制作依次具備半導(dǎo)體晶圓、包含通過照射光而低分子化的樹脂的樹脂層及基材層的第1層疊體；第2層疊體制作工序，對所述第1層疊體的所述半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行背面磨削而制作第2層疊體；及第3層疊體制作工序，去除所述第2層疊體的所述基材層，并制作具備進(jìn)行了背面磨削的所述半導(dǎo)體晶圓及所述樹脂層的第3層疊體。

7、[2]根據(jù)[1]所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

8、所述第3層疊體制作工序?yàn)閷λ龅?層疊體的所述樹脂層照射光而去除所述基材層的工序。

9、[3]根據(jù)[1]或2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其進(jìn)一步具備：

10、通過將所述第3層疊體進(jìn)行切割，而制作單片化的帶有樹脂層片的半導(dǎo)體芯片的工序。

11、發(fā)明效果

12、根據(jù)本發(fā)明，提供一種具備對半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行背面磨削的工序的新型半導(dǎo)體裝置的制造方法。根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法，能夠充分地保護(hù)半導(dǎo)體晶圓，且能夠簡便地去除基材層。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其具備：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其進(jìn)一步具備：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體裝置的制造方法。該半導(dǎo)體裝置的制造方法具備：第1層疊體制作工序，制作依次具備半導(dǎo)體晶圓、包含通過照射光而低分子化的樹脂的樹脂層及基材層的第1層疊體；第2層疊體制作工序，對第1層疊體的半導(dǎo)體晶圓進(jìn)行背面磨削而制作第2層疊體；及第3層疊體制作工序，去除第2層疊體的基材層，并制作具備進(jìn)行了背面磨削的半導(dǎo)體晶圓及樹脂層的第3層疊體。

技術(shù)研發(fā)人員：宮本祐樹,諸崎友人,鈴木克彥,和田真幸,渡部昌仁,坂本圭市,近藤秀一,齊藤晃一
受保護(hù)的技術(shù)使用者：株式會社力森諾科
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/10