本公開涉及磁路領(lǐng)域，尤其涉及磁路中使用的永磁體。

背景技術(shù)：

1、永磁體廣泛用于電氣和機(jī)電應(yīng)用。例如，永磁體可用于提供磁場(chǎng)，載流導(dǎo)體可與該磁場(chǎng)相互作用。這種相互作用可以在導(dǎo)體和磁體組件上產(chǎn)生機(jī)械力，這些力可以用于各種應(yīng)用，例如馬達(dá)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、在一些方面中，本文描述的技術(shù)涉及一種裝置，所述裝置包括：具有第一剩磁值和第一矯頑力值的第一磁體，所述第一磁體具有基本垂直于所述第一磁體的磁化方向的第一橫截面積；以及與所述第一磁體串聯(lián)放置的第二磁體，所述第二磁體具有第二剩磁值和小于所述第一矯頑力值的第二矯頑力值，所述第二磁體具有基本垂直于所述第二磁體的磁化方向的第二橫截面積。所述第一橫截面積與所述第二橫截面積的比率等于或大于所述第二剩磁值與所述第一剩磁值的比率。

2、在一些方面中，所述第二磁體位于所述第一磁體的磁化方向的路徑中。在一些方面中，所述第二剩磁值大于所述第一剩磁值。在一些方面，所述第二磁體的位于與所述第二磁體相關(guān)聯(lián)的磁化(bh)曲線的第二象限中的工作點(diǎn)處的磁通密度值大于在第一橫截面積等于第二橫截面積的配置下的磁通密度值。

3、在一些方面，所述第一磁體具有這樣的形狀，即，該形狀具有垂直于所述第一磁體的磁化方向的非恒定橫截面積，其中，所述第一橫截面積等于所述非恒定橫截面積中的最小橫截面積。在一些方面中，所述第二磁體具有這樣的形狀，即，該形狀具有垂直于所述第二磁體的磁化方向的非恒定橫截面積，其中，所述第二橫截面積等于所述非恒定橫截面積中的最大橫截面積。

4、在一些方面中，所述第一磁體具有由第一曲面和第二曲面限定的第一彎曲形狀，所述第一曲面和所述第二曲面由所述第一磁體的厚度隔開，其中，所述第一磁體的磁化方向平行于所述第一彎曲形狀的一個(gè)半徑，并且其中，所述第一橫截面積包括與所述第一磁體的磁化方向垂直的第一平面的面積。在一些方面中，與所述第一磁體的磁化方向垂直的所述第一平面在與所述第一磁體的磁化方向垂直的一組平面當(dāng)中具有最小的面積。

5、在一些方面中，所述第一磁體具有由第一曲面和第二曲面限定的第一彎曲形狀，所述第一曲面和所述第二曲面由所述第一磁體的厚度隔開，其中，所述第一磁體的磁化方向具有沿所述第一彎曲形狀的半徑延伸的多個(gè)方向，并且其中，所述第一橫截面積包括與所述多個(gè)方向垂直的曲面的面積。在一些方面中，與所述多個(gè)方向垂直的曲面是與所述多個(gè)方向垂直的一組曲面當(dāng)中面積最小的曲面。

6、在一些方面中，所述第二磁體具有由第三曲面和第四曲面限定的第二彎曲形狀，所述第三曲面和所述第四曲面由所述第二磁體的厚度隔開，其中，所述第二磁體的磁化方向平行于所述第二彎曲形狀的一個(gè)半徑，并且其中，所述第二橫截面積包括與所述第二磁體的磁化方向垂直的第二平面的面積。

7、在一些方面中，與所述第二磁體的磁化方向垂直的所述第二平面在與所述第二磁體的磁化方向垂直的一組平面當(dāng)中具有最大的面積。在一些方面，所述第二磁體具有由第三曲面和第四曲面限定的第二彎曲形狀，所述第三曲面和所述第四曲面由所述第二磁體的厚度隔開，其中，所述第二磁體的磁化方向具有沿所述第二彎曲形狀的半徑延伸的多個(gè)方向，并且其中，所述第二橫截面積包括與所述多個(gè)方向垂直的曲面的面積。在一些方面中，與所述多個(gè)方向垂直的曲面是與所述多個(gè)方向垂直的一組曲面當(dāng)中面積最大的曲面。

8、在一些方面中，所述第一磁體和所述第二磁體由間隔物隔開。在一些方面中，所述間隔物包括鐵磁材料。在一些方面中，所述間隔物的橫截面積至少與所述第一橫截面積和所述第二橫截面積中的較大者一樣大。在一些方面中，所述間隔物的厚度小于或等于3mm。在一些方面中，所述裝置還包括：電機(jī)，所述電機(jī)包括定子和通過氣隙與所述定子隔開的轉(zhuǎn)子，其中，所述第一磁體和所述第二磁體僅在定子或轉(zhuǎn)子之一中串聯(lián)放置。在一些方面中，所述第一磁體比所述第二磁體放置得更靠近所述氣隙。在一些方面中，所述電機(jī)包括多個(gè)極，其中，所述多個(gè)極中的至少一個(gè)極包括所述第一磁體和所述第二磁體。

9、在一些方面中，所述第一磁體是釹鐵硼類型的。在一些方面中，所述第一磁體是釤鈷類型的。在一些方面中，所述第二磁體包括至少一種氮化鐵類型。

技術(shù)特征：

1.一種裝置，所述裝置包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述第二磁體位于所述第一磁體的磁化方向的路徑中。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述第二剩磁值大于所述第一剩磁值。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述第二磁體的位于與所述第二磁體相關(guān)聯(lián)的bh曲線的第二象限中的工作點(diǎn)處的磁通密度值大于在所述第一橫截面積等于所述第二橫截面積的配置下的磁通密度值。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述第一磁體具有這樣的形狀，即，該形狀具有垂直于所述第一磁體的磁化方向的非恒定橫截面積，其中，所述第一橫截面積等于所述非恒定橫截面積中的最小橫截面積。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述第二磁體具有這樣的形狀，即，該形狀具有垂直于所述第二磁體的磁化方向的非恒定橫截面積，其中，所述第二橫截面積等于所述非恒定橫截面積中的最大橫截面積。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述第一磁體具有由第一曲面和第二曲面限定的第一彎曲形狀，所述第一曲面和所述第二曲面由所述第一磁體的厚度隔開，其中，所述第一磁體的磁化方向平行于所述第一彎曲形狀的一個(gè)半徑，并且其中，所述第一橫截面積包括與所述第一磁體的磁化方向垂直的第一平面的面積。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其中，與所述第一磁體的磁化方向垂直的所述第一平面在與所述第一磁體的磁化方向垂直的一組平面當(dāng)中具有最小的面積。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述第一磁體具有由第一曲面和第二曲面限定的第一彎曲形狀，所述第一曲面和所述第二曲面由所述第一磁體的厚度隔開，其中，所述第一磁體的磁化方向具有沿所述第一彎曲形狀的半徑延伸的多個(gè)方向，并且其中，所述第一橫截面積包括與所述多個(gè)方向垂直的曲面的面積。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其中，與所述多個(gè)方向垂直的所述曲面是與所述多個(gè)方向垂直的一組曲面當(dāng)中面積最小的曲面。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述第二磁體具有由第三曲面和第四曲面限定的第二彎曲形狀，所述第三曲面和所述第四曲面由所述第二磁體的厚度隔開，其中，所述第二磁體的磁化方向平行于所述第二彎曲形狀的一個(gè)半徑，并且其中，所述第二橫截面積包括與所述第二磁體的磁化方向垂直的第二平面的面積。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其中，與所述第二磁體的磁化方向垂直的所述第二平面在與所述第二磁體的磁化方向垂直的一組平面當(dāng)中具有最大的面積。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述第二磁體具有由第三曲面和第四曲面限定的第二彎曲形狀，所述第三曲面和所述第四曲面由所述第二磁體的厚度隔開，其中，所述第二磁體的磁化方向具有沿所述第二彎曲形狀的半徑延伸的多個(gè)方向，并且其中，所述第二橫截面積包括與所述多個(gè)方向垂直的曲面的面積。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的裝置，其中，與所述多個(gè)方向垂直的所述曲面是與所述多個(gè)方向垂直的一組曲面當(dāng)中面積最大的曲面。

15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述第一磁體和所述第二磁體由間隔物隔開。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的裝置，其中，所述間隔物包括鐵磁材料。

17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的裝置，其中，所述間隔物的橫截面積至少與所述第一橫截面積和所述第二橫截面積中的較大者一樣大。

18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的裝置，其中，所述間隔物的厚度小于或等于3mm。

19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，所述裝置還包括：

20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的裝置，其中，所述第一磁體比所述第二磁體放置得更靠近所述氣隙。

21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的裝置，其中，所述電機(jī)包括多個(gè)極，其中，所述多個(gè)極中的至少一個(gè)極包括所述第一磁體和所述第二磁體。

22.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述第一磁體是釹鐵硼類型的。

23.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述第一磁體是釤鈷類型的。

24.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述第二磁體包括至少一種氮化鐵類型。

技術(shù)總結(jié)
本公開提供了系統(tǒng)、方法和裝置，包括：具有第一剩磁值和第一矯頑力值的第一磁體，所述第一磁體具有基本垂直于所述第一磁體的磁化方向的第一橫截面積；以及與所述第一磁體串聯(lián)放置的第二磁體，所述第二磁體具有第二剩磁值和小于所述第一矯頑力值的第二矯頑力值，所述第二磁體具有基本垂直于所述第二磁體的磁化方向的第二橫截面積。所述第一橫截面積與所述第二橫截面積的比率等于或大于所述第二剩磁值與所述第一剩磁值的比率。

技術(shù)研發(fā)人員：B·P·萊克斯納
受保護(hù)的技術(shù)使用者：尼龍磁性公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/10