本發(fā)明涉及一種研磨液、研磨方法、零件的制造方法及半導體零件的制造方法等。

背景技術：

1、在半導體制造領域中，隨著超大規(guī)模集成電路(very?large?scale?integration，vlsi)器件的高性能化，通過作為以往技術的延伸的微細化技術來兼顧高集成化和高速化存在局限。因此，正在開發(fā)一種促進半導體元件的微細化的同時，在垂直方向上也實現(xiàn)高集成化的技術(即，配線的多層化技術)。

2、在制造配線多層化的器件的制程中，cmp(化學機械研磨)技術為最重要的技術之一。cmp技術為對通過化學氣相沉積(cvd)等而在基板上形成薄膜而獲得的被研磨部件的表面進行平坦化的技術。例如，為了確保光刻的焦深，基于cmp的平坦化處理不可或缺。若被研磨部件的表面存在凹凸，則會發(fā)生曝光工序中無法聚焦，或者無法充分形成微細配線結構等不良情況。并且，cmp技術在器件的制造過程中，也適用于通過等離子體氧化膜(bpsg、hdp-sio2、p-teos等)的研磨而形成元件分離(元件間分離。sti：shallow?trenchisolation(淺槽隔離))區(qū)域的工序；形成ild膜(層間絕緣膜。將同一層中的金屬部件(配線等)彼此電絕緣的絕緣膜)的工序；將含有氧化硅的膜埋入金屬配線之后將插塞(例如，al/cu插塞)進行平坦化的工序等。

3、cmp通常使用能夠向研磨部件(研磨墊等)上供給研磨液的裝置來進行。而且，將研磨液供給到被研磨部件的被研磨面(表面)與研磨部件之間，并且將被研磨部件緊壓在研磨部件上，由此對被研磨部件的被研磨面進行研磨。如此，在cmp技術中，研磨液為要件技術之一，為了獲得高性能的研磨液，至今為止開發(fā)了各種研磨液(例如，參考下述專利文獻1)。

4、以往技術文獻

5、專利文獻

6、專利文獻1：日本特開2008-288537號公報

技術實現(xiàn)思路

1、發(fā)明要解決的技術課題

2、作為使用研磨液的研磨對象，有時對含有未摻雜硅酸鹽玻璃(undoped?silicateglass)(以下，根據情況稱為“usg”)的被研磨部件進行研磨，有時要求獲得usg的優(yōu)異的研磨速度。

3、本發(fā)明的一方面的目的為提供一種研磨液，其能夠獲得usg的優(yōu)異的研磨速度。本發(fā)明的另一方面的目的為提供一種研磨方法，其使用所述研磨液。本發(fā)明的另一方面的目的為提供一種零件的制造方法，其使用通過所述研磨方法研磨的被研磨部件。本發(fā)明的另一方面的目的為提供一種半導體零件的制造方法，其使用通過所述研磨方法研磨的被研磨部件。

4、用于解決技術課題的手段

5、本發(fā)明在幾個方面涉及下述[1]～[16]等。

6、[1]一種研磨液，其用于研磨未摻雜硅酸鹽玻璃，且ph為3.0以上。

7、[2]根據[1]所述的研磨液，其ph為3.5～8.0。

8、[3]根據[1]或[2]所述的研磨液，其含有磨粒。

9、[4]根據[3]所述的研磨液，其中，

10、所述磨粒含有鈰類化合物。

11、[5]根據[1]至[4]中任一項所述的研磨液，其含有(a)聚甘油。

12、[6]根據[5]所述的研磨液，其中，

13、所述(a)成分的含量為0.001～10質量％。

14、[7]根據[1]至[6]中任一項所述的研磨液，其含有(b)具有鍵合有羥烷基的2個以上的氮原子的化合物。

15、[8]根據[7]所述的研磨液，其中，

16、所述(b)成分含有乙二胺四丙醇。

17、[9]根據[7]或[8]所述的研磨液，其中，

18、所述(b)成分的含量為0.001～5質量％。

19、[10]根據[1]至[9]中任一項所述的研磨液，其含有下述通式(1)所表示的4-吡喃酮類化合物。

20、

21、[式中，x11、x12及x13分別獨立地表示氫原子或1價的取代基。]

22、[11]根據[10]所述的研磨液，其中，

23、所述4-吡喃酮類化合物含有選自由3-羥基-2-甲基-4-吡喃酮、5-羥基-2-(羥甲基)-4-吡喃酮及2-乙基-3-羥基-4-吡喃酮組成的組中的至少一種。

24、[12]根據[10]或[11]所述的研磨液，其中，

25、所述4-吡喃酮類化合物的含量為0.001～5質量％。

26、[13]根據[1]至[12]中任一項所述的研磨液，其含有飽和單羧酸。

27、[14]一種研磨方法，其包括使用[1]至[13]中任一項所述的研磨液對含有未摻雜硅酸鹽玻璃的被研磨部件的被研磨面進行研磨的工序。

28、[15]一種零件的制造方法，其使用通過[14]所述的研磨方法研磨的被研磨部件來獲得零件。

29、[16]一種半導體零件的制造方法，其使用通過[14]所述的研磨方法研磨的被研磨部件來獲得半導體零件。

30、發(fā)明效果

31、依本發(fā)明的一方面，能夠提供一種研磨液，其能夠獲得usg的優(yōu)異的研磨速度。依本發(fā)明的另一方面，能夠提供一種研磨方法，其使用所述研磨液。依本發(fā)明的另一方面，能夠提供一種零件的制造方法，其使用通過所述研磨方法研磨的被研磨部件。依本發(fā)明的另一方面，能夠提供一種半導體零件的制造方法，其使用通過所述研磨方法研磨的被研磨部件。

技術特征：

1.一種研磨液，其用于研磨未摻雜硅酸鹽玻璃，且ph為3.0以上。

2.根據權利要求1所述的研磨液，其ph為3.5～8.0。

3.根據權利要求1所述的研磨液，其含有磨粒。

4.根據權利要求3所述的研磨液，其中，

5.根據權利要求1所述的研磨液，其含有(a)聚甘油。

6.根據權利要求5所述的研磨液，其中，

7.根據權利要求1所述的研磨液，其含有(b)具有鍵合有羥烷基的2個以上的氮原子的化合物。

8.根據權利要求7所述的研磨液，其中，

9.根據權利要求7所述的研磨液，其中，

10.根據權利要求1所述的研磨液，其含有下述通式(1)所表示的4-吡喃酮類化合物，

11.根據權利要求10所述的研磨液，其中，

12.根據權利要求10所述的研磨液，其中，

13.根據權利要求1所述的研磨液，其含有飽和單羧酸。

14.一種研磨方法，其包括使用權利要求1至13中任一項所述的研磨液對含有未摻雜硅酸鹽玻璃的被研磨部件的被研磨面進行研磨的工序。

15.一種零件的制造方法，其使用通過權利要求14所述的研磨方法研磨的被研磨部件來獲得零件。

16.一種半導體零件的制造方法，其使用通過權利要求14所述的研磨方法研磨的被研磨部件來獲得半導體零件。

技術總結
一種研磨液，其用于研磨未摻雜硅酸鹽玻璃，且pH為3.0以上。一種研磨方法，其包括使用所述研磨液對含有未摻雜硅酸鹽玻璃的被研磨部件的被研磨面進行研磨的工序。一種零件的制造方法，其使用通過所述研磨方法研磨的被研磨部件來獲得零件。

技術研發(fā)人員：倉田悠都,井上惠介
受保護的技術使用者：株式會社力森諾科
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/12/10