背景技術(shù)：

1、無線系統(tǒng)可以包括集成電路和天線。所述集成電路可以通過天線傳輸或接收無線電信號。無線系統(tǒng)還可以包括波導，所述波導耦合在所述集成電路與所述天線之間以傳輸無線電信號。在無線系統(tǒng)傳輸/接收多個頻帶/信道的無線電信號的情況下，無線系統(tǒng)可以包括多個用于傳輸/接收多個頻帶/信道的無線電信號或?qū)⒔邮盏降臒o線電信號與所傳輸?shù)臒o線電信號分隔開的天線。無線系統(tǒng)還可以包括多個波導，所述多個波導耦合在所述集成電路與多個天線之間。不同的波導可以彼此隔離，以減少無線電信號在波導之間的交叉耦合。然而，隔離的程度可能受各種因素限制，如無線系統(tǒng)的形狀因子。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、在一個實例中，存在一種裝置，其包含襯底。所述襯底包括相對的第一表面和第二表面，所述第一表面包括金屬焊盤；介電層，所述介電層位于所述第一表面與所述第二表面之間；以及開口，所述開口延伸穿過所述介電層并且連接在所述第一表面與所述第二表面之間，所述開口包括第一脊結(jié)構(gòu)和第二脊結(jié)構(gòu)，所述第一脊結(jié)構(gòu)和所述第二脊結(jié)構(gòu)中的每一個沿所述開口以均勻橫截面延伸。

2、在另一個實例中，存在一種裝置，其包含襯底。所述襯底包括相對的第一表面和第二表面，所述第一表面包括金屬焊盤；第一金屬層，所述第一金屬層位于所述第二表面上，所述第一金屬層包括開口；互連件網(wǎng)絡，所述互連件網(wǎng)絡位于所述第一表面與所述第二表面之間并且與所述金屬焊盤耦合；介電層，所述介電層位于所述第一表面與所述第二表面之間并且包圍所述互連件網(wǎng)絡，所述介電層包括第一介電材料；腔體，所述腔體位于所述介電層中，所述腔體從所述開口延伸，所述腔體包括第二介電材料；以及第二金屬層，所述第二金屬層覆蓋所述腔體的側(cè)表面和底表面，所述第二金屬層接合所述第一金屬層。

3、還描述和要求保護其它方面。

技術(shù)特征：

1.一種裝置，其包含：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述第一脊結(jié)構(gòu)和所述第二脊結(jié)構(gòu)中的每一個沿所述開口相對于彼此對稱地延伸，并且到達所述第一表面和所述第二表面。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的裝置，其中所述第一脊結(jié)構(gòu)沿所述第一側(cè)的中線延伸，并且所述第二脊結(jié)構(gòu)沿所述第二側(cè)的中線延伸。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述開口被配置為波導，并且所述開口的占用空間的尺寸基于所述波導的截止頻率。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其進一步包含隔離結(jié)構(gòu)，所述隔離結(jié)構(gòu)與所述開口相鄰。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其中所述隔離結(jié)構(gòu)包括腔體，所述腔體朝向所述第二表面開放。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其進一步包含金屬構(gòu)件，所述金屬構(gòu)件位于所述開口與所述腔體之間。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其進一步包含介電材料，所述介電材料位于所述腔體中。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其進一步包含金屬層，所述金屬層覆蓋所述腔體的側(cè)壁和底部。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的裝置，其進一步包含金屬層，所述金屬層與所述腔體開口相對。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的裝置，其中所述介電材料為第一介電材料，并且所述裝置進一步包含第二介電材料，所述第二介電材料位于所述金屬層與所述第一表面之間。

13.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其中所述開口為第一開口，并且所述襯底包括穿過所述介電層的第二開口，并且所述第二開口連接在所述第一表面與所述第二表面之間；并且

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的裝置，其進一步包含位于所述第二表面上的第三金屬層和第四金屬層，所述第三金屬層接合所述第一金屬層，并且所述第四金屬層接合所述第二金屬層；

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的裝置，其中所述第三金屬層具有斜角邊緣，所述第四金屬層具有直邊緣，并且所述斜角邊緣和所述直邊緣位于所述開口的相對側(cè)上。

16.根據(jù)權(quán)利要求7所述的裝置，其中所述隔離結(jié)構(gòu)包括包圍所述開口的溝槽結(jié)構(gòu)，所述溝槽結(jié)構(gòu)朝向所述第二表面開放，并且所述裝置進一步包括覆蓋所述溝槽結(jié)構(gòu)的側(cè)壁和底部的金屬層，并且所述腔體為所述溝槽結(jié)構(gòu)的一部分。

17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，并且進一步包含：

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的裝置，其中：

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的裝置，其中所述溝槽結(jié)構(gòu)為第一溝槽結(jié)構(gòu)；

20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的裝置，其進一步包含介電材料，所述介電材料位于所述第二溝槽中。

21.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中所述襯底包括印刷電路板(pcb)。

22.一種裝置，其包含：

23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的裝置，其進一步包含第三介電材料，所述第三介電材料位于所述腔體的所述底表面與所述第一表面之間。

24.根據(jù)權(quán)利要求22所述的裝置，其中所述第一介電材料和所述第二介電材料屬于相同的介電材料。

25.根據(jù)權(quán)利要求22所述的裝置，其中所述開口為第一開口；并且

26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的裝置，其中所述第二金屬層形成所述側(cè)表面并且抵接所述第二開口。

27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的裝置，其進一步包含溝槽結(jié)構(gòu)，所述溝槽結(jié)構(gòu)包圍所述第二開口，所述溝槽結(jié)構(gòu)朝向所述第二表面開放，并且所述腔體為所述溝槽結(jié)構(gòu)的一部分。

28.根據(jù)權(quán)利要求26所述的裝置，并且進一步包含：

29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的裝置，其中：

30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的裝置，其中所述溝槽結(jié)構(gòu)為第一溝槽結(jié)構(gòu)；

31.根據(jù)權(quán)利要求22所述的裝置，其中所述襯底包括印刷電路板(pcb)。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種具有襯底(104)的裝置(100)，所述襯底包括相對的第一表面(124)和第二表面(126)，所述第一表面包括金屬焊盤(128)；介電層，所述介電層位于所述第一表面與所述第二表面之間；以及開口(134)，所述開口延伸穿過所述介電層并且連接在所述第一表面與所述第二表面之間，所述開口包括第一脊結(jié)構(gòu)和第二脊結(jié)構(gòu)，所述第一脊結(jié)構(gòu)和所述第二脊結(jié)構(gòu)中的每一個沿所述開口以均勻橫截面延伸。

技術(shù)研發(fā)人員：C·瓦薩內(nèi)利,哈?！ぐ⒗?斯瓦米納坦·?？ㄌm,M·瓦坦卡·瓦爾努斯法德拉尼,Z·克勞福德
受保護的技術(shù)使用者：德州儀器公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/17