本發(fā)明的示例性實(shí)施方式涉及一種等離子體處理方法和等離子體處理裝置。

背景技術(shù)：

1、在專(zhuān)利文獻(xiàn)1中公開(kāi)一種原子層蝕刻(ale)的方法。在該方法中，使基片暴露于氟化氫氣體中，以在金屬氧化物膜上形成氟化表面層。然后，使基片暴露于含硼氣體中，以從金屬氧化物膜去除氟化表面層。

2、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

3、專(zhuān)利文獻(xiàn)

4、專(zhuān)利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2018-26566號(hào)公報(bào)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、發(fā)明要解決的問(wèn)題

2、本發(fā)明提供一種可獲得高生產(chǎn)率的等離子體處理方法和等離子體處理裝置。

3、用于解決問(wèn)題的技術(shù)手段

4、在一個(gè)示例性實(shí)施方式中，等離子體處理方法包含：(a)提供基片的工序，所述基片具有包含第一材料的第一區(qū)域和包含與所述第一材料不同的第二材料的第二區(qū)域；(b)供給用于對(duì)所述第一區(qū)域的表面進(jìn)行改性的改性氣體和含碳前體的工序；(c)利用通過(guò)供給第一高頻功率而從包含所述改性氣體和所述含碳前體的混合氣體生成的等離子體，對(duì)所述第一區(qū)域的所述表面進(jìn)行改性而形成改性層的工序；和(d)停止供給所述第一高頻功率或供給比所述第一高頻功率小的第二高頻功率，使所述改性層與所述含碳前體進(jìn)行反應(yīng)，從而去除所述改性層的工序。

5、發(fā)明效果

6、根據(jù)一個(gè)示例性實(shí)施方式，提供一種可獲得高生產(chǎn)率的等離子體處理方法和等離子體處理裝置。

技術(shù)特征：

1.一種等離子體處理方法，其特征在于，包含：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的等離子體處理方法，其特征在于：

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的等離子體處理方法，其特征在于：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的等離子體處理方法，其特征在于：

5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的等離子體處理方法，其特征在于：

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的等離子體處理方法，其特征在于：

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的等離子體處理方法，其特征在于：

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的等離子體處理方法，其特征在于：

9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的等離子體處理方法，其特征在于：

10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的等離子體處理方法，其特征在于：

11.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的等離子體處理方法，其特征在于：

12.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的等離子體處理方法，其特征在于：

13.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的等離子體處理方法，其特征在于：

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的等離子體處理方法，其特征在于：

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的等離子體處理方法，其特征在于：

16.一種等離子體處理方法，其特征在于，包含：

17.一種等離子體處理方法，其特征在于，包含：

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的等離子體處理方法，其特征在于：

19.一種等離子體處理裝置，其特征在于，具有：

技術(shù)總結(jié)
在等離子體處理方法中，(a)提供基片，所述基片具有包含第一材料的第一區(qū)域和包含與第一材料不同的第二材料的第二區(qū)域。(b)供給用于對(duì)第一區(qū)域的表面進(jìn)行改性的改性氣體和含碳前體。(c)利用通過(guò)供給第一高頻功率而從包含改性氣體和含碳前體的混合氣體生成的等離子體，對(duì)第一區(qū)域的表面進(jìn)行改性而形成改性層。(d)停止供給第一高頻功率或供給比第一高頻功率小的第二高頻功率，使改性層與含碳前體進(jìn)行反應(yīng)，從而去除改性層。

技術(shù)研發(fā)人員：中根由太,熊倉(cāng)翔
受保護(hù)的技術(shù)使用者：東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/17