本公開涉及一種加熱處理裝置、加熱處理方法以及計算機存儲介質。

背景技術：

1、專利文獻1中公開的加熱處理裝置是將形成有涂布膜的基板在處理容器內進行加熱的裝置，該加熱處理裝置具有：載置部，其設置于處理容器內，用于載置基板；以及加熱部，其用于對載置于載置部的基板進行加熱。另外，在專利文獻1中，處理容器具有構成頂部的蓋部，在蓋部的上表面部與下表面部之間形成有排氣室。在蓋部的下表面部的周邊部形成有與排氣室連通的外周排氣口。在蓋面部的下表面部的中央部形成有中央排氣口。中央排氣口與被設置為貫通排氣室的中央排氣管的一端側連接。

2、現(xiàn)有技術文獻

3、專利文獻

4、專利文獻1：日本特開2021-9923號公報

技術實現(xiàn)思路

1、發(fā)明要解決的問題

2、本公開所涉及的技術在不損害加熱處理后的涂布膜的基板面內均勻性的情況下，抑制基板產生起因于在加熱中在處理空間內產生的物質的缺陷。

3、用于解決問題的方案

4、本公開的一個方式是一種加熱處理裝置，所述加熱處理裝置對形成有涂布膜的基板進行加熱，所述加熱處理裝置具備：處理容器，在所述處理容器形成收容基板的處理空間；熱板，其具有載置被收容于所述處理空間的基板的載置面和對基板進行加熱的加熱部；調整機構，其調整基板相對于所述熱板的高度；排氣部，其對所述處理空間進行排氣；以及控制部，其中，所述控制部進行控制以執(zhí)行以下工序：(a)工序，將基板相對于所述熱板的高度設為離所述熱板規(guī)定的距離的規(guī)定的高度，并開始基板的加熱處理；以及(b)工序，在所述加熱處理成為了規(guī)定的進展程度時，使基板相對于所述熱板的高度低于所述規(guī)定的高度，設為將基板載置于所述熱板的狀態(tài)或使基板與所述熱板接近的狀態(tài)，并且將所述處理空間的排氣從斷開切換為接通。

5、發(fā)明的效果

6、根據(jù)本公開，能夠在不損害加熱處理后的涂布膜的基板面內均勻性的情況下，抑制基板產生起因于在加熱中在處理空間內產生的物質的缺陷。

技術特征：

1.一種加熱處理裝置，對形成有涂布膜的基板進行加熱，所述加熱處理裝置具備：

2.根據(jù)權利要求1所述的加熱處理裝置，其中，

3.根據(jù)權利要求2所述的加熱處理裝置，其中，

4.根據(jù)權利要求1～3中的任一項所述的加熱處理裝置，其中，

5.根據(jù)權利要求1～3中的任一項所述的加熱處理裝置，其中，

6.根據(jù)權利要求4所述的加熱處理裝置，其中，

7.根據(jù)權利要求5所述的加熱處理裝置，其中，

8.根據(jù)權利要求1所述的加熱處理裝置，其中，

9.根據(jù)權利要求8所述的加熱處理裝置，其中，

10.一種加熱處理方法，對形成有涂布膜的基板進行加熱，所述加熱處理方法包括：

11.一種可讀取的計算機存儲介質，保存有程序，該程序在控制加熱處理裝置的控制部的計算機上動作以使該加熱處理裝置執(zhí)行對形成有涂布膜的基板進行加熱的加熱處理方法，

技術總結
一種加熱處理裝置，對形成有涂布膜的基板進行加熱，所述加熱處理裝置具備：處理容器，在所述處理容器形成收容基板的處理空間；熱板，其具有載置被收容于所述處理空間的基板的載置面和對基板進行加熱的加熱部；調整機構，其調整基板相對于所述熱板的高度；排氣部，其對所述處理空間進行排氣；以及控制部，其中，所述控制部進行控制以執(zhí)行以下工序：(A)工序，將基板相對于所述熱板的高度設為離所述熱板規(guī)定的距離的規(guī)定的高度，并開始基板的加熱處理；以及(B)工序，在所述加熱處理成為了規(guī)定的進展程度時，使基板相對于所述熱板的高度低于所述規(guī)定的高度，設為將基板載置于所述熱板的狀態(tài)或使基板與所述熱板接近的狀態(tài)，并且將所述處理空間的排氣從斷開切換為接通。

技術研發(fā)人員：田中公一朗,大塚幸信,寺下裕一
受保護的技術使用者：東京毅力科創(chuàng)株式會社
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/12/19