本發(fā)明的實(shí)施方式涉及半導(dǎo)體裝置及其制造方法。

背景技術(shù)：

1、例如，在半導(dǎo)體裝置中期望提高特性。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的實(shí)施方式提供一種能夠提高特性的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。

2、根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，半導(dǎo)體裝置包括第1電極、第2電極、第3電極、第1半導(dǎo)體區(qū)域以及第2半導(dǎo)體區(qū)域。所述第1電極在第1方向上延伸。所述第2電極在所述第1方向上延伸。從所述第1電極向所述第2電極的第2方向相對(duì)所述第1方向垂直。所述第3電極在所述第1方向上延伸。所述第3電極的所述第2方向上的位置處于所述第1電極的所述第2方向上的位置與所述第2電極的所述第2方向上的位置之間。所述第1半導(dǎo)體區(qū)域包含alx1ga1-x1n(0≤x1<1)。所述第1半導(dǎo)體區(qū)域包括第1部分區(qū)域、第2部分區(qū)域、第3部分區(qū)域、第4部分區(qū)域以及第5部分區(qū)域。從所述第1部分區(qū)域向所述第1電極的第3方向與包括所述第1方向以及所述第2方向的平面交叉。從所述第2部分區(qū)域向所述第2電極的方向沿著所述第3方向。從所述第3部分區(qū)域向所述第3電極的方向沿著所述第3方向。所述第4部分區(qū)域的所述第2方向上的位置處于所述第1部分區(qū)域的所述第2方向上的位置與所述第3部分區(qū)域的所述第2方向上的位置之間。所述第5部分區(qū)域的所述第2方向上的位置處于所述第3部分區(qū)域的所述第2方向上的所述位置與所述第2部分區(qū)域的所述第2方向上的位置之間。所述第2半導(dǎo)體區(qū)域包含alx2ga1-x2n(0<x2<1、x1<x2)。所述第2半導(dǎo)體區(qū)域包括第1半導(dǎo)體部分以及第2半導(dǎo)體部分。從所述第4部分區(qū)域向所述第1半導(dǎo)體部分的方向沿著所述第3方向。從所述第5部分區(qū)域向所述第2半導(dǎo)體部分的方向沿著所述第3方向。所述第2半導(dǎo)體部分包括第1區(qū)域以及第2區(qū)域。所述第1區(qū)域的所述第2方向上的位置處于所述第2區(qū)域的所述第2方向上的位置與所述第2電極的所述第2方向上的所述位置之間。所述第1區(qū)域中的氟的濃度高于所述第2區(qū)域中的氟的濃度?；蛘撸龅?區(qū)域包含氟且所述第2區(qū)域不包含氟。

3、根據(jù)上述結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置，可提供能夠提高特性的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體裝置，具備：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中，

10.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其中，

技術(shù)總結(jié)
提供能夠提高特性的半導(dǎo)體裝置及其制造方法。根據(jù)實(shí)施方式，半導(dǎo)體裝置包括第1～第3電極、第1、第2半導(dǎo)體區(qū)域。第1半導(dǎo)體區(qū)域包含Al<subgt;x1</subgt;Ga<subgt;1?x1</subgt;N(0≤x1<1)。第2半導(dǎo)體區(qū)域包含Al<subgt;x2</subgt;Ga<subgt;1?x2</subgt;N(0<x2<1、x1<x2)。第2半導(dǎo)體區(qū)域包括第1半導(dǎo)體部分以及第2半導(dǎo)體部分。第2半導(dǎo)體部分包括第1區(qū)域以及第2區(qū)域。第1區(qū)域的第2方向上的位置處于第2區(qū)域的第2方向上的位置與第2電極的第2方向上的位置之間。第1區(qū)域中的氟的濃度高于第2區(qū)域中的氟的濃度?；蛘叩?區(qū)域包含氟且第2區(qū)域不包含氟。

技術(shù)研發(fā)人員：田島純平,黃博勤,新留彩,梶原瑛祐,彥坂年輝,藏口雅彥
受保護(hù)的技術(shù)使用者：株式會(huì)社東芝
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/11/26