本發(fā)明涉及具備具有半導(dǎo)體元件的基板和多個(gè)主端子的半導(dǎo)體裝置。

背景技術(shù)：

1、以往，半導(dǎo)體裝置具備具有igbt(insulated?gate?bipolar?transistor：絕緣柵雙極晶體管)等半導(dǎo)體元件的基板。這種半導(dǎo)體裝置在基板的一側(cè)配置有與外部導(dǎo)體連接的正極端子、負(fù)極端子等主端子(例如，參照專利文獻(xiàn)1～3)。

2、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

3、專利文獻(xiàn)

4、專利文獻(xiàn)1：日本特開2021-120975號(hào)公報(bào)

5、專利文獻(xiàn)2：國(guó)際公開第2021/033565號(hào)

6、專利文獻(xiàn)3：國(guó)際公開第2013/128787號(hào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、發(fā)明要解決的問題

2、然而，在半導(dǎo)體裝置中，若主電路電感增加，則會(huì)產(chǎn)生浪涌電壓的產(chǎn)生等問題。相伴于此，還會(huì)產(chǎn)生需要能夠確保高電壓、耐熱的半導(dǎo)體元件的構(gòu)造等問題。

3、另外，上述的正極端子、負(fù)極端子等主端子與基板連接，因此，主端子的寬度越寬，則基板上的電路層越擴(kuò)大，進(jìn)而使半導(dǎo)體裝置大型化。

4、本發(fā)明的目的在于提供一種能夠簡(jiǎn)化構(gòu)造并且能夠?qū)崿F(xiàn)電感降低的半導(dǎo)體裝置。

5、用于解決問題的方案

6、在一技術(shù)方案中，半導(dǎo)體裝置具備：基板，其具有半導(dǎo)體元件；以及第1主端子和第2主端子，其相對(duì)于所述基板位于與該基板的搭載所述半導(dǎo)體元件的搭載面平行的第1方向上的一側(cè)，所述第1主端子具有：第1外部連接部分，其與外部導(dǎo)體連接；以及第1狹窄部分，其在與所述搭載面平行且與所述第1方向正交的第2方向上的寬度窄于所述第1外部連接部分在該第2方向上的寬度，該第1狹窄部分與所述基板連接，所述第2主端子具有：第2外部連接部分，其與外部導(dǎo)體連接；以及第2狹窄部分，其在所述第2方向上的寬度窄于所述第2外部連接部分在該第2方向上的寬度，該第2狹窄部分與所述基板連接，所述第1狹窄部分的所述第2方向上的中心位于比所述第1外部連接部分的所述第2方向上的中心靠所述第2主端子側(cè)的位置，所述第2狹窄部分的所述第2方向上的中心位于比所述第2外部連接部分的所述第2方向上的中心靠所述第1主端子側(cè)的位置。

7、發(fā)明的效果

8、根據(jù)上述技術(shù)方案，能夠簡(jiǎn)化構(gòu)造并且能夠?qū)崿F(xiàn)電感降低。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

7.根據(jù)權(quán)利要求1～6中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體裝置。在半導(dǎo)體裝置中，簡(jiǎn)化構(gòu)造，并且實(shí)現(xiàn)電感降低。半導(dǎo)體裝置具備相對(duì)于基板位于與基板的搭載半導(dǎo)體元件的搭載面平行的第1方向上的一側(cè)的第1主端子(P端子)和第2主端子(N端子)。第1主端子的第1狹窄部分的與搭載面平行且與第1方向正交的第2方向上的寬度窄于第1外部連接部分的第2方向上的寬度。第2主端子的第2狹窄部分的第2方向上的寬度窄于第2外部連接部分的第2方向上的寬度。第1狹窄部分的第2方向上的中心位于比第1外部連接部分的第2方向上的中心靠第2主端子側(cè)的位置。第2狹窄部分的第2方向上的中心位于比第2外部連接部分的第2方向上的中心靠第1主端子側(cè)的位置。

技術(shù)研發(fā)人員：佐藤悠司
受保護(hù)的技術(shù)使用者：富士電機(jī)株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/24