本公開涉及半導(dǎo)體裝置的制造方法以及構(gòu)造，特別是涉及使用膏狀的接合材料將半導(dǎo)體芯片等被接合體接合于基板等母材上的技術(shù)。

背景技術(shù)：

1、在通常的半導(dǎo)體裝置的制造中，在將半導(dǎo)體芯片接合于基板上的情況下，首先，向基板的上表面供給熔融的焊料、或者使焊料在基板上熔融，接著，在熔融的焊料之上載置半導(dǎo)體芯片并壓扁焊料，從而使焊料浸濕擴(kuò)展于半導(dǎo)體芯片的下表面整體，然后，通過使焊料凝固而將半導(dǎo)體芯片接合于基板。在用半導(dǎo)體芯片壓扁焊料時(shí)，焊料以同心圓狀擴(kuò)展，因此焊料難以擴(kuò)展到半導(dǎo)體芯片的角部，因而在半導(dǎo)體芯片的角部容易產(chǎn)生焊料的浸潤不良。

2、例如在下述的專利文獻(xiàn)1中公開了：通過在基板上在半導(dǎo)體芯片的中心部之下具有交叉部，并以朝向半導(dǎo)體芯片的四角延伸的十字型供給焊料，由此焊料容易擴(kuò)展到半導(dǎo)體芯片的角部的技術(shù)。

3、另外，如下述的專利文獻(xiàn)2所說明的那樣，在使用一般的燒結(jié)接合材料(以下稱為“燒結(jié)材料”)的半導(dǎo)體裝置的制造中，將膏狀的燒結(jié)材料以與半導(dǎo)體芯片相同的形狀供給，并使燒結(jié)材料干燥后在其上載置半導(dǎo)體芯片，通過加壓以及加熱，將半導(dǎo)體芯片接合于基板。在專利文獻(xiàn)2中公開了控制燒結(jié)材料的燒結(jié)密度的技術(shù)。

4、專利文獻(xiàn)1：日本特開2011-238647號(hào)公報(bào)

5、專利文獻(xiàn)2：日本特開2014-29897號(hào)公報(bào)

6、本發(fā)明的課題在于兼顧使接合材料擴(kuò)展到半導(dǎo)體芯片的角部和控制燒結(jié)密度。

7、另外，若接合材料為焊料，即使被半導(dǎo)體芯片壓扁的焊料向半導(dǎo)體芯片的外側(cè)露出，焊料的形狀也會(huì)因表面張力而變化，因此焊料不會(huì)爬升到難以被焊料浸潤的半導(dǎo)體芯片的側(cè)面。但是在接合材料為膏狀的燒結(jié)材料的情況下，不會(huì)產(chǎn)生由表面張力引起的形狀變化，因而燒結(jié)材料向半導(dǎo)體芯片的側(cè)面爬升。在燒結(jié)材料爬升到半導(dǎo)體芯片的側(cè)面的情況下，會(huì)產(chǎn)生在實(shí)施高溫高濕偏置試驗(yàn)(thb試驗(yàn))等時(shí)漏電電流增加、可靠性降低的問題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開是為了解決以上那樣的課題所做出的，目的在于在使用膏狀的接合材料使被接合體接合于母材上時(shí)，實(shí)現(xiàn)兼顧使接合材料擴(kuò)展到被接合體的角部和控制接合材料的密度，并且有助于半導(dǎo)體裝置的可靠性的提高。

2、本公開的半導(dǎo)體裝置的制造方法，具備以下工序：a.將膏狀的接合材料供給到母材之上的工序；和b.在所述接合材料之上載置被接合體，用所述被接合體壓扁所述接合材料，并且通過所述接合材料使所述被接合體接合于所述母材的工序，所述被接合體在俯視觀察時(shí)為矩形，在所述工序a中被供給到所述母材之上的所述接合材料，在所述被接合體載置于所述接合材料之上時(shí)具有：位于所述被接合體的中央的中央部、從所述中央部朝向所述被接合體的各頂點(diǎn)延伸并具有與所述被接合體的各頂點(diǎn)的角形狀對(duì)應(yīng)的形狀的延伸部、以及從所述被接合體的各邊后退的后退部，在所述工序b之后，所述接合材料向所述被接合體的側(cè)面爬升的上端與所述被接合體的上表面之間的距離為40μm以上。

3、根據(jù)本公開，在使用膏狀的接合材料使被接合體接合于母材上時(shí)，能夠兼顧使接合材料擴(kuò)展到被接合體的角部和控制接合材料的密度，并且能夠有助于提高半導(dǎo)體裝置的可靠性。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，具備以下工序：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中的任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

5.一種半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的制造方法以及半導(dǎo)體裝置，實(shí)現(xiàn)兼顧使接合材料擴(kuò)展到被接合體的角部和控制接合材料的密度，并且有助于提高半導(dǎo)體裝置的可靠性。半導(dǎo)體裝置的制造方法具備：將膏狀的接合材料供給到母材之上的工序；和在接合材料之上載置被接合體，用被接合體壓扁接合材料，并且通過接合材料使被接合體接合于母材的工序。被接合體在俯視觀察時(shí)為矩形。供給到母材之上的接合材料具有：位于被接合體的中央的中央部、從中央部朝向被接合體的各頂點(diǎn)延伸并具有與被接合體的各頂點(diǎn)的角形狀對(duì)應(yīng)的形狀的延伸部、以及從被接合體的各邊后退的后退部。接合材料向被接合體的側(cè)面爬升的上端與被接合體的上表面之間的距離為40μm以上。

技術(shù)研發(fā)人員：境紀(jì)和
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三菱電機(jī)株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19