本發(fā)明涉及在絕緣體配置有中心電極的火花塞。

背景技術(shù)：

1、專利文獻(xiàn)1公開了中心電極的前端部從絕緣體的前端突出的火花塞的現(xiàn)有技術(shù)。

2、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

3、專利文獻(xiàn)

4、專利文獻(xiàn)1：日本特開平6-36856號公報(bào)

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、發(fā)明所要解決的課題

2、在現(xiàn)有技術(shù)中，通過發(fā)動(dòng)機(jī)的燃燒壓力對中心電極的前端部施加使中心電極彎曲的力。為了提高火花塞的耐久性等，優(yōu)選中心電極的前端部的彎曲應(yīng)力小。

3、本發(fā)明是為了應(yīng)對該要求而完成的，其目的在于提供一種能夠降低中心電極的前端部的彎曲應(yīng)力的火花塞。

4、用于解決課題的手段

5、為了實(shí)現(xiàn)該目的，本發(fā)明的第一方式具備：絕緣體，設(shè)置有從前端朝后端側(cè)延伸的軸孔；及中心電極，配置于絕緣體的軸孔且沿著軸線延伸，中心電極包括從絕緣體的前端突出的前端部，前端部包括在包括軸線的截面中位于絕緣體的前端的根部和寬度比根部的寬度小的電極前端。在該截面中出現(xiàn)的連結(jié)前端部的根部與電極前端而成的外形線包括一個(gè)以上的朝軸線凹陷的凹部，凹部中的最靠近根部的后端凹部的曲率半徑r除以電極前端與后端凹部之間的軸線方向的距離a而得到的值r/a為0.12以上。

6、第二方式在第一方式的基礎(chǔ)上，值r/a為0.22以上。

7、第三方式在第一或第二方式的基礎(chǔ)上，后端凹部處的與軸線垂直的方向的前端部的粗細(xì)c為0.8mm以上。

8、第四方式在第三方式的基礎(chǔ)上，距離a為0.9mm以下，粗細(xì)c為0.9mm以下。

9、第五方式在第三或第四方式的基礎(chǔ)上，粗細(xì)c除以距離a而得到的值c/a為1.42以上。

10、第六方式在第一至第五方式中的任一方式的基礎(chǔ)上，前端部包括：母材，包括根部；端頭，包括電極前端且含有貴金屬；及熔融部，形成于端頭與母材之間。母材包括后端凹部，熔融部在位于軸線的兩側(cè)的兩個(gè)外形線之間連續(xù)。

11、第七方式在第一至第六方式中的任一方式的基礎(chǔ)上，前端部包括：第一部，包括根部；第二部，與第一部的前端側(cè)相鄰且比第一部細(xì)；端頭，包括電極前端且含有貴金屬；及熔融部，形成于端頭與第二部之間。后端凹部位于第一部與第二部的邊界。

12、第八方式在第一至第七方式中的任一方式的基礎(chǔ)上，值r/a為0.3以下。

13、發(fā)明效果

14、前端部的外形線的凹部中的最接近前端部的根部的后端凹部的曲率半徑r除以后端凹部與電極前端之間的軸線方向的距離a而得到的值r/a為0.12以上，因此能夠降低前端部的彎曲應(yīng)力。

技術(shù)特征：

1.一種火花塞，具備：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的火花塞，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的火花塞，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的火花塞，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的火花塞，其中，

6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的火花塞，其中，

7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的火花塞，其中，

8.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的火花塞，其中，

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種火花塞，能夠降低中心電極的前端部的彎曲應(yīng)力?；鸹ㄈ邆洌航^緣體，設(shè)置有從前端朝后端側(cè)延伸的軸孔；及中心電極，配置于絕緣體的軸孔且沿著軸線延伸，中心電極包括從絕緣體的前端突出的前端部，前端部在包括軸線的截面中包括位于絕緣體的前端的根部和寬度比根部的寬度小的電極前端。在截面中出現(xiàn)的連結(jié)前端部的根部與電極前端而成的外形線包括一個(gè)以上的朝軸線凹陷的凹部，凹部中的最靠近根部的后端凹部的曲率半徑(R)除以后端凹部與電極前端之間的軸線方向的距離(A)而得到的值(R/A)為0.12以上。

技術(shù)研發(fā)人員：左高直輝
受保護(hù)的技術(shù)使用者：日本特殊陶業(yè)株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/10