本公開涉及一種用于定位半導(dǎo)體器件的方法及一種用于半導(dǎo)體器件的對(duì)應(yīng)定位裝置。例如，本文所述的實(shí)施例可應(yīng)用于生產(chǎn)晶片級(jí)芯片尺寸封裝(wlcsp)集成電路半導(dǎo)體器件。

背景技術(shù)：

1、指定的晶片級(jí)芯片尺寸封裝(wlcsp)應(yīng)用于這樣的技術(shù)，其中集成電路在晶片級(jí)被封裝，而不是在從晶片切割它們之后作為單獨(dú)的單元。

2、由wlcsp處理得到的最終器件是半導(dǎo)體芯片或管芯，其具有以輸入/輸出節(jié)距附著的凸塊或焊球陣列，這有利于電路板組裝工藝。因此，所得到的封裝基本上具有與芯片或管芯相同的尺寸。

3、wlcsp技術(shù)有利地省去了接合線或類似連接件，并且除了減小封裝尺寸之外，還可以提供從管芯到襯底(例如，印刷電路板pcb)的減小的電感。

4、一種稱為“扇入(fan－in)”的wlcsp類別限制了焊球到僅在芯片頂部上的焊盤的重定向，然后按芯片尺寸定尺寸，但也沒有過模制(overmold)，并且然后暴露芯片襯底側(cè)壁。

5、在應(yīng)用wlcsp技術(shù)中可能出現(xiàn)的問題涉及當(dāng)將器件對(duì)齊(對(duì)中)在接觸引腳(例如所謂的“彈簧針”引腳pogo-pins)上時(shí)將封裝插入測(cè)試插座腔中。這些是考慮到它們對(duì)機(jī)械沖擊和振動(dòng)的耐性而使用的電連接器。

6、這種處理可以有利地發(fā)生在對(duì)中(centering)階段，其中利用自動(dòng)對(duì)中倒角將模塊放置在“個(gè)性化”插座中。

7、注意，將這種方法應(yīng)用于wlcsp器件在正確(right)的解決方案中可能不是特別有吸引力的，因?yàn)檫@可能導(dǎo)致管芯的拐角、側(cè)壁和有源面的不期望的損壞。

8、當(dāng)使用卷到卷(reel-to-reel)處理機(jī)器并且使用拾取和放置技術(shù)時(shí)，這不利于個(gè)性化(定制)扇入式wlcsp封裝，例如與切割之前的晶片級(jí)個(gè)性化相比。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本文所描述的解決方案的目的在于解決前述問題。

2、該目的可通過本文所述的方法實(shí)現(xiàn)。

3、一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例涉及相應(yīng)的裝置。

4、在本文所述的解決方案中，諸如真空杯的工具可用于拾取管芯并與“嵌套”配合，以便于在嵌套水平上機(jī)械預(yù)對(duì)齊，而不會(huì)不適當(dāng)?shù)叵拗圃凇安遄彼缴系姆胖脺?zhǔn)確度。

5、通過這種方式，對(duì)齊裝置的邊緣可以與通常設(shè)置有保護(hù)層(涂層)的管芯的后側(cè)或底側(cè)接觸，而不是與易碎的正面或頂部(有源)側(cè)面，側(cè)壁或角接觸。

6、本文所述的解決方案促進(jìn)拾取和放置取樣和預(yù)制造活動(dòng)，從而通過與取樣和預(yù)制造處于晶片級(jí)、因此昂貴且難以與所需的上市時(shí)間策略兼容的常規(guī)解決方案相比增強(qiáng)對(duì)齊準(zhǔn)確度而使這些活動(dòng)更快速。

技術(shù)特征：

1.一種方法，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中：

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一對(duì)齊部件和所述第二對(duì)齊部件具有互補(bǔ)配合結(jié)構(gòu)，其中所述第一對(duì)齊部件和所述第二對(duì)齊部件經(jīng)由所述互補(bǔ)配合結(jié)構(gòu)相互對(duì)齊。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述互補(bǔ)配合結(jié)構(gòu)包括由所述第一對(duì)齊部件和所述第二對(duì)齊部件承載的互補(bǔ)配合腔和突起。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述半導(dǎo)體器件包括晶片級(jí)芯片尺寸封裝半導(dǎo)體器件。

6.一種裝置，包括：

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其中：

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的裝置，其中所述第一對(duì)齊部件和所述第二對(duì)齊部件具有互補(bǔ)配合結(jié)構(gòu)，其中所述第一對(duì)齊部件和所述第二對(duì)齊部件響應(yīng)于所述互補(bǔ)配合結(jié)構(gòu)相互接合而被相互對(duì)齊。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的裝置，其中，所述互補(bǔ)配合結(jié)構(gòu)包括由所述第一對(duì)齊部件和所述第二對(duì)齊部件承載的互補(bǔ)配合腔和突起。

10.一種方法，包括：

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述倒角表面包括錐形表面，所述錐形表面在從所述第一對(duì)齊部件的第一端朝向第二端的錐形方向上會(huì)聚。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中將所述半導(dǎo)體器件對(duì)齊到所述第一對(duì)齊部件包括相對(duì)于所述倒角表面在所述錐形方向上推進(jìn)所述半導(dǎo)體器件。

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其中受保護(hù)的所述第二表面被暴露于所述倒角表面。

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述第一對(duì)齊部件和所述第二對(duì)齊部件具有互補(bǔ)配合結(jié)構(gòu)，其中所述第一對(duì)齊部件和所述第二對(duì)齊部件通過所述互補(bǔ)配合結(jié)構(gòu)被相互對(duì)齊。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，所述互補(bǔ)配合結(jié)構(gòu)包括由所述第一對(duì)齊部件和所述第二對(duì)齊部件承載的互補(bǔ)配合腔和突起。

16.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中，所述第一對(duì)齊部件包括在面向所述第二對(duì)齊部件的第三表面中的多個(gè)腔。

17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中，所述第二對(duì)齊部件包括多個(gè)突起，所述多個(gè)突起面向所述多個(gè)腔并且被配置成與所述多個(gè)腔相互作用和對(duì)齊。

技術(shù)總結(jié)
本公開涉及用于定位半導(dǎo)體器件的方法和對(duì)應(yīng)的定位裝置。提供了一種用于將晶片級(jí)芯片尺寸封裝(WLCSP)半導(dǎo)體器件的第一表面處的諸如凸塊或焊球的電接觸構(gòu)件與諸如“pogo(彈簧針)”引腳的導(dǎo)電引腳陣列中的導(dǎo)電引腳對(duì)齊的方法和裝置。半導(dǎo)體器件包括與第一表面相對(duì)的由保護(hù)層保護(hù)的第二表面。該方法包括通過將半導(dǎo)體器件的受保護(hù)的第二表面暴露于第一對(duì)齊部件中的倒角表面來將半導(dǎo)體器件對(duì)齊到第一對(duì)齊部件。第二對(duì)齊部件與導(dǎo)電引腳陣列對(duì)齊。響應(yīng)于第一和第二對(duì)齊部件相互對(duì)齊，響應(yīng)于半導(dǎo)體器件“著陸”到導(dǎo)電引腳陣列上，電接觸構(gòu)件如期望地相對(duì)于導(dǎo)電引腳陣列對(duì)齊。

技術(shù)研發(fā)人員：M·阿沃西·烏維里,G·費(fèi)爾皮,F·科斯特,A·格里瑪,P·J·S·佩拉爾塔
受保護(hù)的技術(shù)使用者：意法半導(dǎo)體國(guó)際公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/10