本發(fā)明涉及r-t-b類永磁鐵。

背景技術(shù)：

1、在專利文獻(xiàn)1中記載了關(guān)于稀土類永磁鐵材料的制造方法的發(fā)明。記載有通過向燒結(jié)磁體表面供給稀土元素(特別是dy和/或tb)的化合物等進(jìn)行熱處理，能夠提供具有高的剩余磁通密度br和矯頑力hcj的稀土永磁鐵材料。

2、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

3、專利文獻(xiàn)

4、專利文獻(xiàn)1：國際公開第2006/043348號

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、發(fā)明要解決的課題

2、本發(fā)明的目的在于得到剩余磁通密度br、矯頑力hcj和矩形比hk/hcj高的r-t-b類永磁鐵。

3、用于解決課題的方法

4、為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種r-t-b類永磁鐵，其具有由芯和殼構(gòu)成的主相和與所述主相相鄰的晶界相，

5、所述殼含有tb，

6、所述殼的厚度為70nm以上，

7、所述殼中的tb濃度的最大值為1.7at％以上。

8、所述殼中的tb濃度也可以隨著從所述芯的附近向所述晶界相的附近去而逐漸增加。

9、在所述殼的內(nèi)部從所述芯朝向所述晶界相以10nm間隔設(shè)定tb濃度的測量點的情況下，越接近所述晶界相的測量點，tb濃度可以越高，且相鄰的測量點間的tb濃度之差也可以全部為0.01at％以上0.50at％以下。

10、將所述殼中的tb濃度的最大值設(shè)為[tbs]，將所述晶界相中的tb濃度的最大值設(shè)為[tbb]時，

11、也可以為1.0≤[tbb]/[tbs]≤1.5。

12、tb的含量也可以為0.6質(zhì)量％以上2.1質(zhì)量％以下。

13、也可以含有fe或fe和co作為過渡金屬元素。

14、所述晶界相也可以含有選自fe和co中的1種以上，所述晶界相中的fe和co的合計濃度的最小值也可以為65.0at％以下。

15、矩形比hk/hcj也可以為97.0％以上。

技術(shù)特征：

1.一種r-t-b類永磁鐵，其特征在于：

2.如權(quán)利要求1所述的r-t-b類永磁鐵，其特征在于：

3.如權(quán)利要求1或2所述的r-t-b類永磁鐵，其特征在于：

4.如權(quán)利要求1或2所述的r-t-b類永磁鐵，其特征在于：

5.如權(quán)利要求1或2所述的r-t-b類永磁鐵，其特征在于：

6.如權(quán)利要求1或2所述的r-t-b類永磁鐵，其特征在于：

7.如權(quán)利要求1或2所述的r-t-b類永磁鐵，其特征在于：

8.如權(quán)利要求1或2所述的r-t-b類永磁鐵，其特征在于：

技術(shù)總結(jié)
一種R?T?B類永磁鐵，其具有由芯和殼構(gòu)成的主相和與主相相鄰的晶界相。殼含有Tb。殼的厚度為70nm以上。殼中的Tb濃度的最大值為1.7at％以上。

技術(shù)研發(fā)人員：粉川育也,藤川佳則,諏訪孝裕,大川和香子
受保護(hù)的技術(shù)使用者：TDK株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/10