本發(fā)明的例示的實施方式涉及基片處理裝置。

背景技術：

1、在基片處理裝置中，作為利用腔室內的齒輪驅動排氣環(huán)的技術，存在專利文獻1所記載的技術。

2、現(xiàn)有技術文獻

3、專利文獻

4、專利文獻1：美國專利申請公開2018/0202045號說明書

技術實現(xiàn)思路

1、發(fā)明要解決的技術問題

2、本發(fā)明提供一種能夠在包括擋板結構的基片處理裝置中減少腔室內的污染的技術。

3、用于解決技術問題的技術方案

4、本發(fā)明的一個例示的實施方式中的基片處理裝置包括：具有側壁的腔室；配置在腔室內的基片支承部；第一環(huán)狀擋板，其配置在基片支承部與腔室的側壁之間，具有上表面和下表面，第一環(huán)狀擋板具有從上表面貫通至下表面的多個第一開口；第二環(huán)狀擋板，其與第一環(huán)狀擋板在縱向上重疊地配置，具有上表面、下表面和第一外側邊緣面，第二環(huán)狀擋板具有從上表面貫通至下表面的多個第二開口，第二環(huán)狀擋板包含配置在第一外側邊緣面的第一磁鐵結構體；和配置在腔室外的第一驅動單元，第一驅動單元包括：第二磁鐵結構體，其以隔著腔室的側壁與第一磁鐵結構體相對的方式配置；和第一致動器，其構成為能夠通過使第二磁鐵結構體在橫向上旋轉而使第一磁鐵結構體在橫向上旋轉，通過第一磁鐵結構體的橫向的旋轉而使第二環(huán)狀擋板相對于第一環(huán)狀擋板在橫向上旋轉。

5、發(fā)明效果

6、根據(jù)本發(fā)明的一個例示的實施方式，可提供一種能夠在包含擋板結構的基片處理裝置中減少腔室內的污染的技術。

技術特征：

1.一種基片處理裝置，其特征在于，包括：

2.如權利要求1所述的基片處理裝置，其特征在于：

3.如權利要求2所述的基片處理裝置，其特征在于：

4.如權利要求2所述的基片處理裝置，其特征在于：

5.如權利要求4所述的基片處理裝置，其特征在于：

6.如權利要求5所述的基片處理裝置，其特征在于：

7.如權利要求1所述的基片處理裝置，其特征在于：

8.如權利要求7所述的基片處理裝置，其特征在于：

9.如權利要求8所述的基片處理裝置，其特征在于：

10.如權利要求7所述的基片處理裝置，其特征在于，還包括：

11.如權利要求10所述的基片處理裝置，其特征在于：

12.一種基片處理裝置，其特征在于，包括：

13.如權利要求12所述的基片處理裝置，其特征在于：

14.如權利要求13所述的基片處理裝置，其特征在于：

15.一種基片處理裝置，其特征在于，包括：

16.如權利要求15所述的基片處理裝置，其特征在于：

17.如權利要求16所述的基片處理裝置，其特征在于：

18.一種基片處理裝置，其特征在于，包括：

19.如權利要求18所述的基片處理裝置，其特征在于：

20.如利要求19所述的基片處理裝置，其特征在于：

技術總結
本發(fā)明提供能夠在包含擋板結構的基片處理裝置中降低腔室內的污染的基片處理裝置?；幚硌b置包括：配置在基片支承部與腔室的側壁之間的第一環(huán)狀擋板；與第一環(huán)狀擋板在縱向上與重疊地配置的第二環(huán)狀擋板；和配置在腔室外的第一驅動單元，其包括第一致動器，第一致動器構成為能夠通過使上述第二磁鐵結構體在橫向上旋轉而使上述第一磁鐵結構體在橫向上旋轉，通過第一磁鐵結構體的橫向上旋轉而使第二環(huán)狀擋板相對于第一環(huán)狀擋板在橫向上旋轉。

技術研發(fā)人員：網(wǎng)倉紀彥,松本直樹
受保護的技術使用者：東京毅力科創(chuàng)株式會社
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/11/28