本發(fā)明涉及燒結(jié)接合用卷繞片。詳細(xì)而言,本發(fā)明涉及以帶狀形成的燒結(jié)接合用片沿著長(zhǎng)度方向卷繞而成的燒結(jié)接合用卷繞片。
背景技術(shù):
1、以往,在半導(dǎo)體裝置的制造中已知的是:使用燒結(jié)接合層,在具有半導(dǎo)體元件搭載區(qū)域的基板上安裝半導(dǎo)體元件(例如下述專(zhuān)利文獻(xiàn)1)。
2、另外,下述專(zhuān)利文獻(xiàn)1中記載了以包含燒結(jié)性顆粒和有機(jī)粘結(jié)劑的層的形式構(gòu)成前述燒結(jié)接合層。
3、并且,半導(dǎo)體裝置的制造例如使用將燒結(jié)接合層層疊在基材上而得到的燒結(jié)接合用片來(lái)實(shí)施,該燒結(jié)接合用片通常以具有長(zhǎng)度方向和寬度方向的帶狀形成。
4、上述那樣的半導(dǎo)體裝置的制造例如按照下述步驟來(lái)實(shí)施。
5、(1)制成在具有基材和層疊在該基材上的粘合劑層的切割帶的前述粘合劑層上安裝有半導(dǎo)體晶片的狀態(tài)后,將安裝于前述粘合劑層的狀態(tài)的前述半導(dǎo)體晶片切割,單片化成多個(gè)半導(dǎo)體元件。
6、(2)使用夾持器等夾具,從前述切割帶的前述粘合劑層上拾取一個(gè)半導(dǎo)體元件后,向燒結(jié)接合用片所具備的燒結(jié)接合層上按壓前述一個(gè)半導(dǎo)體元件,將前述燒結(jié)接合層的一部分以尺寸相當(dāng)于前述一個(gè)半導(dǎo)體元件的尺寸的方式進(jìn)行分割。
7、并且,通過(guò)利用存在于與前述一個(gè)半導(dǎo)體元件抵接的抵接面?zhèn)鹊挠袡C(jī)粘結(jié)劑,將如上那樣分割的前述燒結(jié)接合層粘接于前述一個(gè)半導(dǎo)體元件,從而使分割出的前述燒結(jié)接合層轉(zhuǎn)印于前述一個(gè)半導(dǎo)體元件。
8、(3)利用存在于與前述一個(gè)半導(dǎo)體元件抵接的抵接面的相反面?zhèn)鹊挠袡C(jī)粘結(jié)劑,使轉(zhuǎn)印有分割出的前述燒結(jié)接合層的前述一個(gè)半導(dǎo)體元件粘接于具有多個(gè)半導(dǎo)體元件搭載區(qū)域的基板中的一個(gè)半導(dǎo)體元件的搭載區(qū)域。
9、即,利用前述有機(jī)粘結(jié)劑,使前述一個(gè)半導(dǎo)體元件臨時(shí)固定于前述基板中的一個(gè)半導(dǎo)體元件搭載區(qū)域。
10、(4)通過(guò)實(shí)施多次上述(2)和(3),從而利用分割出的多個(gè)前述燒結(jié)接合層分別使多個(gè)半導(dǎo)體元件分別臨時(shí)固定于前述基板中的多個(gè)半導(dǎo)體元件的搭載區(qū)域中的各個(gè)區(qū)域,從而得到半導(dǎo)體裝置的中間制品。
11、(5)通過(guò)將前述半導(dǎo)體裝置的中間制品在前述燒結(jié)接合層中的前述燒結(jié)性顆粒彼此能夠燒結(jié)的溫度下進(jìn)行加熱,從而在前述燒結(jié)接合層中使前述燒結(jié)性顆粒彼此燒結(jié),并且,通過(guò)使前述有機(jī)粘結(jié)劑的至少一部分從前述燒結(jié)接合層中消失,從而使前述多個(gè)半導(dǎo)體元件分別接合于前述基板中的多個(gè)半導(dǎo)體元件的搭載區(qū)域中的各個(gè)區(qū)域。
12、需要說(shuō)明的是,在歷經(jīng)本工序后,前述多個(gè)半導(dǎo)體元件分別借助分割出的多個(gè)前述燒結(jié)接合層中包含的燒結(jié)性顆粒彼此燒結(jié)而固定于前述基板中的多個(gè)半導(dǎo)體元件的搭載區(qū)域中的各個(gè)區(qū)域。
13、即,利用通過(guò)燒結(jié)性顆粒彼此燒結(jié)而形成的燒結(jié)體,前述多個(gè)半導(dǎo)體元件分別被固定于前述基板中的多個(gè)半導(dǎo)體元件的搭載區(qū)域中的各個(gè)區(qū)域。
14、另外,如上那樣將以帶狀形成的燒結(jié)接合用片沿著長(zhǎng)度方向卷繞而制成卷繞片(以下稱(chēng)為燒結(jié)接合用卷繞片)是已知的(例如下述專(zhuān)利文獻(xiàn)2)。
15、在使用上述那樣的燒結(jié)接合用卷繞片進(jìn)行的半導(dǎo)體裝置的制造中,有時(shí)使用具備抽出輥和卷取輥的輥對(duì)輥裝置來(lái)實(shí)施上述(2)的工序。
16、具體而言,有時(shí)將安裝于抽出輥的燒結(jié)接合用卷繞片朝向卷取輥并沿著長(zhǎng)度方向抽出,并且,使用夾持器等夾具向前述燒結(jié)接合用卷繞片所具備的燒結(jié)接合層上按壓前述一個(gè)半導(dǎo)體元件,將前述燒結(jié)接合層的一部分以尺寸相當(dāng)于前述半導(dǎo)體元件的尺寸的方式進(jìn)行分割,使分割出的前述燒結(jié)接合層轉(zhuǎn)印于前述一個(gè)半導(dǎo)體元件。
17、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)
18、專(zhuān)利文獻(xiàn)
19、專(zhuān)利文獻(xiàn)1:日本特開(kāi)2020-150188號(hào)公報(bào)
20、專(zhuān)利文獻(xiàn)2:日本特開(kāi)2020-147706號(hào)公報(bào)
技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路
1、發(fā)明要解決的問(wèn)題
2、然而,在使用上述那樣的帶狀的燒結(jié)接合用卷繞片進(jìn)行的半導(dǎo)體裝置的制造中,針對(duì)前述燒結(jié)接合用卷繞片所具備的前述燒結(jié)接合層,有時(shí)無(wú)法充分確保用于向半導(dǎo)體元件轉(zhuǎn)印的有效區(qū)域。
3、像這樣,若無(wú)法充分確保前述燒結(jié)接合層中的前述有效區(qū)域,則前述燒結(jié)接合層整體之中能夠用于轉(zhuǎn)印的比率會(huì)降低。
4、其結(jié)果,半導(dǎo)體裝置的制造中的成品率(具體而言,為燒結(jié)接合層的利用比率)會(huì)降低。
5、然而,關(guān)于抑制使用燒結(jié)接合用卷繞片進(jìn)行的半導(dǎo)體裝置的制造中的成品率降低,難以說(shuō)已經(jīng)進(jìn)行了充分的研究。
6、因而,本發(fā)明的課題在于,提供能夠抑制半導(dǎo)體裝置的制造中的成品率降低的燒結(jié)接合用卷繞片。
7、用于解決問(wèn)題的方案
8、本發(fā)明所述的燒結(jié)接合用卷繞片具備
9、第一基材和層疊在該第一基材上的燒結(jié)接合層,并且,所述燒結(jié)接合用卷繞片是以帶狀形成的燒結(jié)接合用片沿著長(zhǎng)度方向卷繞而構(gòu)成的,
10、前述燒結(jié)接合層包含有機(jī)粘結(jié)劑且包含含有導(dǎo)電性金屬的燒結(jié)性顆粒,所述燒結(jié)接合層直接層疊在前述第一基材上或者隔著第二基材間接層疊在前述第一基材上,
11、前述第一基材的長(zhǎng)度方向的尺寸l1比前述燒結(jié)接合層的長(zhǎng)度方向的尺寸ls和前述第二基材的長(zhǎng)度方向的尺寸l2均大。
1.一種燒結(jié)接合用卷繞片,其具備第一基材和層疊在該第一基材上的燒結(jié)接合層,并且,所述燒結(jié)接合用卷繞片是以帶狀形成的燒結(jié)接合用片沿著長(zhǎng)度方向卷繞而構(gòu)成的,
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的燒結(jié)接合用卷繞片,其中,在所述燒結(jié)接合層的與所述第一基材相對(duì)的面的相反面具備第三基材,
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的燒結(jié)接合用卷繞片,其中,所述燒結(jié)接合層和所述第二基材沿著長(zhǎng)度方向連續(xù)或間歇地層疊在所述第一基材上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的燒結(jié)接合用卷繞片,其中,俯視所述第一基材時(shí)的表面積s1比俯視所述燒結(jié)接合層時(shí)的表面積ss和俯視所述第二基材時(shí)的表面積s2均大。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的燒結(jié)接合用卷繞片,其中,俯視所述第一基材時(shí)的表面積s1大于俯視所述第三基材時(shí)的表面積s3。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的燒結(jié)接合用卷繞片,其中,所述第一基材的寬度方向的尺寸w1比所述燒結(jié)接合層的寬度方向的尺寸ws和所述第二基材的寬度方向的尺寸w2均大。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的燒結(jié)接合用卷繞片,其中,所述第一基材的寬度方向的尺寸w1大于所述第三基材的寬度方向的尺寸w3。
8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的燒結(jié)接合用卷繞片,其中,在所述第三基材的與所述燒結(jié)接合層相對(duì)的面的相反面具備第四基材,
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的燒結(jié)接合用卷繞片,其中,俯視所述第四基材時(shí)的表面積s4比俯視所述燒結(jié)接合層時(shí)的表面積ss、俯視所述第二基材時(shí)的表面積s2和俯視所述第三基材時(shí)的表面積s3均大。
10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的燒結(jié)接合用卷繞片,其中,所述第四基材的寬度方向的尺寸w4比所述燒結(jié)接合層的寬度方向的尺寸ws、所述第二基材的寬度方向的尺寸w2和所述第三基材的寬度方向的尺寸w3均大。
11.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的燒結(jié)接合用卷繞片,其中,所述第一基材具有30μm以上且150μm以下的厚度。
12.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的燒結(jié)接合用卷繞片,其中,所述第一基材具有與所述燒結(jié)接合層或所述第二基材接觸的接觸面,
13.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的燒結(jié)接合用卷繞片,其中,所述第一基材在23℃下具有4%以上且350%以下的拉伸伸長(zhǎng)率。
14.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的燒結(jié)接合用卷繞片,其中,所述第一基材的氣孔率為10%以下。