本申請(qǐng)涉及線路板加工，特別是涉及光子計(jì)數(shù)探測(cè)器的制備方法以及相關(guān)裝置。

背景技術(shù)：

1、光子計(jì)數(shù)探測(cè)器是一項(xiàng)新興的技術(shù)，應(yīng)用于醫(yī)療ct(計(jì)算機(jī)斷層掃描技術(shù))，是ct機(jī)最重要的組件之一。

2、現(xiàn)有技術(shù)中，光子計(jì)數(shù)探測(cè)器包括光電轉(zhuǎn)換板件、pcb(printed?circuit?board，印制電路板)以及模數(shù)轉(zhuǎn)換芯片，光子計(jì)數(shù)探測(cè)器接收x射線后，通過半導(dǎo)體材料中每個(gè)晶體的多個(gè)像素點(diǎn)將x射線轉(zhuǎn)換為電信號(hào)，并通過pcb將每個(gè)像素點(diǎn)的模擬通道連接至模數(shù)轉(zhuǎn)換芯片。

3、然而，半導(dǎo)體材料中單個(gè)晶體的像素點(diǎn)在幾百甚至上千，需要在很小尺寸內(nèi)實(shí)現(xiàn)每個(gè)像素點(diǎn)的模擬通道連接至模數(shù)轉(zhuǎn)換芯片，但現(xiàn)有的光子技術(shù)探測(cè)器的pcb無法較好地將每個(gè)像素點(diǎn)的模擬通道連接至模數(shù)轉(zhuǎn)換芯片，導(dǎo)致最終的成像質(zhì)量仍然較差。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請(qǐng)主要解決的技術(shù)問題是提供光子計(jì)數(shù)探測(cè)器的制備方法以及相關(guān)裝置，能夠解決現(xiàn)有光子計(jì)數(shù)探測(cè)器存在的成像質(zhì)量較差的問題。

2、為解決上述技術(shù)問題，本申請(qǐng)采用的第一技術(shù)方案是提供一種光子計(jì)數(shù)探測(cè)器的制備方法，包括：獲取到第一電路板；其中，第一電路板包括相對(duì)設(shè)置的第一表面與第二表面，第一表面上設(shè)置有至少一個(gè)控深槽；第一表面、第二表面以及第一電路板的內(nèi)部線路層設(shè)置有互連的精細(xì)導(dǎo)電線路層，精細(xì)導(dǎo)電線路層包括精細(xì)導(dǎo)電線路，精細(xì)導(dǎo)電線路的線寬線距小于30微米；在每個(gè)控深槽中貼裝芯片；其中，芯片與內(nèi)部線路層的精細(xì)導(dǎo)電線路電連接；在第一電路板的第二表面的精細(xì)導(dǎo)電線路層上設(shè)置光電轉(zhuǎn)換板件，得到光子計(jì)數(shù)探測(cè)器；其中，光電轉(zhuǎn)換板件與芯片通過互連的精細(xì)導(dǎo)電線路層實(shí)現(xiàn)電連接。

3、其中，獲取到第一電路板的步驟，包括：獲取到待加工板材；其中，待加工板材為通過層壓獲取的多層芯板，芯板之間設(shè)置有半固化片；在待加工板材的兩側(cè)表面分別壓合第一軟質(zhì)金屬基材；其中，第一軟質(zhì)金屬基材包括層疊設(shè)置的第一金屬層與第一軟質(zhì)介質(zhì)層；對(duì)第一金屬層進(jìn)行蝕刻，以形成第一精細(xì)導(dǎo)電線路層；在第一精細(xì)導(dǎo)電線路上依次壓合半固化片與第二軟質(zhì)金屬基材；其中，第二軟質(zhì)金屬基材包括層疊設(shè)置的第二金屬層與第二軟質(zhì)介質(zhì)層；對(duì)第二金屬層進(jìn)行蝕刻，以形成第二精細(xì)導(dǎo)電線路層；其中，第二精細(xì)導(dǎo)電線路與第一精細(xì)導(dǎo)電線路通過金屬化孔實(shí)現(xiàn)電連接；重復(fù)上述增層步驟，直至獲得所需要的層數(shù)，得到待處理板材；其中，待處理板材的最外兩側(cè)表面分別為第一表面與第二表面；在第一表面的至少一個(gè)預(yù)設(shè)區(qū)域形成控深槽；在第二表面的精細(xì)導(dǎo)電線路層上形成晶體焊盤，得到第一電路板。

4、其中，在第一表面的至少一個(gè)預(yù)設(shè)區(qū)域形成控深槽的步驟，包括：根據(jù)預(yù)設(shè)的深度及尺寸在每個(gè)預(yù)設(shè)區(qū)域加工出控深槽；其中，控深槽的深度大于或等于芯片的厚度，控深槽的尺寸大于芯片的尺寸；在控深槽的槽底形成芯片焊盤；其中，芯片焊盤設(shè)置于內(nèi)部線路層的精細(xì)導(dǎo)電線路上，且芯片焊盤的尺寸與芯片的尺寸對(duì)應(yīng)。

5、其中，在每個(gè)控深槽中貼裝芯片的步驟，包括：在每個(gè)控深槽的芯片焊盤處貼裝芯片；在控深槽貼裝電阻與電容，以使電阻與電容圍繞芯片；在電阻與電容上涂覆絕緣膠；在第一電路板的第二表面的精細(xì)導(dǎo)電線路層上設(shè)置光電轉(zhuǎn)換板件，得到光子計(jì)數(shù)探測(cè)器的步驟，包括：在第二表面的晶體焊盤處設(shè)置光電轉(zhuǎn)換板件，以使光電轉(zhuǎn)換板件與芯片通過多層精細(xì)導(dǎo)電線路層實(shí)現(xiàn)電連接。

6、其中，在每個(gè)控深槽中貼裝芯片的步驟后，包括：獲取到第二電路板；其中，第二電路板包括接合部以及彎折部，彎折部設(shè)置于接合部沿第一方向延伸的兩端；將第二電路板的接合部焊接至第一電路板的第一表面上，以使芯片與第二電路板電連接；其中，接合部對(duì)應(yīng)芯片的位置設(shè)置有多個(gè)金屬化孔；其中，接合部沿第一方向延伸的長(zhǎng)度小于或等于第一電路板沿第一方向延伸的長(zhǎng)度。

7、其中，第二電路板為剛撓結(jié)合板，剛撓結(jié)合板包括硬板區(qū)與軟板區(qū)，硬板區(qū)為接合部，軟板區(qū)為彎折部；軟板區(qū)遠(yuǎn)離硬板區(qū)的一端設(shè)置有連接器；將第二電路板的接合部焊接至第一電路板的第一表面上，以使芯片與第二電路板電連接的步驟，包括：將剛撓結(jié)合板的硬板區(qū)焊接在第一表面上；在多個(gè)金屬化孔中灌注導(dǎo)熱膠。

8、其中，第二電路板為軟板，軟板與第一電路板焊接的區(qū)域?yàn)榻雍喜?；軟板的兩端設(shè)置有連接器；將第二電路板的接合部焊接至第一電路板的第一表面上，以使芯片與第二電路板電連接的步驟，包括：將軟板對(duì)應(yīng)接合部的區(qū)域焊接在第一表面上；在多個(gè)金屬化孔中灌注導(dǎo)熱膠。

9、其中，將第二電路板的接合部焊接至第一電路板的第一表面上，以使芯片與第二電路板電連接的步驟后，包括：在第二電路板遠(yuǎn)離第一電路板的一側(cè)表面設(shè)置散熱器；其中，散熱器對(duì)應(yīng)芯片設(shè)置。

10、為解決上述技術(shù)問題，本申請(qǐng)采用的第二技術(shù)方案是提供一種光子計(jì)數(shù)探測(cè)器，光子計(jì)數(shù)探測(cè)器由上述的光子計(jì)數(shù)探測(cè)器的制備方法制成。

11、為解決上述技術(shù)問題，本申請(qǐng)采用的三技術(shù)方案是提供一種光子計(jì)數(shù)探測(cè)器陣列，光子計(jì)數(shù)探測(cè)器陣列由上述的多個(gè)光子計(jì)數(shù)探測(cè)器拼接形成。

12、本申請(qǐng)的有益效果是：區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)，本申請(qǐng)?zhí)峁┕庾佑?jì)數(shù)探測(cè)器的制備方法以及相關(guān)裝置，通過在第一電路板的外側(cè)表面以及內(nèi)部線路層中設(shè)置互連的精細(xì)導(dǎo)電線路層，并在第一表面設(shè)置的控深槽中貼裝芯片，以使芯片與內(nèi)部線路層的精細(xì)導(dǎo)電線路電連接，以及在第二表面的精細(xì)導(dǎo)電線路層上設(shè)置光電轉(zhuǎn)換板件，能夠使光電轉(zhuǎn)換板件與芯片通過互連的精細(xì)導(dǎo)電線路實(shí)現(xiàn)電連接。進(jìn)一步地，由于精細(xì)導(dǎo)電線路的線寬線距小于30微米，因而能夠在較小尺寸內(nèi)將光電轉(zhuǎn)換板件中每個(gè)像素點(diǎn)的模擬通道連接至芯片。通過上述方式，本申請(qǐng)能夠在有限空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更小的像素尺寸與更多的采集通道，從而提高了ct成像的分辨率，繼而提高了最終的ct成像質(zhì)量。

技術(shù)特征：

1.一種光子計(jì)數(shù)探測(cè)器的制備方法，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的制備方法，其特征在于，

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的制備方法，其特征在于，

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的制備方法，其特征在于，

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，

8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的制備方法，其特征在于，

9.一種光子計(jì)數(shù)探測(cè)器，其特征在于，所述光子計(jì)數(shù)探測(cè)器由權(quán)利要求1～8中任一項(xiàng)所述的光子計(jì)數(shù)探測(cè)器的制備方法制成。

10.一種光子計(jì)數(shù)探測(cè)器陣列，其特征在于，所述光子計(jì)數(shù)探測(cè)器陣列由多個(gè)權(quán)利要求9中所述的多個(gè)光子計(jì)數(shù)探測(cè)器拼接形成。

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)公開了光子計(jì)數(shù)探測(cè)器的制備方法以及相關(guān)裝置，包括：獲取到第一電路板；其中，第一電路板包括相對(duì)設(shè)置的第一表面與第二表面，第一表面上設(shè)置有至少一個(gè)控深槽；第一表面、第二表面以及第一電路板的內(nèi)部線路層設(shè)置有互連的精細(xì)導(dǎo)電線路層，精細(xì)導(dǎo)電線路層包括精細(xì)導(dǎo)電線路，精細(xì)導(dǎo)電線路的線寬線距小于30微米；在每個(gè)控深槽中貼裝芯片；芯片與內(nèi)部線路層的精細(xì)導(dǎo)電線路電連接；在第一電路板的第二表面的精細(xì)導(dǎo)電線路層上設(shè)置光電轉(zhuǎn)換板件，得到光子計(jì)數(shù)探測(cè)器；其中，光電轉(zhuǎn)換板件與芯片通過互連的精細(xì)導(dǎo)電線路層實(shí)現(xiàn)電連接。本申請(qǐng)能夠在有限空間內(nèi)實(shí)現(xiàn)更小的像素尺寸與更多的采集通道，從而提高了CT成像的分辨率以及CT成像質(zhì)量。

技術(shù)研發(fā)人員：席儀鑫,鄒良云,劉世生
受保護(hù)的技術(shù)使用者：深南電路股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/9/9