本發(fā)明涉及一種發(fā)光元件陣列、掩模以及發(fā)光元件的制造方法。

背景技術(shù)：

1、顯示裝置的重要性隨著多媒體的發(fā)展而逐漸增大。順應(yīng)于此，正在使用諸如有機(jī)發(fā)光顯示裝置(organic?light?emitting?display)、液晶顯示裝置(lcd：liquid?crystaldisplay)等各種顯示裝置。

2、作為顯示顯示裝置的圖像的裝置，包括諸如有機(jī)發(fā)光顯示面板或液晶顯示面板之類的顯示面板。其中，作為發(fā)光顯示面板可以包括發(fā)光元件，例如，發(fā)光二極管(led：lightemitting?diode)的情況包括將有機(jī)物用作發(fā)光物質(zhì)的有機(jī)發(fā)光二極管(oled)、將無機(jī)物用作發(fā)光物質(zhì)的無機(jī)發(fā)光二極管等。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于，提供一種在形成應(yīng)用于發(fā)光元件的連接電極的掩模的圖案時(shí)用于使曝光區(qū)域的邊界上的不良最小化的掩模、發(fā)光元件陣列及其制造方法。

2、此外，本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于，提供一種可以解決可能由連接電極的大小差異引起的電流分配問題的發(fā)光元件陣列。

3、本發(fā)明的技術(shù)問題并不局限于上文中提及的技術(shù)問題，未提及的其他技術(shù)問題可以根據(jù)以下的記載被本領(lǐng)域技術(shù)人員明確地理解。

4、用于解決上述技術(shù)問題的根據(jù)一實(shí)施例的發(fā)光元件陣列可以包括：基礎(chǔ)基板；多個(gè)發(fā)光元件，布置在所述基礎(chǔ)基板上；絕緣層，圍繞所述多個(gè)發(fā)光元件中的每一個(gè)的側(cè)表面和一表面，在所述一表面上具有開口部；以及連接電極，在所述多個(gè)發(fā)光元件上布置在所述開口部?jī)?nèi)，其中，所述連接電極可以具有與相鄰的發(fā)光元件的連接電極不同的大小，布置在所述基礎(chǔ)基板的所述多個(gè)發(fā)光元件上的所述連接電極可以被布置成具有重復(fù)的圖案。

5、所述開口部的直徑可以與所述連接電極的直徑成比例。

6、所述發(fā)光元件可以包括：第一發(fā)光元件；以及第二發(fā)光元件，與所述第一發(fā)光元件相鄰，其中，布置在所述第一發(fā)光元件上的連接電極的直徑可以小于布置在所述第二發(fā)光元件上的連接電極的直徑。

7、所述開口部包括形成于所述第一發(fā)光元件的所述一表面的第一開口部和形成于所述第二發(fā)光元件的所述一表面的第二開口部，所述第一開口部的直徑可以小于所述第二開口部的直徑。

8、所述第一發(fā)光元件的所述連接電極的直徑可以具有與布置在發(fā)光元件上的連接電極不同的直徑，所述發(fā)光元件布置于所述第一發(fā)光元件的上下左右。

9、所述第一發(fā)光元件的所述第一開口部的直徑可以小于布置在所述第一發(fā)光元件的上下左右的發(fā)光元件的開口部的直徑。

10、所述發(fā)光元件陣列的連接電極的直徑可以朝向第一方向和第二方向而逐漸增大或減小。

11、所述基礎(chǔ)基板可以是藍(lán)寶石基板(al2o3)或包含硅的硅晶片。

12、此外，根據(jù)一實(shí)施例的用于制造所述發(fā)光元件陣列所包括的連接電極的掩?？梢园ǎ貉谀Ｆ灰约岸鄠€(gè)掩模圖案，設(shè)置在所述掩模片中，具有與所述掩模片不同的光透射率，其中，所述多個(gè)掩模圖案是在整個(gè)所述掩模片上有規(guī)則的多邊形圖案，所述多個(gè)掩模圖案與相鄰的掩模圖案的尺寸可以彼此不同。

13、所述多個(gè)掩模圖案可以包括：第一圖案；以及第二圖案，與所述第一圖案相鄰，其中，所述第一圖案可以小于所述第二圖案。

14、所述第一圖案可以具有與布置在所述第一圖案的上下左右的圖案不同的大小。

15、所述多個(gè)掩模圖案可以具有從中央朝向側(cè)邊而逐漸變小的大小。

16、所述多個(gè)掩模圖案可以是光透射區(qū)域，所述掩模片的未布置有所述多個(gè)掩模圖案的外廓部可以是遮光區(qū)域。

17、在一實(shí)施例中，發(fā)光元件的制造方法可以包括以下步驟：在基礎(chǔ)基板上形成多個(gè)半導(dǎo)體物質(zhì)層；對(duì)所述多個(gè)半導(dǎo)體物質(zhì)層進(jìn)行蝕刻而形成多個(gè)發(fā)光元件；形成圍繞所述多個(gè)發(fā)光元件的側(cè)表面和一表面的絕緣層；在所述多個(gè)發(fā)光元件的一表面的絕緣層上形成開口部；以及利用掩模在具有所述開口部的所述多個(gè)發(fā)光元件的一表面形成連接電極，其中，所述掩?？梢园▽?duì)應(yīng)于連接電極的多個(gè)掩模圖案，所述多個(gè)掩模圖案可以具有多邊形圖案，并且其尺寸可以與相鄰的掩模圖案彼此不同。

18、所述多個(gè)掩模圖案包括：第一圖案；以及第二圖案，與所述第一圖案相鄰，其中，所述第一圖案可以小于所述第二圖案。

19、所述第一圖案可以具有與布置在所述第一圖案的上下左右的圖案不同的大小。

20、所述多個(gè)掩模圖案可以具有從中央朝向側(cè)邊而逐漸變小的大小。

21、所述開口部的直徑可以與所述連接電極的直徑成比例。

22、利用所述掩模圖案形成的所述連接電極可以具有與相鄰的發(fā)光元件的連接電極不同的大小。

23、所述多個(gè)發(fā)光元件的所述連接電極的直徑可以朝向第一方向和第二方向而逐漸增大或減小。

24、根據(jù)實(shí)施例的顯示裝置，可以在形成應(yīng)用于發(fā)光元件的連接電極的掩模的圖案時(shí)使曝光區(qū)域的邊界上的不良最小化。

25、此外，可以解決可能由連接電極的大小差異引起的電流分配問題。

26、通過使發(fā)光元件的直徑小于像素電極的剖面直徑，從而可以防止發(fā)光元件在像素電極內(nèi)偏向像素電極的邊緣而使發(fā)光元件倒下的現(xiàn)象。

27、如上所述，通過使由第一絕緣層定義的開口部與連接電極的大小成比例，從而可以改善由連接電極的大小差異引起的不均勻的電流分配問題。

28、根據(jù)實(shí)施例的效果不受以上示例的內(nèi)容的限制，在本說明書中包括更多種效果。

技術(shù)特征：

1.一種發(fā)光元件陣列，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件陣列，其中，

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光元件陣列，其中，

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光元件陣列，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光元件陣列，其中，

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光元件陣列，其中，

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光元件陣列，其中，

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光元件陣列，其中，

9.一種用于制造如權(quán)利要求1至8中的任一項(xiàng)所述的發(fā)光元件陣列所包括的連接電極的掩模，包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的掩模，其中，

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的掩模，其中，

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的掩模，其中，

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的掩模，其中，

14.一種發(fā)光元件的制造方法，包括以下步驟：

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光元件的制造方法，其中，

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的發(fā)光元件的制造方法，其中，

17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光元件的制造方法，其中，

18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的發(fā)光元件的制造方法，其中，

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的發(fā)光元件的制造方法，其中，

20.根據(jù)權(quán)利要求18所述的發(fā)光元件的制造方法，其中，

技術(shù)總結(jié)
涉及一種根據(jù)一實(shí)施例的發(fā)光元件陣列、掩模以及發(fā)光元件制造方法，發(fā)光元件陣列可以包括：基礎(chǔ)基板；多個(gè)發(fā)光元件，布置在基礎(chǔ)基板上；絕緣層，圍繞所述多個(gè)發(fā)光元件中的每一個(gè)的側(cè)表面和一表面，在所述一表面具有開口部；以及連接電極，在所述多個(gè)發(fā)光元件上布置在所述開口部?jī)?nèi)，其中，所述連接電極可以具有與相鄰的發(fā)光元件的連接電極不同的大小，布置在所述基礎(chǔ)基板的多個(gè)發(fā)光元件上的連接電極可以被布置成具有重復(fù)的圖案。

技術(shù)研發(fā)人員：蘇明秀,安文貞,李周悅
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星顯示有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19