本公開涉及半導(dǎo)體器件。

背景技術(shù)：

1、隨著半導(dǎo)體器件變得更加高度集成，可能期望添加虛設(shè)圖案來解決在制造半導(dǎo)體器件的工藝中出現(xiàn)的各種問題，例如圖案均勻性、蝕刻工藝余量以及層間絕緣層的機(jī)械性能的劣化。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開的各方面提供了一種包括設(shè)置在端接單元區(qū)域中的柵極接觸部的半導(dǎo)體器件。

2、然而，本公開的方面不限于本文闡述的內(nèi)容。通過參考下面給出的本公開的詳細(xì)描述，本公開的上述和其他方面對于本公開所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言將變得更加清楚。

3、根據(jù)本公開的一方面，一種半導(dǎo)體器件包括：襯底，該襯底包括標(biāo)準(zhǔn)單元區(qū)域和至少部分地圍繞標(biāo)準(zhǔn)單元區(qū)域的端接單元區(qū)域；第一有源圖案，在標(biāo)準(zhǔn)單元區(qū)域中；第一布線，在第一方向上延伸并且在第一有源圖案上；第一柵電極，在第二方向上延伸并且在第一有源圖案上；第一柵極接觸部；第二有源圖案，在端接單元區(qū)域中；第二布線，在第一方向上延伸并且在第二有源圖案上；第二柵電極，在第二方向上延伸并且在第二有源圖案上；以及第二柵極接觸部。

4、根據(jù)本公開的另一方面，一種半導(dǎo)體器件包括：襯底，包括標(biāo)準(zhǔn)單元區(qū)域和至少部分地圍繞標(biāo)準(zhǔn)單元區(qū)域的端接單元區(qū)域；有源圖案，在端接單元區(qū)域中；電力軌，在第一方向上延伸并且在有源圖案上；布線，在第一方向上延伸并且在有源圖案上；一個(gè)或多個(gè)柵電極，在第二方向上延伸并且在有源圖案上；柵極接觸部，位于柵電極和布線之間；源/漏圖案，在有源圖案上并且在柵電極的一側(cè)上；以及阱接觸部，位于源/漏圖案與電力軌之間。

5、根據(jù)本公開的另一方面，半導(dǎo)體器件包括：襯底；第一有源圖案，在襯底上；第二有源圖案，在襯底上；第一柵電極，在第一有源圖案上并且在第二方向上延伸；第二柵電極，在第二有源圖案上并且在第二方向上延伸；第一布線，在第一方向上延伸并且在第一有源圖案上；第二布線，在第一方向上延伸并且在第二有源圖案上；電力軌，在第一方向上延伸并且在襯底上；第一柵極接觸部，位于第一柵電極和第一布線之間；以及第二柵極接觸部，位于第二柵電極和第二布線之間，其中第二有源圖案電連接到電力軌，并且其中第一布線和第二布線彼此不電連接。

技術(shù)特征：

1.一種半導(dǎo)體器件，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一柵極接觸部電連接到所述第一柵電極和所述第一布線，并且其中所述第二柵極接觸部電連接到所述第二柵電極和所述第二布線。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一柵極接觸部和所述第二柵極接觸部在所述第一方向和所述第二方向中的至少一個(gè)方向上具有相同的長度。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一布線和所述第二布線不電連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中：

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中：

9.一種半導(dǎo)體器件，包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中所述布線與所述電力軌相鄰。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中：

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述布線不延伸到所述標(biāo)準(zhǔn)單元區(qū)域中。

13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述電力軌和所述布線從所述襯底延伸相同的距離。

14.一種半導(dǎo)體器件，包括：

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二布線與所述電力軌相鄰。

16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，其中：

17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一柵極接觸部和所述第二柵極接觸部在所述第一方向和所述第二方向中的至少一個(gè)方向上具有相同的長度。

18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第一柵極接觸部和所述第二柵極接觸部在垂直于所述襯底的上表面的方向上具有相同的長度。

19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，其中，所述第二有源圖案在所述第一方向上或在所述第二方向上與所述第一有源圖案相鄰。

20.根據(jù)權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，還包括：

技術(shù)總結(jié)
一種半導(dǎo)體器件，包括：襯底，該襯底包括標(biāo)準(zhǔn)單元區(qū)域和至少部分地圍繞標(biāo)準(zhǔn)單元區(qū)域的端接單元區(qū)域；第一有源圖案，在標(biāo)準(zhǔn)單元區(qū)域中；第一布線，在第一方向上延伸并且在第一有源圖案上；第一柵電極，在第二方向上延伸并且在第一有源圖案上；第一柵極接觸部；第二有源圖案，在端接單元區(qū)域中；第二布線，在第一方向上延伸并且在第二有源圖案上；第二柵電極，在第二方向上延伸并且在第二有源圖案上；以及第二柵極接觸部。

技術(shù)研發(fā)人員：丁全圓,錢鈺博,金秀泰,樸載鏞,李珍雨
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三星電子株式會社
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/19