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      一種核殼結(jié)構(gòu)硅@石墨負(fù)極及其制備方法和應(yīng)用

      文檔序號:39341794發(fā)布日期:2024-09-10 12:01閱讀:19來源:國知局
      一種核殼結(jié)構(gòu)硅@石墨負(fù)極及其制備方法和應(yīng)用

      本發(fā)明涉及鋰離子電池,尤其涉及一種核殼結(jié)構(gòu)硅@石墨負(fù)極及其制備方法和應(yīng)用。


      背景技術(shù):

      1、本發(fā)明背景技術(shù)中公開的信息僅僅旨在增加對本發(fā)明的總體背景的理解,而不必然被視為承認(rèn)或以任何形式暗示該信息構(gòu)成已經(jīng)成為本領(lǐng)域一般技術(shù)人員所公知的現(xiàn)有技術(shù)。

      2、石墨是商業(yè)化鋰離子電池的主要負(fù)極材料,但是其低的理論比容量限制了電池的能量密度。所以近年來針對高理論比容量的合金型負(fù)極材料的研究收到廣泛關(guān)注,比如硅、磷、錫、和鍺等。但是合金型負(fù)極在循環(huán)過程中的巨大的體積膨脹使它們?nèi)萘克p很快,很難實(shí)際應(yīng)用到商業(yè)化鋰離子電池中。

      3、實(shí)際的工業(yè)生產(chǎn)中會(huì)添加少量的硅基材料到石墨負(fù)極中,但是往往存在操作復(fù)雜、均勻性較差、石墨與硅顆粒之間接觸不良的問題,而且負(fù)載的大顆粒的硅會(huì)快速破碎脫落。

      4、因此,如何提供一種硅顆粒負(fù)載均勻且具有良好電化學(xué)性能的硅@石墨負(fù)極材料及其高效制備方法,是亟待解決的問題。


      技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

      1、有鑒于此,本發(fā)明提供了一種核殼結(jié)構(gòu)硅@石墨負(fù)極及其制備方法和應(yīng)用,解決了現(xiàn)有技術(shù)中硅@石墨負(fù)極材料制備過程復(fù)雜、均勻性差、循環(huán)穩(wěn)定性不佳的問題。

      2、第一方面,本發(fā)明提供了一種核殼結(jié)構(gòu)硅@石墨負(fù)極的制備方法,包括如下步驟:

      3、將石墨、導(dǎo)電劑、粘結(jié)劑與溶劑混合制備電極漿料,然后涂布在集流體上,干燥后得到石墨電極;

      4、將所述石墨電極浸泡在含有鋰箔和多環(huán)芳烴的溶液中,取出后直接浸泡在四氯化硅或四溴化硅溶液中,室溫干燥后即得。

      5、優(yōu)選的,所述將石墨、導(dǎo)電劑、粘結(jié)劑與溶劑混合制備電極漿料步驟中,導(dǎo)電劑選自炭黑、導(dǎo)電石墨、碳納米管或納米碳纖維中的一種或多種,粘結(jié)劑選自聚丙烯酸、聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯或羧甲基纖維素鈉中的一種或多種,集流體選自不銹鋼、銅、鈦、銀、鍍錫銅、鍍鎳銅和鍍銀銅中的一種或多種,溶劑選自n-甲基吡咯烷酮或水。

      6、優(yōu)選的,所述將石墨、導(dǎo)電劑、粘結(jié)劑與溶劑混合制備電極漿料步驟中,石墨、導(dǎo)電劑和粘結(jié)劑的用量比為(85~95):(2~8):(2~8)。

      7、優(yōu)選的,所述多環(huán)芳烴選自萘、聯(lián)苯、甲基聯(lián)苯、乙基聯(lián)苯、丙基聯(lián)苯或丁基聯(lián)苯中的一種或多種。

      8、優(yōu)選的,所述含有鋰箔和多環(huán)芳烴的溶液和四氯化硅或四溴化硅溶液的溶劑各自獨(dú)立地選自2-甲基四氫呋喃、四氫吡喃、環(huán)戊基甲醚中的一種或多種。

      9、優(yōu)選的,在所述含有鋰箔和多環(huán)芳烴的溶液中的浸泡時(shí)間為4~60min;在所述四氯化硅或四溴化硅溶液中的浸泡時(shí)間為4~60min。

      10、優(yōu)選的,所述含有鋰箔和多環(huán)芳烴的溶液中,多環(huán)芳烴的濃度為0.2~1mol/l,鋰箔和多環(huán)芳烴的摩爾比為(1.5~2.5):1;所述四氯化硅或四溴化硅溶液的濃度為0.01~0.1mol/l。

      11、第二方面,本發(fā)明提供了上述制備方法制備得到的核殼結(jié)構(gòu)硅@石墨負(fù)極。

      12、第三方面,本發(fā)明提供了上述核殼結(jié)構(gòu)硅@石墨負(fù)極在鋰離子電池中的應(yīng)用。

      13、第四方面,本發(fā)明提供了一種鋰離子電池,包括正極、負(fù)極、隔膜和電解液,所述負(fù)極為上述核殼結(jié)構(gòu)硅@石墨負(fù)極。

      14、與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明取得了以下有益效果:

      15、(1)本發(fā)明在室溫下合成了核殼結(jié)構(gòu)硅@石墨負(fù)極,只需要經(jīng)過簡單的制漿涂膜和兩步浸泡工藝即可完成,操作非常簡單,設(shè)備成本低,有利于大規(guī)模制備。

      16、(2)本發(fā)明首先通過室溫合成鋰-石墨插層化合物,然后通過四氯化硅引入納米尺度的硅層,實(shí)現(xiàn)了石墨和硅的均相復(fù)合,在石墨電極表面生長出均勻的硅納米層,所得負(fù)極具有高的振實(shí)密度。

      17、(3)本發(fā)明制備得到的核殼結(jié)構(gòu)硅@石墨負(fù)極中存在快離子導(dǎo)體氯化鋰或溴化鋰,這是四氯化硅或四溴化硅與鋰-石墨插層化合物反應(yīng)形成的,這種快離子導(dǎo)體可以緩解納米硅層的體積變化,還可以改善石墨負(fù)極的倍率性能。



      技術(shù)特征:

      1.一種核殼結(jié)構(gòu)硅@石墨負(fù)極的制備方法,其特征在于,包括如下步驟:

      2.如權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述將石墨、導(dǎo)電劑、粘結(jié)劑與溶劑混合制備電極漿料步驟中,導(dǎo)電劑選自炭黑、導(dǎo)電石墨、碳納米管或納米碳纖維中的一種或多種,粘結(jié)劑選自聚丙烯酸、聚四氟乙烯、聚偏氟乙烯或羧甲基纖維素鈉中的一種或多種,集流體選自不銹鋼、銅、鈦、銀、鍍錫銅、鍍鎳銅和鍍銀銅中的一種或多種,溶劑選自n-甲基吡咯烷酮或水。

      3.如權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述將石墨、導(dǎo)電劑、粘結(jié)劑與溶劑混合制備電極漿料步驟中,石墨、導(dǎo)電劑和粘結(jié)劑的用量比為(85~95):(2~8):(2~8)。

      4.如權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述多環(huán)芳烴選自萘、聯(lián)苯、甲基聯(lián)苯、乙基聯(lián)苯、丙基聯(lián)苯或丁基聯(lián)苯中的一種或多種;所述含有鋰箔和多環(huán)芳烴的溶液和四氯化硅或四溴化硅溶液的溶劑各自獨(dú)立地選自2-甲基四氫呋喃、四氫吡喃、環(huán)戊基甲醚中的一種或多種。

      5.如權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,在所述含有鋰箔和多環(huán)芳烴的溶液中的浸泡時(shí)間為4~60min;在所述四氯化硅或四溴化硅溶液中的浸泡時(shí)間為4~60min。

      6.如權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述含有鋰箔和多環(huán)芳烴的溶液中,多環(huán)芳烴的濃度為0.2~1mol/l,鋰箔和多環(huán)芳烴的摩爾比為(1.5~2.5):1。

      7.如權(quán)利要求1所述的制備方法,其特征在于,所述四氯化硅或四溴化硅溶液的濃度為0.01~0.1mol/l。

      8.如權(quán)利要求1~7任一項(xiàng)所述的制備方法制備得到的核殼結(jié)構(gòu)硅@石墨負(fù)極。

      9.如權(quán)利要求8所述的核殼結(jié)構(gòu)硅@石墨負(fù)極在鋰離子電池中的應(yīng)用。

      10.一種鋰離子電池,包括正極、負(fù)極、隔膜和電解液,其特征在于,所述負(fù)極為權(quán)利要求8所述的核殼結(jié)構(gòu)硅@石墨負(fù)極。


      技術(shù)總結(jié)
      本發(fā)明公開了一種核殼結(jié)構(gòu)硅@石墨負(fù)極及其制備方法和應(yīng)用,屬于鋰離子電池技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明提供的制備方法,包括如下步驟:將石墨、導(dǎo)電劑、粘結(jié)劑與溶劑混合制備電極漿料,然后涂布在集流體上,干燥后得到石墨電極;將所述石墨電極浸泡在含有鋰箔和多環(huán)芳烴的溶液中,取出后直接浸泡在四氯化硅或四溴化硅溶液中,室溫干燥后即得。本發(fā)明操作簡單,設(shè)備成本低,在室溫下即可進(jìn)行,有利于大規(guī)模制備。制備得到的核殼結(jié)構(gòu)硅@石墨負(fù)極中存在快離子導(dǎo)體氯化鋰或溴化鋰,這是四氯化硅或四溴化硅與鋰?石墨插層化合物反應(yīng)形成的,這種快離子導(dǎo)體可以緩解納米硅層的體積變化,還可以改善石墨負(fù)極的倍率性能。

      技術(shù)研發(fā)人員:馮金奎,滿泉言
      受保護(hù)的技術(shù)使用者:山東大學(xué)深圳研究院
      技術(shù)研發(fā)日:
      技術(shù)公布日:2024/9/9
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