本發(fā)明涉及太陽能電池，具體涉及一種背接觸太陽能電池、電池組件及光伏系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

1、太陽能電池發(fā)電為一種可持續(xù)的清潔能源來源，其利用半導(dǎo)體的光生伏特效應(yīng)可以將太陽光轉(zhuǎn)化成電能，而轉(zhuǎn)化效率為太陽電池性能的重要指標(biāo)。ibc(interdigitatedback?contact)太陽能電池，也即叉指型背接觸電池，其正/負(fù)電極均設(shè)計(jì)于電池的背面，使得前表面徹底避免了金屬柵線的遮擋，杜絕了金屬柵線遮擋所帶來的光學(xué)損失，同時(shí)電極寬度可設(shè)計(jì)的較現(xiàn)有更寬，降低了串聯(lián)電阻損失，從而大幅提高電池轉(zhuǎn)化效率。另外，由于正面無電極的設(shè)計(jì)下，產(chǎn)品外觀更優(yōu)美，適合于多種應(yīng)用場(chǎng)景。

2、現(xiàn)有技術(shù)中，背接觸太陽能電池的背面形成交錯(cuò)設(shè)置的p區(qū)和n區(qū)，通常地，p區(qū)的p型摻雜多晶硅層與n區(qū)的n型摻雜多晶硅層厚度相等，而由于背接觸太陽能電池先制備p型摻雜多晶硅，再進(jìn)行n型摻雜多晶硅層制備，若p型摻雜多晶硅層厚度較厚，p型摻雜多晶硅蝕刻難度大，不便對(duì)p型摻雜多晶硅進(jìn)行圖案化；而且，p型摻雜多晶硅層厚度較厚也不利于硼擴(kuò)散，硼擴(kuò)散難度大，不便制備較高濃度的p型摻雜多晶硅層。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明提供一種背接觸太陽能電池，旨在解決現(xiàn)有技術(shù)的背接觸太陽能電池存在不便對(duì)p型摻雜多晶硅進(jìn)行圖案化、及不便制備較高濃度的p型摻雜多晶硅層的問題。

2、本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的，提供一種背接觸太陽能電池，包括：

3、硅基底，所述硅基底具有相對(duì)設(shè)置的背面和正面；

4、p型摻雜多晶硅層，位于所述硅基底的背面的第一區(qū)域；

5、n型摻雜多晶硅層，位于所述硅基底的背面的第二區(qū)域，且所述第一區(qū)域異于所述第二區(qū)域；

6、其中，所述n型摻雜多晶硅層的厚度大于所述p型摻雜多晶硅層的厚度。

7、優(yōu)選的，所述n型摻雜多晶硅層的厚度與所述p型摻雜多晶硅層的厚度的比值為1～2，且不等于1。

8、優(yōu)選的，所述n型摻雜多晶硅層的厚度與所述p型摻雜多晶硅層的厚度的比值為1～1.5，且不等于1。

9、優(yōu)選的，所述p型摻雜多晶硅層的平均晶粒尺寸大于所述n型摻雜多晶硅層的平均晶粒尺寸。

10、優(yōu)選的，所述p型摻雜多晶硅層的平均晶粒尺寸與所述n型摻雜多晶硅層的平均晶粒尺寸的比值為1～4，且不等于1。

11、優(yōu)選的，所述p型摻雜多晶硅層的平均晶粒尺寸與所述n型摻雜多晶硅層的平均晶粒尺寸的比值為1～2，且不等于1。

12、優(yōu)選的，所述p型摻雜多晶硅層靠近所述硅基底的表面與所述n型摻雜多晶硅層靠近所述硅基底的表面存在第一高度差，且所述p型摻雜多晶硅層靠近所述硅基底的表面相比所述n型摻雜多晶硅層靠近所述硅基底的表面更遠(yuǎn)離所述硅基底的正面。

13、優(yōu)選的，所述p型摻雜多晶硅層靠近所述硅基底的表面與所述n型摻雜多晶硅層遠(yuǎn)離所述硅基底的表面存在第二高度差，且所述p型摻雜多晶硅層靠近所述硅基底的表面相比所述n型摻雜多晶硅層遠(yuǎn)離所述硅基底的表面更遠(yuǎn)離所述硅基底的正面。

14、本發(fā)明還提供一種電池組件，包括上述的背接觸太陽能電池。

15、本發(fā)明還提供一種光伏系統(tǒng)，包括上述的電池組件。

16、本發(fā)明提供的一種背接觸太陽能電池通過將n型摻雜多晶硅層的厚度設(shè)置成大于p型摻雜多晶硅層的厚度，在n型摻雜多晶硅層厚度不變的前提下，減小p型摻雜多晶硅層的厚度，降低p型摻雜多晶硅的刻蝕難度，從而降低p型摻雜多晶硅圖案化工藝難度，便于實(shí)現(xiàn)p型摻雜多晶硅的圖案化工藝；而且，減小p型摻雜多晶硅層的厚度，可以降低硼擴(kuò)散難度，有利于硼擴(kuò)散工藝，便于制備較高濃度的p型摻雜多晶硅層，提升電池效率；而且，n型摻雜多晶硅層的厚度大于p型摻雜多晶硅層的厚度，n型摻雜多晶硅層相比p型摻雜多晶硅層更厚，可增強(qiáng)鈍化效果，提升電池效率。另外，由于背接觸太陽能電池先整面制備p型摻雜多晶硅，再進(jìn)行n型摻雜多晶硅層制備，在制備n型摻雜多晶硅層時(shí)，需要先對(duì)n區(qū)的p型摻雜多晶硅刻蝕去除，本發(fā)明將p型摻雜多晶硅層厚度減薄，降低p型摻雜多晶硅的蝕刻難度，便于將n區(qū)的p型摻雜多晶硅去除干凈，方便n型摻雜多晶硅層的制備。

技術(shù)特征：

1.一種背接觸太陽能電池，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背接觸太陽能電池，其特征在于，所述n型摻雜多晶硅層的厚度與所述p型摻雜多晶硅層的厚度的比值為1～2，且不等于1。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背接觸太陽能電池，其特征在于，所述n型摻雜多晶硅層的厚度與所述p型摻雜多晶硅層的厚度的比值為1～1.5，且不等于1。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背接觸太陽能電池，其特征在于，所述p型摻雜多晶硅層的平均晶粒尺寸大于所述n型摻雜多晶硅層的平均晶粒尺寸。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的背接觸太陽能電池，其特征在于，所述p型摻雜多晶硅層的平均晶粒尺寸與所述n型摻雜多晶硅層的平均晶粒尺寸的比值為1～4，且不等于1。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的背接觸太陽能電池，其特征在于，所述p型摻雜多晶硅層的平均晶粒尺寸與所述n型摻雜多晶硅層的平均晶粒尺寸的比值為1～2，且不等于1。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背接觸太陽能電池，其特征在于，所述p型摻雜多晶硅層靠近所述硅基底的表面與所述n型摻雜多晶硅層靠近所述硅基底的表面存在第一高度差，且所述p型摻雜多晶硅層靠近所述硅基底的表面，相比所述n型摻雜多晶硅層靠近所述硅基底的表面，更遠(yuǎn)離所述硅基底的正面。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的背接觸太陽能電池，其特征在于，所述p型摻雜多晶硅層靠近所述硅基底的表面與所述n型摻雜多晶硅層遠(yuǎn)離所述硅基底的表面存在第二高度差，且所述p型摻雜多晶硅層靠近所述硅基底的表面，相比所述n型摻雜多晶硅層遠(yuǎn)離所述硅基底的表面，更遠(yuǎn)離所述硅基底的正面。

9.一種電池組件，其特征在于，包括如權(quán)利要求1～8任意一項(xiàng)所述的背接觸太陽能電池。

10.一種光伏系統(tǒng)，其特征在于，包括如權(quán)利要求9所述的電池組件。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明適用于太陽能電池技術(shù)領(lǐng)域，提供一種背接觸太陽能電池、電池組件及光伏系統(tǒng)，背接觸太陽能電池包括：硅基底，硅基底具有相對(duì)設(shè)置的背面和正面；P型摻雜多晶硅層，位于硅基底的背面的第一區(qū)域；N型摻雜多晶硅層，位于硅基底的背面的第二區(qū)域，且第一區(qū)域異于第二區(qū)域；其中，N型摻雜多晶硅層的厚度大于P型摻雜多晶硅層的厚度。本發(fā)明提供的背接觸太陽能電池可以降低P型摻雜多晶硅的刻蝕難度，便于實(shí)現(xiàn)P型摻雜多晶硅的圖案化工藝，且有利于P型摻雜多晶硅層的硼擴(kuò)散處理工藝，便于制備較高濃度的P型摻雜多晶硅層，提升電池效率。

技術(shù)研發(fā)人員：王永謙,張生利,陳輝
受保護(hù)的技術(shù)使用者：珠海富山愛旭太陽能科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/9/9