本申請(qǐng)涉及半導(dǎo)體封裝，具體涉及一種集成電路器件及其制作方法。

背景技術(shù)：

1、隨著對(duì)集成電路器件高性能、小尺寸、高可靠性要求的提高，市場(chǎng)對(duì)先進(jìn)封裝技術(shù)的需求越來(lái)越強(qiáng)烈。然而，集成電路器件中芯片的堆疊對(duì)散熱帶來(lái)了極大的挑戰(zhàn)，例如在一個(gè)集成電路器件內(nèi)堆疊的多個(gè)芯片模塊，會(huì)導(dǎo)致熱量堆積，單位面積的熱流密度大大提升，如果不能通過(guò)有效的手段進(jìn)行散熱，必然會(huì)影響集成電路器件的可靠性。

2、目前主流的集成電路器件，其主要的散熱途徑為向上散熱，散熱能力差。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、為了解決現(xiàn)有的集成電路器件散熱能力差的問(wèn)題，本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N具有較好散熱性能的集成電路器件及其制作方法。

2、第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供一種集成電路器件，包括：封裝基板，所述封裝基板包括襯底和形成在所述襯底的第一側(cè)的第一導(dǎo)電層和散熱層；轉(zhuǎn)接板，所述轉(zhuǎn)接板連接在所述封裝基板的第一側(cè)，所述轉(zhuǎn)接板上形成有再布線層和導(dǎo)電連接件，所述再布線層通過(guò)所述導(dǎo)電連接件與所述封裝基板上的所述第一導(dǎo)電層相連接；第一芯片，所述第一芯片連接在所述轉(zhuǎn)接板的第一側(cè)，并與所述轉(zhuǎn)接板上的所述再布線層相連；其中，所述轉(zhuǎn)接板的第一側(cè)為所述轉(zhuǎn)接板背離所述封裝基板的一側(cè)；散熱蓋，所述散熱蓋連接在所述封裝基板的第一側(cè)；所述轉(zhuǎn)接板及所述第一芯片位于所述散熱蓋內(nèi)；所述散熱層與所述散熱蓋相連接。

3、在一種具體的實(shí)施方案中，所述散熱層與所述散熱蓋之間設(shè)有第一導(dǎo)熱層，所述散熱層通過(guò)所述第一導(dǎo)熱層與所述散熱蓋相連接；和/或，所述第一芯片與所述散熱蓋之間設(shè)有第一導(dǎo)熱材料。

4、在一種具體的實(shí)施方案中，所述散熱蓋包括頂蓋部和側(cè)圍部；所述側(cè)圍部位于所述頂蓋部的一側(cè)并與所述頂蓋部相連，所述頂蓋部和所述側(cè)圍部圍設(shè)出一端具有開(kāi)口的腔體；所述散熱蓋通過(guò)所述側(cè)圍部連接在所述封裝基板上；所述散熱層與所述側(cè)圍部的端面之間設(shè)有所述第一導(dǎo)熱層。

5、在一種具體的實(shí)施方案中，所述第一導(dǎo)電層和散熱層的第一側(cè)形成有阻焊層，其中，所述第一導(dǎo)電層和所述散熱層的第一側(cè)為所述第一導(dǎo)電層和所述散熱層背離所述襯底的一側(cè)；所述阻焊層包括第一開(kāi)窗和第二開(kāi)窗；所述第一開(kāi)窗與所述第一導(dǎo)電層相對(duì)應(yīng)以暴露所述第一導(dǎo)電層，所述第二開(kāi)窗與所述散熱層的至少部分區(qū)域相對(duì)應(yīng)以暴露所述散熱層的至少部分區(qū)域。

6、在一種具體的實(shí)施方案中，所述散熱層與所述第一導(dǎo)電層處于同一層。

7、在一種具體的實(shí)施方案中，所述散熱層與所述第一導(dǎo)電層之間電絕緣；其中，所述散熱層與所述第一導(dǎo)電層為一體式結(jié)構(gòu)，或所述散熱層與所述第一導(dǎo)電層為分體式結(jié)構(gòu)。

8、在一種具體的實(shí)施方案中，所述散熱層設(shè)有朝向所述轉(zhuǎn)接板的方向伸出的散熱翼片，所述散熱翼片伸入到所述封裝基板和所述轉(zhuǎn)接板之間。

9、在一種具體的實(shí)施方案中，所述集成電路器件還包括第二芯片，所述第二芯片連接在所述轉(zhuǎn)接板的第二側(cè)，并與所述轉(zhuǎn)接板上的再布線層相連，其中，所述轉(zhuǎn)接板的第二側(cè)為所述轉(zhuǎn)接板朝向所述封裝基板的一側(cè)；所述第二芯片與所述散熱層相鄰接，所述第二芯片與所述散熱層之間設(shè)有第二導(dǎo)熱材料。

10、在一種具體的實(shí)施方案中，所述散熱層的材料包括銅、鋁、鋁合金、鎳或陶瓷。

11、第二方面，本發(fā)明的實(shí)施例還提供一種集成電路器件的制作方法，所述集成電路器件的制作方法，包括：制作封裝組件；所述封裝組件包括轉(zhuǎn)接板和連接在所述轉(zhuǎn)接板的第一側(cè)的第一芯片，所述第一芯片與所述轉(zhuǎn)接板上的再布線層相連接；將所述封裝組件接合在封裝基板上；所述封裝基板包括襯底以及形成在所述襯底的第一側(cè)的第一導(dǎo)電層和散熱層；所述封裝組件與所述第一導(dǎo)電層相連接；其中，所述轉(zhuǎn)接板的第一側(cè)為所述轉(zhuǎn)接板背離所述封裝基板的一側(cè)；將散熱蓋接合在所述封裝基板上；所述封裝組件位于所述散熱蓋內(nèi)，所述散熱層與所述散熱蓋相連接。

12、在一種具體的實(shí)施方案中，所述將散熱蓋接合在所述封裝基板上，包括：在所述散熱層上形成第一導(dǎo)熱層，將所述散熱蓋通過(guò)所述第一導(dǎo)熱層接合在所述封裝基板上；和/或在所述散熱蓋和所述第一芯片之間形成第一導(dǎo)熱材料，將所述散熱蓋通過(guò)所述第一導(dǎo)熱材料與所述第一芯片相連接。

13、在一種具體的實(shí)施方案中，所述將所述封裝組件接合在封裝基板上之前，所述制作方法還包括：制作封裝基板；所述制作封裝基板，包括：在襯底的第一側(cè)形成第一導(dǎo)電層和散熱層；在所述第一導(dǎo)電層和所述散熱層的第一側(cè)形成阻焊層；所述阻焊層上具有第一開(kāi)窗和第二開(kāi)窗，所述第一開(kāi)窗與所述第一導(dǎo)電層相對(duì)應(yīng)以暴露所述第一導(dǎo)電層，所述第二開(kāi)窗與所述散熱層的至少部分區(qū)域相對(duì)應(yīng)以暴露所述散熱層的至少部分區(qū)域。

14、在一種具體的實(shí)施方案中，所述在襯底的第一側(cè)形成第一導(dǎo)電層和散熱層，包括：在襯底的第一側(cè)的同一層形成第一導(dǎo)電層和散熱層。

15、在一種具體的實(shí)施方案中，所述在襯底的第一側(cè)的同一層形成第一導(dǎo)電層和散熱層，包括：在襯底的第一側(cè)的同一層形成相互之間電絕緣的第一導(dǎo)電層和散熱層；其中，所述散熱層與所述第一導(dǎo)電層為一體式結(jié)構(gòu)，或所述散熱層與所述第一導(dǎo)電層為分體式結(jié)構(gòu)。

16、在一種具體的實(shí)施方案中，所述制作封裝組件，包括：制作轉(zhuǎn)接板，所述轉(zhuǎn)接板上形成有再布線層和導(dǎo)電連接件；將第一芯片接合在所述轉(zhuǎn)接板的第一側(cè)，并與所述轉(zhuǎn)接板上的再布線層相連接；將第二芯片接合在所述轉(zhuǎn)接板的第二側(cè)，并與所述轉(zhuǎn)接板上的再布線層相連接；其中，所述將所述封裝組件接合在封裝基板上，包括：將所述轉(zhuǎn)接板上的再布線層通過(guò)導(dǎo)電連接件，連接至所述封裝基板上的所述第一導(dǎo)電層；其中，所述轉(zhuǎn)接板的第一側(cè)為所述轉(zhuǎn)接板背離封裝基板的一側(cè)，所述轉(zhuǎn)接板的第二側(cè)為所述轉(zhuǎn)接板朝向封裝基板的一側(cè)；所述第二芯片位于所述轉(zhuǎn)接板和所述封裝基板之間，且所述第二芯片與所述封裝基板上的所述散熱層相鄰接。

17、在一種具體的實(shí)施方案中，所述將所述封裝組件接合在封裝基板上，還包括：在所述散熱層上形成第二導(dǎo)熱材料，將所述散熱層通過(guò)所述第二導(dǎo)熱材料與所述第二芯片相連接。

18、本發(fā)明的實(shí)施例提供的集成電路器件及其制作方法，包括封裝基板、轉(zhuǎn)接板、第一芯片以及散熱蓋，封裝基板包括襯底和形成在襯底的第一側(cè)的第一導(dǎo)電層和散熱層；轉(zhuǎn)接板連接在封裝基板的第一側(cè)，且轉(zhuǎn)接板上形成有再布線層和導(dǎo)電連接件，再布線層通過(guò)導(dǎo)電連接件與封裝基板上的第一導(dǎo)電層相連接；此外，第一芯片連接在轉(zhuǎn)接板的第一側(cè)，并與轉(zhuǎn)接板上的再布線層相連；其中，轉(zhuǎn)接板的第一側(cè)為轉(zhuǎn)接板背離封裝基板的一側(cè)；散熱蓋連接在封裝基板的第一側(cè)；且轉(zhuǎn)接板及第一芯片位于散熱蓋內(nèi)；散熱層與散熱蓋相連接。該集成電路器件通過(guò)散熱層將封裝基板和轉(zhuǎn)接板之間產(chǎn)生、集聚的熱量進(jìn)行吸收并傳導(dǎo)至散熱蓋，從而可對(duì)連接芯片的轉(zhuǎn)接板的上下兩側(cè)空間范圍實(shí)現(xiàn)立體化散熱，使得集成電路器件具有較好的散熱性能。

技術(shù)特征：

1.一種集成電路器件，其特征在于，包括：

2.如權(quán)利要求1所述的集成電路器件，其特征在于，所述散熱層與所述散熱蓋之間設(shè)有第一導(dǎo)熱層，所述散熱層通過(guò)所述第一導(dǎo)熱層與所述散熱蓋相連接；和/或，所述第一芯片與所述散熱蓋之間設(shè)有第一導(dǎo)熱材料。

3.如權(quán)利要求2所述的集成電路器件，其特征在于，所述散熱蓋包括頂蓋部和側(cè)圍部；所述側(cè)圍部位于所述頂蓋部的一側(cè)并與所述頂蓋部相連，所述頂蓋部和所述側(cè)圍部圍設(shè)出一端具有開(kāi)口的腔體；

4.如權(quán)利要求1所述的集成電路器件，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層和散熱層的第一側(cè)形成有阻焊層，其中，所述第一導(dǎo)電層和所述散熱層的第一側(cè)為所述第一導(dǎo)電層和所述散熱層背離所述襯底的一側(cè)；

5.如權(quán)利要求1所述的集成電路器件，其特征在于，所述散熱層與所述第一導(dǎo)電層處于同一層。

6.如權(quán)利要求5所述的集成電路器件，其特征在于，所述散熱層與所述第一導(dǎo)電層之間電絕緣；其中，所述散熱層與所述第一導(dǎo)電層為一體式結(jié)構(gòu)，或所述散熱層與所述第一導(dǎo)電層為分體式結(jié)構(gòu)。

7.如權(quán)利要求1所述的集成電路器件，其特征在于，所述散熱層設(shè)有朝向所述轉(zhuǎn)接板的方向伸出的散熱翼片，所述散熱翼片伸入到所述封裝基板和所述轉(zhuǎn)接板之間。

8.如權(quán)利要求1所述的集成電路器件，其特征在于，還包括第二芯片，所述第二芯片連接在所述轉(zhuǎn)接板的第二側(cè)，并與所述轉(zhuǎn)接板上的再布線層相連，其中，所述轉(zhuǎn)接板的第二側(cè)為所述轉(zhuǎn)接板朝向所述封裝基板的一側(cè)；

9.如權(quán)利要求1所述的集成電路器件，其特征在于，所述散熱層的材料包括銅、鋁、鋁合金、鎳或陶瓷。

10.一種集成電路器件的制作方法，其特征在于，包括：

11.如權(quán)利要求10所述的集成電路器件的制作方法，其特征在于，所述將散熱蓋接合在所述封裝基板上，包括：

12.如權(quán)利要求10所述的集成電路器件的制作方法，其特征在于，所述將所述封裝組件接合在封裝基板上之前，所述制作方法還包括：制作封裝基板；

13.如權(quán)利要求12所述的集成電路器件的制作方法，其特征在于，所述在襯底的第一側(cè)形成第一導(dǎo)電層和散熱層，包括：

14.如權(quán)利要求13所述的集成電路器件的制作方法，其特征在于，所述在襯底的第一側(cè)的同一層形成第一導(dǎo)電層和散熱層，包括：

15.如權(quán)利要求10所述的集成電路器件的制作方法，其特征在于，所述制作封裝組件，包括：

16.如權(quán)利要求10所述的集成電路器件的制作方法，其特征在于，所述將所述封裝組件接合在封裝基板上，還包括：

技術(shù)總結(jié)
本申請(qǐng)的實(shí)施例公開(kāi)了一種集成電路器件及其制作方法，涉及半導(dǎo)體封裝技術(shù)領(lǐng)域，能夠有效提高集成電路的散熱能力。集成電路器件包括：封裝基板、轉(zhuǎn)接板、第一芯片以及散熱蓋；其中，封裝基板包括襯底和形成在襯底的第一側(cè)的第一導(dǎo)電層和散熱層；轉(zhuǎn)接板連接在封裝基板的第一側(cè)，轉(zhuǎn)接板上形成有再布線層和導(dǎo)電連接件，再布線層通過(guò)導(dǎo)電連接件與封裝基板上的第一導(dǎo)電層相連接；第一芯片連接在轉(zhuǎn)接板的第一側(cè)，并與轉(zhuǎn)接板上的再布線層相連；其中，轉(zhuǎn)接板的第一側(cè)為轉(zhuǎn)接板背離封裝基板的一側(cè)；散熱蓋連接在封裝基板的第一側(cè)；轉(zhuǎn)接板及第一芯片位于散熱蓋內(nèi)；散熱層與散熱蓋相連接。本發(fā)明適用于半導(dǎo)體封裝場(chǎng)景。

技術(shù)研發(fā)人員：陸洋
受保護(hù)的技術(shù)使用者：海光信息技術(shù)（蘇州）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/10