本申請屬于晶片加工，具體涉及一種襯底片加工方法。

背景技術(shù)：

1、碲鋅鎘晶體是一種新型三元化合物半導(dǎo)體，由于其性能優(yōu)異，具有較高的電阻率、較大的禁帶寬度(隨著摻雜鋅含量的變化，禁帶寬度從1.4ev至2.26ev連續(xù)變化)，對x射線及γ射線具有非常好的分辨率，可用于天文、醫(yī)學(xué)、軍事等領(lǐng)域的各類探測器等器材中。同時(shí)，由于其結(jié)構(gòu)與碲鎘汞(mct)及其匹配，因此是mct最佳的襯底材料。

2、目前襯底片通常是采用化學(xué)機(jī)械拋光進(jìn)行表面處理，但是在化學(xué)機(jī)械拋光后，還是容易出現(xiàn)襯底片表面缺陷多以及粗糙度滿足不了要求的情況，導(dǎo)致襯底片的合格率低，同時(shí)，為了改善襯底片的表面缺陷，后續(xù)需要花費(fèi)大量的時(shí)間以及額外的費(fèi)用，導(dǎo)致效益也比較低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本申請要解決的技術(shù)問題在于：現(xiàn)有的襯底片加工過程中，襯底片表面容易出現(xiàn)表面缺陷多以及粗糙度滿足不了要求的情況，提供一種能夠減少表面缺陷，確保表面粗糙度滿足要求的襯底片加工方法。

2、本申請?zhí)岢龅募夹g(shù)方案為：

3、一種襯底片加工方法，包括步驟：

4、s110，對襯底片的上下兩個(gè)表面進(jìn)行研磨；

5、s120，對襯底片的上下兩個(gè)表面中每一表面的邊緣進(jìn)行倒角處理；

6、s130，對襯底片的上下兩個(gè)表面進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光；

7、s140，采用氨水溶液對襯底片進(jìn)行化學(xué)腐蝕；

8、其中，所述氨水溶液的質(zhì)量濃度為2.2~3.3%。

9、進(jìn)一步地，在步驟s140中，化學(xué)腐蝕的時(shí)間為10~20s。

10、進(jìn)一步地，所述襯底片加工方法還包括步驟：

11、s150，對襯底片進(jìn)行清洗。

12、進(jìn)一步地，在步驟s150中，采用甲醇溶液或乙二醇溶液對襯底片進(jìn)行清洗。

13、進(jìn)一步地，在步驟s150中，對襯底片清洗5~8次。

14、進(jìn)一步地，在步驟s110中，采用研磨盤和研磨液對襯底片進(jìn)行研磨。

15、進(jìn)一步地，所述研磨液中磨料和純水的體積比為2~5∶8~12，磨料為氧化鋁和金剛石中的一種，且粒徑為3~5μm。

16、進(jìn)一步地，在步驟s130中，采用次氯酸鈉拋光液進(jìn)行拋光。

17、進(jìn)一步地，所述次氯酸鈉拋光液中的磨料為氧化鈰，所述氧化鈰的粒徑為0.1~0.3μm。

18、采用上述的襯底片加工方法，通過化學(xué)機(jī)械拋光去除研磨過程中襯底片表面的機(jī)械損傷及缺陷，減少襯底片表面的劃傷、凹坑和橘皮，然后通過氨水溶液對襯底片進(jìn)行化學(xué)腐蝕，以去除化學(xué)機(jī)械拋光過程中產(chǎn)生的損傷層以及表面殘留的應(yīng)力，使得表面無劃傷、凹坑和橘皮，改善襯底片的表面缺陷多的問題，確保襯底片的表面粗糙度滿足要求，提高襯底片的合格率。同時(shí)也無需后續(xù)花費(fèi)大量的時(shí)間以及額外的費(fèi)用對表面進(jìn)行改善，增加了襯底片加工的經(jīng)濟(jì)效益。

技術(shù)特征：

1.一種襯底片加工方法，其特征在于，包括步驟：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底片加工方法，其特征在于，在步驟s140中，化學(xué)腐蝕的時(shí)間為10~20s。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底片加工方法，其特征在于，所述襯底片加工方法還包括步驟：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的襯底片加工方法，其特征在于，在步驟s150中，采用甲醇溶液或乙二醇溶液對襯底片進(jìn)行清洗。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的襯底片加工方法，其特征在于，在步驟s150中，對襯底片清洗5~8次。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底片加工方法，其特征在于，在步驟s110中，采用研磨盤和研磨液對襯底片進(jìn)行研磨。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的襯底片加工方法，其特征在于，所述研磨液中磨料和純水的體積比為2~5∶8~12；所述磨料為氧化鋁和金剛石中的至少一種；所述磨料的粒徑為3~5μm。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底片加工方法，其特征在于，在步驟s130中，采用次氯酸鈉拋光液進(jìn)行拋光。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的襯底片加工方法，其特征在于，所述次氯酸鈉拋光液中的磨料為氧化鈰；所述氧化鈰的粒徑為0.1~0.3μm。

技術(shù)總結(jié)
本申請公開一種襯底片加工方法，包括步驟：對襯底片的上下兩個(gè)表面進(jìn)行研磨；對襯底片的上下兩個(gè)表面中每一表面的邊緣進(jìn)行倒角處理；對襯底片的上下兩個(gè)表面進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光；采用一定濃度氨水溶液對襯底片進(jìn)行化學(xué)腐蝕。通過化學(xué)機(jī)械拋光去除研磨過程中襯底片表面的機(jī)械損傷及缺陷，減少襯底片表面的劃傷、凹坑和橘皮，然后通過氨水溶液對襯底片進(jìn)行化學(xué)腐蝕，以去除化學(xué)機(jī)械拋光過程中產(chǎn)生的損傷層及表面殘留的應(yīng)力，使得表面無劃傷、凹坑和橘皮，改善襯底片表面缺陷多的問題，確保襯底片的表面粗糙度滿足要求，提高襯底片的合格率。無需后續(xù)花費(fèi)大量的時(shí)間以及額外的費(fèi)用對表面進(jìn)行改善，增加了襯底片加工的經(jīng)濟(jì)效益。

技術(shù)研發(fā)人員：王波,袁健飛,凌龍,王從學(xué)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：安徽光智科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/11/26