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      一種納米晶合金磁芯及其制備工藝的制作方法

      文檔序號(hào):39995622發(fā)布日期:2024-11-15 14:50閱讀:18來(lái)源:國(guó)知局
      一種納米晶合金磁芯及其制備工藝的制作方法

      本發(fā)明涉及磁性材料,具體為一種納米晶合金磁芯及其制備工藝。


      背景技術(shù):

      1、交流電流、電壓和電能的計(jì)量通常采用互感器進(jìn)行測(cè)量,互感器中的核心部件是磁芯,其性能直接決定互感器的測(cè)量精度。米晶材料是由納米級(jí)尺寸(1-10nm)的晶體所組成的材料,由于晶體極細(xì),故晶界可占整個(gè)材料的50%或更多,其原子排列既不同于有序的結(jié)晶態(tài),也不同于無(wú)序的非晶態(tài)(玻璃態(tài)),其性能也不同于相同成分的晶體或非晶體,在很多場(chǎng)合,傳統(tǒng)的鐵氧體材料已經(jīng)無(wú)法滿足需求,越來(lái)越多的emc整改方案中運(yùn)用到了一種新型材料制作的電感,叫納米晶磁芯。在測(cè)量無(wú)直流分量的正弦波電流時(shí),通常采用高磁導(dǎo)率的軟磁材料制造磁芯,以提高測(cè)量的精度。非晶和納米晶合金具有優(yōu)異的軟磁性能,尤其是納米晶合金磁芯具有優(yōu)異的綜合磁性能,高飽和磁感、高初始磁導(dǎo)率、低hc,高磁感下的高頻損耗低,電阻率比坡莫合金高,經(jīng)縱向或橫向磁場(chǎng)處理,可得到高br或低br值,是目前市場(chǎng)上綜合性能最好的材料,廣泛應(yīng)用于大功率開(kāi)關(guān)電源、逆變電源、磁放大器、高頻變壓器等。

      2、公開(kāi)號(hào)為cn115881380a的中國(guó)專利公開(kāi)了一種納米晶合金磁芯,包括cu、si、b、sr、ir、bi、ni、te、稀土元素、和fe,所述cu、si、b、sr、ir、bi、ni、te、稀土元素、和fe的含量分別為cu?0.6-1.0%、si8.0-10.0%、b?5.5-8.0%、sr?0.1-0.3%、ir?0.05-0.15%、bi0.03-0.10%、ni0.8-1.5%、te?0.1-0.3%、稀土元素0.01-0.04%、余量為fe。本發(fā)明通過(guò)將鐵基納米晶磁芯采用真空熱處理:以1℃/min的升溫速率進(jìn)行升溫,以200℃的溫度為出爐溫度,以540℃為退火的溫度,以60min為保溫退火時(shí)間,是鐵基納米晶磁芯的最佳處理工藝;但是上述現(xiàn)有技術(shù)方案存在以下不足:在制備過(guò)程中,由于自由面與貼輥面的冷卻速率存在差異,導(dǎo)致兩面的晶粒尺寸差距較大,導(dǎo)致磁芯的磁性特性受到影響;為此,本發(fā)明提供了一種納米晶合金磁芯及其制備工藝以解決上述問(wèn)題。


      技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

      1、針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足,本發(fā)明提供了一種納米晶合金磁芯及其制備工藝,解決了上述背景技術(shù)中提到的問(wèn)題。

      2、為實(shí)現(xiàn)以上目的,本發(fā)明通過(guò)以下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn):一種納米晶合金磁芯,包括如下按重量百分比計(jì)的各成分制成:純鐵81%~85%、純銅0.8%~1.2%、硅鐵8%~10%、硼鐵5.5%~8.5%。

      3、一種納米晶合金磁芯的制備工藝,包括以下制備步驟:

      4、s1、母合金的制備:

      5、s11、將純鐵、純銅、硅鐵以及硼鐵為原材料,并對(duì)原材料進(jìn)行超聲清洗,除去表面污垢后進(jìn)行干燥處理;

      6、s12、然后置于真空熔煉爐中,進(jìn)行反復(fù)熔煉,即得成分分配均勻的母合金;

      7、s2、將母合金進(jìn)行卷繞,制得磁芯;

      8、s3、對(duì)磁芯采用真空熱處理:將磁芯置于管式爐中,并通入氮?dú)?,然后?0℃/min升溫至500~510℃后,保溫15~20min,再以1℃/min升溫至540~550℃后,保溫50~60min,降溫至180~200℃時(shí)出爐,得納米晶合金磁芯。

      9、優(yōu)選的,該納米晶合金磁芯的制備工藝還包括:s4、將納米晶合金磁芯置于鈍化液中,常溫下浸泡100~120min;然后采用無(wú)水乙醇進(jìn)行浸泡清洗,再放入溫度為50~60℃的干燥箱中進(jìn)行烘干40~60min。

      10、優(yōu)選的,所述鈍化液為鐵系磷化物鈍化液,且在使用前將其稀釋成8%的溶液。

      11、優(yōu)選的,該納米晶合金磁芯的制備工藝還包括:s5、將鈍化后的納米晶合金磁芯置于固化劑中浸漬,再將氣壓抽至0.01~0.03mpa,靜置,直至表面沒(méi)有氣泡冒出后恢復(fù)大氣壓,最后將納米晶合金磁芯取出,置于90~100℃的干燥箱中烘干1.5~2h。

      12、優(yōu)選的,所述固化劑為選自有機(jī)硅固化劑以及聚氨酯固化劑中的任意一種。

      13、優(yōu)選的,所述s12中,真空熔煉爐的內(nèi)部壓力為3×10-3~5×10-3pa,熔煉次數(shù)為5~6次。

      14、優(yōu)選的,所述s3中,在熱處理過(guò)程中,將磁芯內(nèi)外纏繞銅帶,纏繞為螺旋狀,且單層銅帶厚為0.1~0.3mm。

      15、有益效果

      16、本發(fā)明提供了一種納米晶合金磁芯及其制備工藝。與現(xiàn)有技術(shù)相比具備以下有益效果:

      17、(1)、該納米晶合金磁芯及其制備工藝,通過(guò)將銅片均勻的螺旋狀纏繞在磁芯的內(nèi)外兩側(cè),可以延遲磁芯內(nèi)外表面升溫,縮小磁芯中部與內(nèi)外兩側(cè)的溫差,讓磁芯中部與兩側(cè)的溫度分布更均勻,促進(jìn)更均勻的消除內(nèi)應(yīng)力,有利于第二步退火時(shí)磁芯不同位置同時(shí)形核與生長(zhǎng),使得磁芯內(nèi)外位置的晶粒大小更均勻從而改善磁芯性能。

      18、(2)、該納米晶合金磁芯及其制備工藝,通過(guò)對(duì)磁芯進(jìn)行鈍化以及固化處理,增加了磁芯層間的絕緣性,從而有助于減少磁芯的損耗,提高磁芯的軟磁性能。



      技術(shù)特征:

      1.一種納米晶合金磁芯,其特征在于,包括如下按重量百分比計(jì)的各成分制成:純鐵81%~85%、純銅0.8%~1.2%、硅鐵8%~10%、硼鐵5.5%~8.5%。

      2.一種根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米晶合金磁芯的制備工藝,其特征在于,包括以下制備步驟:

      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種納米晶合金磁芯的制備工藝,其特征在于:該納米晶合金磁芯的制備工藝還包括:s4、將納米晶合金磁芯置于鈍化液中,常溫下浸泡100~120min;然后采用無(wú)水乙醇進(jìn)行浸泡清洗,再放入溫度為50~60℃的干燥箱中進(jìn)行烘干40~60min。

      4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種納米晶合金磁芯的制備工藝,其特征在于:所述鈍化液為鐵系磷化物鈍化液,且在使用前將其稀釋成8%的溶液。

      5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種納米晶合金磁芯的制備工藝,其特征在于:該納米晶合金磁芯的制備工藝還包括:s5、將鈍化后的納米晶合金磁芯置于固化劑中浸漬,再將氣壓抽至0.01~0.03mpa,靜置,直至表面沒(méi)有氣泡冒出后恢復(fù)大氣壓,最后將納米晶合金磁芯取出,置于90~100℃的干燥箱中烘干1.5~2h。

      6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種納米晶合金磁芯的制備工藝,其特征在于:所述固化劑為選自有機(jī)硅固化劑以及聚氨酯固化劑中的任意一種。

      7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種納米晶合金磁芯的制備工藝,其特征在于:所述s12中,真空熔煉爐的內(nèi)部壓力為3×10-3~5×10-3pa,熔煉次數(shù)為5~6次。

      8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種納米晶合金磁芯的制備工藝,其特征在于:所述s3中,在熱處理過(guò)程中,將磁芯內(nèi)外纏繞銅帶,纏繞為螺旋狀,且單層銅帶厚為0.1~0.3mm。


      技術(shù)總結(jié)
      本發(fā)明公開(kāi)了一種納米晶合金磁芯及其制備工藝,本發(fā)明涉及磁性材料技術(shù)領(lǐng)域,包括如下按重量百分比計(jì)的各成分制成:純鐵81%~85%、純銅0.8%~1.2%、硅鐵8%~10%、硼鐵5.5%~8.5%。該納米晶合金磁芯及其制備工藝,通過(guò)將銅片均勻的螺旋狀纏繞在磁芯的內(nèi)外兩側(cè),可以延遲磁芯內(nèi)外表面升溫,縮小磁芯中部與內(nèi)外兩側(cè)的溫差,讓磁芯中部與兩側(cè)的溫度分布更均勻,促進(jìn)更均勻的消除內(nèi)應(yīng)力,有利于第二步退火時(shí)磁芯不同位置同時(shí)形核與生長(zhǎng),使得磁芯內(nèi)外位置的晶粒大小更均勻從而改善磁芯性能。

      技術(shù)研發(fā)人員:安海路,周小江,吳艷敏
      受保護(hù)的技術(shù)使用者:天津三環(huán)奧納科技有限公司
      技術(shù)研發(fā)日:
      技術(shù)公布日:2024/11/14
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