本發(fā)明涉及晶圓加工，具體涉及一種晶圓減薄方法，還涉及一種通過該晶圓減薄方法制備的晶圓。

背景技術(shù)：

1、隨著存儲器和功率器件等應(yīng)用朝著更小尺寸、更高性能的方向發(fā)展，對薄晶圓的需求日益增長。更薄的晶圓能夠帶來眾多好處，包括超薄的封裝，以及由此帶來更小的尺寸外形，還包括改善的電氣性能和更好的散熱性能?，F(xiàn)階段，最常規(guī)的半導(dǎo)體應(yīng)用減薄工藝為磨削，即把待磨的晶圓通過有機(jī)材料臨時鍵合至載盤上，然后砂輪通過粗磨、精磨、拋光去除晶圓背面，直至達(dá)到需要的目標(biāo)厚度，采用這種機(jī)械的砂輪切削去除的方式，精度通常較差，只能達(dá)到正負(fù)十幾微米，很難繼續(xù)提高，如何更好的提升減薄精度，需要技術(shù)人員持續(xù)努力。

2、當(dāng)前，主流機(jī)械減薄工藝包括粗磨和精磨：粗磨設(shè)備多采用鑄鐵盤，盤體上設(shè)有行星輪、太陽輪和多個承載盤，每個承載盤內(nèi)放置多個待減薄片，根據(jù)所設(shè)定程序，進(jìn)行自轉(zhuǎn)或繞太陽輪公轉(zhuǎn)，上下磨盤同時對其進(jìn)行減薄加工；精磨工藝為單片加工，設(shè)備采用金剛石砂輪，對硅片表面進(jìn)行精減薄加工。

3、公開號為cn109742017a、專利名稱為“一種晶圓減薄工藝”的發(fā)明專利，公開了晶圓化學(xué)腐蝕減薄工藝通過將晶圓放置在化學(xué)腐蝕液內(nèi)，通過控制腐蝕時間或者其它工藝參數(shù)實(shí)現(xiàn)對晶圓特定厚度的減?。滑F(xiàn)有的化學(xué)腐蝕減薄工藝通過厚度測量裝置對減薄前后的晶圓的厚度進(jìn)行測量，而后與目標(biāo)厚度進(jìn)行對比，進(jìn)而判斷化學(xué)腐蝕后的晶圓的厚度是否符合要求。但是，現(xiàn)有化學(xué)腐蝕減薄工藝僅通過厚度測量反饋來控制晶圓的減薄精度，且目前厚度測量設(shè)備分辨率較低，對于較高要求的減薄精度，現(xiàn)有減薄工藝很難實(shí)現(xiàn)，難以保證晶圓的減薄精度。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、為解決現(xiàn)有技術(shù)中的問題，本發(fā)明提供一種晶圓減薄方法，還提供一種通過該晶圓減薄方法制備的晶圓。

2、本發(fā)明晶圓減薄方法，包括如下步驟：

3、s101：預(yù)設(shè)待減薄的晶圓的目標(biāo)厚度；

4、s102：對待減薄的晶圓背離需減薄面做孔洞刻蝕，孔洞的深度和晶圓減薄后的目標(biāo)厚度一致；

5、s103：在孔洞內(nèi)填充耐磨的填充物；

6、s104：通過鍵合的方式，把晶圓背離需減薄面粘貼至臨時襯底；

7、s105：根據(jù)晶圓總厚度和目標(biāo)厚度，獲取需減薄厚度，然后基于所述需減薄厚度做研磨減??；

8、s106：去除臨時襯底和鍵合膠，完成減薄。

9、進(jìn)一步地，步驟s102中，采用光刻、刻蝕、去膠工藝，對所述晶圓做孔洞刻蝕，所述孔洞的數(shù)量為一個以上。

10、進(jìn)一步地，所述孔洞的數(shù)量為5個，均勻分布于所述晶圓的上、下、中、左、右位置。

11、進(jìn)一步地，所述孔洞的形狀包括圓形、橢圓形、方形、菱形、多邊形。

12、進(jìn)一步地，所述孔洞的直徑為10-1000um。

13、進(jìn)一步地，所述步驟s103中，采用光刻、沉積、去膠工藝，在孔洞內(nèi)填充耐磨的填充物。

14、進(jìn)一步地，所述耐磨的填充物包括耐磨金屬或化合物，所述耐磨金屬的材質(zhì)包括ta、pt或w，所述化合物的材質(zhì)包括bn、tin或al2o3。

15、進(jìn)一步地，步驟s105中，根據(jù)晶圓總厚度和目標(biāo)厚度，計(jì)算理論減薄厚度，在根據(jù)所述理論減薄厚度獲取所述需減薄厚度。

16、進(jìn)一步地，所述需減薄厚度比所述理論減薄厚度多1-10％。

17、本發(fā)明還提供一種采用所述晶圓減薄方法制備的晶圓，包括晶圓本體，所述晶圓本體上設(shè)有一個以上貫穿所述晶圓本體的孔洞，所述孔洞內(nèi)填充有耐磨金屬或化合物。

18、與現(xiàn)有技術(shù)機(jī)械減薄還是化學(xué)腐蝕的減薄方式相比，本發(fā)明的有益效果是：本發(fā)明通過在需減薄面的對面制作孔洞，孔洞深度和目標(biāo)厚度一致，并填充耐磨物質(zhì)，當(dāng)減薄至填充物時，由于填充物相比于硅晶圓，其減薄速率非常慢，相當(dāng)于在此截止了減薄，致使最終厚度和設(shè)計(jì)的目標(biāo)厚度保持一致，顯著提高了減薄精度。

技術(shù)特征：

1.一種晶圓減薄方法，其特征在于，包括如下步驟：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓減薄方法，其特征在于：步驟s102中，采用光刻、刻蝕、去膠工藝，對所述晶圓做孔洞刻蝕，所述孔洞的數(shù)量為一個以上。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓減薄方法，其特征在于：所述孔洞的數(shù)量為5個，均勻分布于所述晶圓的上、下、中、左、右位置。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的晶圓減薄方法，其特征在于：所述孔洞的形狀包括圓形、橢圓形、方形、菱形、多邊形。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的晶圓減薄方法，其特征在于：所述孔洞的直徑為10-1000um。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓減薄方法，其特征在于：所述步驟s103中，采用光刻、沉積、去膠工藝，在孔洞內(nèi)填充耐磨的填充物。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的晶圓減薄方法，其特征在于：所述耐磨的填充物包括耐磨金屬或化合物，所述耐磨金屬的材質(zhì)包括ta、pt或w，所述化合物的材質(zhì)包括bn、tin或al2o3。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的晶圓減薄方法，其特征在于：步驟s105中，根據(jù)晶圓總厚度和目標(biāo)厚度，計(jì)算理論減薄厚度，在根據(jù)所述理論減薄厚度獲取所述需減薄厚度。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的晶圓減薄方法，其特征在于：所述需減薄厚度比所述理論減薄厚度多1-10％。

10.一種晶圓，由權(quán)利要求權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的晶圓減薄方法制備，其特征在于：包括晶圓本體，所述晶圓本體上設(shè)有一個以上貫穿所述晶圓本體的孔洞，所述孔洞內(nèi)填充有耐磨金屬或化合物。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種晶圓減薄方法及晶圓，屬于晶圓加工技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明晶圓減薄方法包括如下步驟：預(yù)設(shè)待減薄的晶圓的目標(biāo)厚度；對待減薄的晶圓背離需減薄面做孔洞刻蝕，孔洞的深度和晶圓減薄后的目標(biāo)厚度一致；在孔洞內(nèi)填充耐磨金屬或化合物；通過鍵合的方式，把晶圓背離需減薄面粘貼至臨時襯底；根據(jù)晶圓總厚度和目標(biāo)厚度，獲取需減薄厚度，然后基于所述需減薄厚度做研磨減??；去除臨時襯底和鍵合膠，完成減薄。本發(fā)明的有益效果為：有效控制減薄精度。

技術(shù)研發(fā)人員：戴麗軍,鄒小玲,戴文斌,戴萍,黃思妮
受保護(hù)的技術(shù)使用者：深圳市華盛頓光電有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/11/18