本申請涉及半導(dǎo)體，尤其涉及一種ausn背金的led芯片及其制備方法、照明設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、目前行業(yè)內(nèi)大功率照明產(chǎn)品有ausn背金和sn膏共金焊的需求，行業(yè)內(nèi)常用的切割方式為刀片切割和激光切割。

2、基于ausn背金和sn膏共金的工藝要求，ausn背金需要至少3um的厚度，這種厚度的ausn背金采用刀片切割的方式進行切割時，容易產(chǎn)生崩邊，發(fā)生掉ausn背金等問題，且刀片切割3um厚的ausn背金，壽命比常規(guī)的要短；采用激光切割的方式可以有效解決切割崩邊的問題，但是由于激光焊，切割后的ausn背金的邊緣會產(chǎn)生殘渣，影響下游工序的sn膏共金。

3、那么，如何優(yōu)化ausn背金的切割工藝，以提高led芯片中ausn背金和sn膏的共金效果，是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的技術(shù)問題。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、鑒于上述問題，本申請?zhí)峁┝艘环Nausn背金的led芯片及其制備方法、照明設(shè)備，在激光切割ausn背金后，再蒸鍍金屬層，以覆蓋切割后的ausn背金邊緣的殘渣，提高led芯片中ausn背金和sn膏的共金效果。具體方案如下：

2、本申請第一方面提供一種ausn背金的led芯片的制備方法，所述ausn背金的led芯片的制備方法包括：

3、制備led芯片的外延片結(jié)構(gòu)；

4、在所述外延片結(jié)構(gòu)中目標襯底的一側(cè)制備ausn背金；

5、對所述ausn背金進行激光切割處理，形成切割道；

6、蒸鍍金屬層，所述金屬層至少覆蓋所述ausn背金相鄰所述切割道的邊緣區(qū)域。

7、優(yōu)選的，在上述ausn背金的led芯片的制備方法中，所述ausn背金的led芯片的制備方法還包括：

8、去除所述切割道內(nèi)的部分所述金屬層。

9、優(yōu)選的，在上述ausn背金的led芯片的制備方法中，所述ausn背金的led芯片的制備方法還包括：

10、基于所述切割道進行裂片處理，形成多個獨立的led芯片。

11、優(yōu)選的，在上述ausn背金的led芯片的制備方法中，所述金屬層的材料為au材料、tiau材料或ptau材料。

12、優(yōu)選的，在上述ausn背金的led芯片的制備方法中，所述金屬層的層數(shù)為至少一層；

13、當所述金屬層的層數(shù)大于或等于兩層時，至少兩層所述金屬層的材料不同。

14、優(yōu)選的，在上述ausn背金的led芯片的制備方法中，所述金屬層完全覆蓋所述ausn背金背離所述目標襯底一側(cè)的表面。

15、優(yōu)選的，在上述ausn背金的led芯片的制備方法中，所述外延片結(jié)構(gòu)包括：

16、位于所述目標襯底背離所述ausn背金一側(cè)，且依次層疊設(shè)置的p型限制層、mqw層以及n型限制層；

17、位于所述目標襯底和所述p型限制層之間的金屬鏡面層。

18、優(yōu)選的，在上述ausn背金的led芯片的制備方法中，所述n型限制層背離所述目標襯底一側(cè)的部分表面為粗化面。

19、本申請第二方面提供一種ausn背金的led芯片，所述ausn背金的led芯片是通過上述任一項所述的ausn背金的led芯片的制備方法所獲得的。

20、本申請第三方面提供一種照明設(shè)備，所述照明設(shè)備包括上述所述的ausn背金的led芯片。

21、借由上述技術(shù)方案，本申請?zhí)峁┝艘环Nausn背金的led芯片及其制備方法、照明設(shè)備。在激光切割ausn背金后，再蒸鍍金屬層，通過該金屬層覆蓋切割后的ausn背金邊緣的殘渣，以提高ausn背金表面的平整度，進而提高led芯片中ausn背金和sn膏的共金效果。

技術(shù)特征：

1.一種ausn背金的led芯片的制備方法，其特征在于，所述ausn背金的led芯片的制備方法包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ausn背金的led芯片的制備方法，其特征在于，所述ausn背金的led芯片的制備方法還包括：

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的ausn背金的led芯片的制備方法，其特征在于，所述ausn背金的led芯片的制備方法還包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求1-3任一項所述的ausn背金的led芯片的制備方法，其特征在于，所述金屬層的材料為au材料、tiau材料或ptau材料。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的ausn背金的led芯片的制備方法，其特征在于，所述金屬層的層數(shù)為至少一層；

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ausn背金的led芯片的制備方法，其特征在于，所述金屬層完全覆蓋所述ausn背金背離所述目標襯底一側(cè)的表面。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ausn背金的led芯片的制備方法，其特征在于，所述外延片結(jié)構(gòu)包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的ausn背金的led芯片的制備方法，其特征在于，所述n型限制層背離所述目標襯底一側(cè)的部分表面為粗化面。

9.一種ausn背金的led芯片，其特征在于，所述ausn背金的led芯片是通過權(quán)利要求1-8任一項所述的ausn背金的led芯片的制備方法所獲得的。

10.一種照明設(shè)備，其特征在于，所述照明設(shè)備包括權(quán)利要求9所述的ausn背金的led芯片。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種AuSn背金的LED芯片及其制備方法、照明設(shè)備，涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域。在激光切割A(yù)uSn背金后，再蒸鍍金屬層，通過該金屬層覆蓋切割后的AuSn背金邊緣的殘渣，以提高AuSn背金表面的平整度，進而提高LED芯片中AuSn背金和Sn膏的共金效果。

技術(shù)研發(fā)人員：趙鵬,馬英杰,班國訓(xùn),李皇,何劍,徐曉剛
受保護的技術(shù)使用者：揚州乾照光電有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/10