本發(fā)明涉及集流體制造，特別是一種集流體的制造方法及裝置。

背景技術(shù)：

1、目前，復(fù)合銅箔的生產(chǎn)工藝主要包括一步法、兩步法和三步法，這些方法在導(dǎo)電性能、粘結(jié)力以及資源節(jié)約方面存在一定的局限性，例如，現(xiàn)有技術(shù)中的一步法通過化學(xué)沉積、真空磁控濺射或真空蒸鍍等方式在pi或pet或pp基膜上沉積銅層，雖然成膜方法簡單、操作容易，但存在導(dǎo)電性能不足、鍍層與基膜粘結(jié)力差以及資源浪費等問題；

2、且現(xiàn)有的熱軋機(jī)對集流體進(jìn)行軋制時，其集流體形變時可能會產(chǎn)生橫向偏移的力，從而導(dǎo)致集流體后續(xù)的軋制產(chǎn)生偏移，從而影響集流體的軋制效果。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本部分的目的在于概述本發(fā)明的實施例的一些方面以及簡要介紹一些較佳實施例。在本部分以及本申請的說明書摘要和發(fā)明名稱中可能會做些簡化或省略以避免使本部分、說明書摘要和發(fā)明名稱的目的模糊，而這種簡化或省略不能用于限制本發(fā)明的范圍。

2、鑒于上述的導(dǎo)電性能不足、鍍層與基膜粘結(jié)力差的問題，提出了本發(fā)明。

3、因此，本發(fā)明的目的是提供一種集流體的制造方法。

4、為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：包括，步驟1：選擇一種2-20um厚的pi或pet或pp材質(zhì)作為基膜；

5、步驟2：利用磁控濺射技術(shù)在所述基膜表面鍍上一層30-100nm厚的磁控濺射層，所述磁控濺射層為鎳或銅；

6、步驟3：在所述磁控濺射完成的基膜上，通過靜電噴涂設(shè)備均勻噴涂一層200-1000nm厚包括導(dǎo)電劑和粘結(jié)劑的混合體；

7、步驟4：將噴涂后的薄膜放置到熱軋機(jī)上進(jìn)行熱軋，壓實密度控制在0.3-1mg/m3，熱軋溫度控制在50-85℃，以破壞磁控濺射層，使導(dǎo)電劑、粘結(jié)劑、磁控濺射層和基膜緊密結(jié)合；

8、步驟5：對熱軋后的復(fù)合銅集流體進(jìn)行水電鍍，在外層鍍上一層200-1200nm厚的銅。

9、作為本發(fā)明所述集流體的制造方法的一種優(yōu)選方案，其中：所述磁控濺射過程中，電子在電場作用下與氬原子發(fā)生碰撞，產(chǎn)生氬正離子和新的電子，氬離子加速飛向陰極靶，使靶材發(fā)生濺射，中性靶原子或分子沉積在基片上形成鍍銅薄膜。

10、作為本發(fā)明所述集流體的制造方法的一種優(yōu)選方案，其中：所述熱軋過程中使用的熱軋機(jī)具有可調(diào)節(jié)的壓力和溫度控制系統(tǒng)。

11、作為本發(fā)明所述集流體的制造方法的一種優(yōu)選方案，其中：所述復(fù)合銅箔集流體的最終厚度為2.5-20um。

12、本發(fā)明所述的集流體的制造方法的有益效果：本發(fā)明通過在基膜上磁控濺射一層金屬層，再通過靜電噴涂覆蓋導(dǎo)電劑和粘結(jié)劑混合體，并經(jīng)過熱軋工藝，將磁塊濺射層進(jìn)行破壞，從而使得導(dǎo)電劑與破壞的磁控濺射層及基膜緊密結(jié)合，顯著降低了復(fù)合銅箔集流體的電阻，增強(qiáng)了導(dǎo)電性能，滿足了大功率應(yīng)用場景的需求，有效提高了鍍層與基膜之間的粘結(jié)力，尤其是在pp基膜上的應(yīng)用，解決了現(xiàn)有技術(shù)中鍍層容易脫落的問題，從而提高了集流體的耐用性和可靠性。

13、鑒于在實際使用過程中，還存在集流體易在熱軋機(jī)進(jìn)行軋制時產(chǎn)生偏移的問題。

14、為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明還提供如下技術(shù)方案：一種集流體的制造裝置，包括上述集流體的制造方法，還包括，熱軋單元，包括機(jī)體、設(shè)置在所述機(jī)體上的下軋輥、設(shè)置在所述機(jī)體上的上軋輥、設(shè)置在機(jī)體上的基膜、設(shè)置在所述基膜上的磁控濺射層、設(shè)置在所述磁控濺射層上的導(dǎo)電劑，以及設(shè)置在所述導(dǎo)電劑上的粘結(jié)劑；

15、輔助單元，包括設(shè)置在所述機(jī)體上的導(dǎo)向塊、設(shè)置在所述導(dǎo)向塊上的上導(dǎo)向組件、設(shè)置在所述導(dǎo)向塊上的下導(dǎo)向組件、設(shè)置在所述導(dǎo)向塊上的固定組件、設(shè)置在所述上導(dǎo)向組件上的傳動組件、設(shè)置在所述導(dǎo)向塊上的同步組件、設(shè)置在所述導(dǎo)向塊上的預(yù)熱組件，以及設(shè)置在所述導(dǎo)向塊上的協(xié)同組件。

16、作為本發(fā)明集流體的制造裝置的一種優(yōu)選方案，其中：所述上導(dǎo)向組件包括設(shè)置在導(dǎo)向塊上的伸縮桿、設(shè)置在所述伸縮桿上的橫板、設(shè)置在所述橫板上的上導(dǎo)向輥、設(shè)置在所述上導(dǎo)向輥上的第一橡膠墊，以及設(shè)置在所述橫板上的安裝彈簧。

17、作為本發(fā)明集流體的制造裝置的一種優(yōu)選方案，其中：所述下導(dǎo)向組件包括設(shè)置在導(dǎo)向塊上的支撐板、設(shè)置在所述支撐板上的下導(dǎo)向輥，以及設(shè)置在所述下導(dǎo)向輥上的第二橡膠墊。

18、作為本發(fā)明集流體的制造裝置的一種優(yōu)選方案，其中：所述傳動組件包括設(shè)置在上導(dǎo)向輥上的從動輪、設(shè)置在所述橫板上的連接輪、設(shè)置在所述連接輪上的連桿、設(shè)置在所述連桿上的從動齒，以及設(shè)置在所述連接輪上的皮帶。

19、作為本發(fā)明集流體的制造裝置的一種優(yōu)選方案，其中：同步組件包括設(shè)置在上軋輥上的旋轉(zhuǎn)齒、設(shè)置在所述旋轉(zhuǎn)齒上的鏈條，以及設(shè)置在所述導(dǎo)向塊上的配合件。

20、作為本發(fā)明集流體的制造裝置的一種優(yōu)選方案，其中：所述預(yù)熱組件包括設(shè)置在導(dǎo)向塊上的支撐框、設(shè)置在所述支撐框上的滑槽、設(shè)置在所述滑槽上的滑塊，以及設(shè)置在所述滑塊上的加熱輥。

21、本發(fā)明所述的集流體的制造裝置的有益效果：本發(fā)明通過輔助單元對集流體進(jìn)行夾持，使得集流體在軋制時不會產(chǎn)生偏移，且在夾持時，其夾持部件與軋輥的傳動速度相同，進(jìn)而保持在集流體夾持不受偏移的同時，其軋輥不會因夾持部件對集流體的夾持使得牽引力較大對集流體造成形變，進(jìn)而大大提高了集流體的熱軋效果，且在對夾持集流體時，其預(yù)熱部件兩面與集流體相接觸，提高其預(yù)熱效果。

技術(shù)特征：

1.一種集流體的制造方法，其特征在于：包括，

2.如權(quán)利要求1所述的集流體的制造方法，其特征在于：所述熱軋過程中使用的熱軋機(jī)具有可調(diào)節(jié)的壓力和溫度控制系統(tǒng)。

3.如權(quán)利要求2所述的集流體的制造方法，其特征在于：所述復(fù)合銅箔集流體的最終厚度為2.5-20um。

4.一種集流體的制造裝置，其特征在于：應(yīng)用于權(quán)利要求1～3任一所述的熱軋機(jī)，還包括，

5.如權(quán)利要求4所述的集流體的制造裝置，其特征在于：所述上導(dǎo)向組件(202)包括設(shè)置在導(dǎo)向塊(201)上的伸縮桿(202a)、設(shè)置在所述伸縮桿(202a)上的橫板(202b)、設(shè)置在所述橫板(202b)上的上導(dǎo)向輥(202c)、設(shè)置在所述上導(dǎo)向輥(202c)上的第一橡膠墊(202d)，以及設(shè)置在所述橫板(202b)上的安裝彈簧(202e)。

6.如權(quán)利要求5所述的集流體的制造裝置，其特征在于：所述下導(dǎo)向組件(203)包括設(shè)置在導(dǎo)向塊(201)上的支撐板(203a)、設(shè)置在所述支撐板(203a)上的下導(dǎo)向輥(203b)，以及設(shè)置在所述下導(dǎo)向輥(203b)上的第二橡膠墊(203c)。

7.如權(quán)利要求6所述的集流體的制造裝置，其特征在于：所述傳動組件(205)包括設(shè)置在上導(dǎo)向輥(202c)上的從動輪(205a)、設(shè)置在所述橫板(202b)上的連接輪(205b)、設(shè)置在所述連接輪(205b)上的連桿(205c)、設(shè)置在所述連桿(205c)上的從動齒(205d)，以及設(shè)置在所述連接輪(205b)上的皮帶(205e)。

8.如權(quán)利要求7所述的集流體的制造裝置，其特征在于：所述同步組件(206)包括設(shè)置在上軋輥(103)上的旋轉(zhuǎn)齒(206a)、設(shè)置在所述旋轉(zhuǎn)齒(206a)上的鏈條(206b)，以及設(shè)置在所述導(dǎo)向塊(201)上的配合件(206c)。

9.如權(quán)利要求8所述的集流體的制造裝置，其特征在于：所述預(yù)熱組件(207)包括設(shè)置在導(dǎo)向塊(201)上的支撐框(207a)、設(shè)置在所述支撐框(207a)上的滑槽(207b)、設(shè)置在所述滑槽(207b)上的滑塊(207c)，以及設(shè)置在所述滑塊(207c)上的加熱輥(207d)。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及集流體制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其是一種集流體的制造方法及裝置，其集流體的制造方法包括，PI或PET或PP材質(zhì)作為基膜；基膜表面鍍上一層30?100nm厚的磁控濺射層，磁控濺射層為鎳或銅；通過靜電噴涂設(shè)備均勻噴涂一層200?1000nm厚的導(dǎo)電劑和粘結(jié)劑混合體；將噴涂后的薄膜放置到熱軋機(jī)上進(jìn)行熱軋，壓實密度控制在0.3?1mg/m<supgt;3</supgt;，熱軋速度控制在50?85℃，以破壞磁控濺射層，使導(dǎo)電劑、粘結(jié)劑、磁控濺射層和基膜緊密結(jié)合,通過在基膜上磁控濺射一層金屬層，再通過靜電噴涂覆蓋導(dǎo)電劑和粘結(jié)劑混合體，并經(jīng)過熱軋，將磁塊濺射層進(jìn)行破壞，使得導(dǎo)電劑與破壞的磁控濺射層緊密結(jié)合，顯著降低了復(fù)合銅箔集流體的電阻，增強(qiáng)了導(dǎo)電性能，有效提高了鍍層與基膜之間的粘結(jié)力。

技術(shù)研發(fā)人員：李華,季玉琴,管文倩,李學(xué)法,張國平
受保護(hù)的技術(shù)使用者：江陰納力新材料科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/10