本發(fā)明涉及半導體制造，特別涉及一種半導體封裝方法及半導體封裝結構。

背景技術：

1、微電子技術的迅猛發(fā)展，集成電路復雜度的增加，以及一個電子系統(tǒng)的大部分功能都可能集成在一個單芯片內(nèi)（即片上系統(tǒng)），這就相應地要求微電子封裝具有更高的性能、更多的引線、更密的內(nèi)連線、更高的可靠性等。由此，更加先進的晶圓級芯片封裝技術（wafer?level?chip?scale?packaging，wlcsp）和扇出封裝技術（fan?out）也應運而生。先進的封裝技術能夠得到小型化、高性能的產(chǎn)品結構。

2、但是，在封裝功率器件，特別是高功率器件時，在焊盤位置容易發(fā)生開裂問題（crack），導致產(chǎn)品可靠性、良率較低。

技術實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的在于提供一種半導體封裝方法及半導體封裝結構，以解決現(xiàn)有技術中封裝結構在焊盤位置容易發(fā)生開裂的問題。

2、為了解決上述技術問題，本發(fā)明提供一種半導體封裝方法，所述半導體封裝方法包括：

3、提供基底結構；

4、在所述基底結構上形成焊盤，所述焊盤包括中間區(qū)域以及包圍所述中間區(qū)域的邊緣區(qū)域；

5、形成封裝層，所述封裝層覆蓋所述焊盤；以及，

6、在所述封裝層中形成開口，所述開口暴露出所述焊盤的中間區(qū)域，所述焊盤的邊緣區(qū)域被所述封裝層覆蓋，覆蓋在所述焊盤的邊緣區(qū)域的所述封裝層的表面與覆蓋在所述焊盤外圍區(qū)域的所述封裝層的表面位于同一個平面內(nèi)。

7、可選的，在所述的半導體封裝方法中，在形成所述封裝層之后，并且在所述封裝層中形成所述開口之前，所述半導體封裝方法還包括：對所述封裝層執(zhí)行平坦化工藝。

8、可選的，在所述的半導體封裝方法中，對所述封裝層執(zhí)行所述平坦化工藝之前，所述封裝層的厚度是所述焊盤的厚度的兩倍以上。

9、可選的，在所述的半導體封裝方法中，所述封裝層包括層疊的緩沖層和保護層。

10、可選的，在所述的半導體封裝方法中，覆蓋在所述焊盤的邊緣區(qū)域的所述緩沖層的表面與覆蓋在所述焊盤外圍區(qū)域的所述緩沖層的表面位于同一個平面內(nèi)，覆蓋在所述緩沖層上的所述保護層的表面在一個平面內(nèi)。

11、可選的，在所述的半導體封裝方法中，所述緩沖層的厚度是所述保護層的厚度的兩倍以上。

12、可選的，在所述的半導體封裝方法中，所述緩沖層的材質為氧化物，所述保護層的材質為氮化物。

13、可選的，在所述的半導體封裝方法中，所述焊盤的厚度大于或等于4000??。

14、可選的，在所述的半導體封裝方法中，在平行于所述基底結構表面的截面上，所述焊盤的截面呈圓形或者橢圓形。

15、本發(fā)明還提供一種半導體封裝結構，所述半導體封裝結構包括：

16、基底結構；

17、焊盤，所述焊盤位于所述基底結構上，所述焊盤包括中間區(qū)域以及包圍所述中間區(qū)域的邊緣區(qū)域；以及，

18、封裝層，所述封裝層位于所述再分布層上，所述封裝層中具有開口，所述開口暴露出所述焊盤的中間區(qū)域，所述焊盤的邊緣區(qū)域被所述封裝層覆蓋，覆蓋在所述焊盤的邊緣區(qū)域的所述封裝層的表面與覆蓋在所述焊盤外圍區(qū)域的所述封裝層的表面位于同一個平面內(nèi)。

19、發(fā)明人研究發(fā)現(xiàn)，導致現(xiàn)有技術中封裝結構在焊盤位置容易發(fā)生開裂的原因在于，再分布層在形成過程中由于工藝的升溫和降溫而容易產(chǎn)生形變，并造成整個器件結構的應力不均勻，發(fā)生了宏觀彎折，從而導致了焊盤位置的應力要求苛刻，容易發(fā)生開裂問題。

20、基于上述研究發(fā)現(xiàn)，在本發(fā)明提供的半導體封裝方法及半導體封裝結構中，焊盤的邊緣區(qū)域被封裝層覆蓋，并且覆蓋在所述焊盤的邊緣區(qū)域的所述封裝層的表面與覆蓋在所述焊盤外圍區(qū)域的所述封裝層的表面位于同一個平面內(nèi)，從而能有效緩解焊盤邊緣位置的應力問題，解決焊盤邊緣位置容易發(fā)生開裂的問題，提高產(chǎn)品的可靠性和良率。

技術特征：

1.一種半導體封裝方法，其特征在于，所述半導體封裝方法包括：

2.如權利要求1所述的半導體封裝方法，其特征在于，在形成所述封裝層之后，并且在所述封裝層中形成所述開口之前，所述半導體封裝方法還包括：對所述封裝層執(zhí)行平坦化工藝。

3.如權利要求2所述的半導體封裝方法，其特征在于，對所述封裝層執(zhí)行所述平坦化工藝之前，所述封裝層的厚度是所述焊盤的厚度的兩倍以上。

4.如權利要求1所述的半導體封裝方法，其特征在于，所述封裝層包括層疊的緩沖層和保護層。

5.如權利要求4所述的半導體封裝方法，其特征在于，覆蓋在所述焊盤的邊緣區(qū)域的所述緩沖層的表面與覆蓋在所述焊盤外圍區(qū)域的所述緩沖層的表面位于同一個平面內(nèi)，覆蓋在所述緩沖層上的所述保護層的表面在一個平面內(nèi)。

6.如權利要求4所述的半導體封裝方法，其特征在于，所述緩沖層的厚度是所述保護層的厚度的兩倍以上。

7.如權利要求4所述的半導體封裝方法，其特征在于，所述緩沖層的材質為氧化物，所述保護層的材質為氮化物。

8.如權利要求1~7中任一項所述的半導體封裝方法，其特征在于，所述焊盤的厚度大于或等于4000??。

9.如權利要求1~7中任一項所述的半導體封裝方法，其特征在于，在平行于所述基底結構表面的截面上，所述焊盤的截面呈圓形或者橢圓形。

10.一種半導體封裝結構，其特征在于，所述半導體封裝結構包括：

技術總結
本發(fā)明提供了一種半導體封裝方法及半導體封裝結構，焊盤的邊緣區(qū)域被封裝層覆蓋，并且覆蓋在所述焊盤的邊緣區(qū)域的所述封裝層的表面與覆蓋在所述焊盤外圍區(qū)域的所述封裝層的表面位于同一個平面內(nèi)，從而能有效緩解焊盤邊緣位置的應力問題，解決焊盤邊緣位置容易發(fā)生開裂的問題，提高產(chǎn)品的可靠性和良率。

技術研發(fā)人員：李佩,陸路,張鵬,葉國梁
受保護的技術使用者：武漢新芯集成電路股份有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2024/9/9