本發(fā)明涉及光伏，尤其涉及一種topcon太陽能電池的制備方法。

背景技術(shù)：

1、topcon(tunnel?oxide?passivation?contact)電池全稱為隧穿氧化鈍化接觸電池，其核心在于背面超薄的隧穿氧化層以及摻雜的多晶硅層，隧穿氧化層和摻雜多晶硅層共同形成鈍化接觸結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)不僅利用超薄氧化硅層(siox)層提供有效的化學(xué)鈍化，同時(shí)通過摻雜多晶硅層與硅基底之間勢(shì)能差實(shí)現(xiàn)了良好的場(chǎng)效應(yīng)鈍化，該結(jié)構(gòu)還通過能帶彎曲使得多數(shù)載流子穿過氧化層，對(duì)少數(shù)載流子起阻擋作用，有效地實(shí)現(xiàn)了載流子的選擇通過性，從而極大地降低了少數(shù)載流子的復(fù)合，提高了topcon電池的效率。

2、在topcon太陽能電池制備工藝的去bsg工序中，由于硼擴(kuò)后膜后偏侯，致密性強(qiáng)，為保證bsg去除干凈和充分反應(yīng)，故去bsg工序設(shè)有槽a、槽b兩個(gè)酸槽，工藝過程控制槽a中hf酸濃度25%左右，槽b中hf酸濃度20%左右，現(xiàn)有技術(shù)中是槽a、槽b兩個(gè)獨(dú)立的酸槽，hf酸在槽中反應(yīng)后經(jīng)過定排和換液排出槽體，造成了酸耗增加，進(jìn)而提高了生產(chǎn)成本。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明目的在于提供一種topcon太陽能電池的制備方法，將槽a中的hf酸排入副槽中，再補(bǔ)液至槽b中二次使用降低bsg工序中hf酸的耗量，進(jìn)而降低生產(chǎn)成本，以達(dá)到解決上述背景技術(shù)中提出的問題。

2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術(shù)方案：

3、一種topcon太陽能電池的制備方法，包括如下步驟：

4、s1、制絨：n型硅片在加熱的堿性溶液中進(jìn)行各向異性腐蝕，形成微米級(jí)金字塔絨面；

5、s2、前硼擴(kuò)散：n型硅擴(kuò)散硼源，形成重要的pn結(jié)；

6、s3、后硼擴(kuò)散：擴(kuò)散爐中通入bci3源進(jìn)行一定時(shí)間的高溫?cái)U(kuò)散，在n型硅片表面形成p+摻雜；

7、s4、去bsg&堿拋腐蝕：利用20%～25%濃度的酸液與硅片背面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而刻蝕掉背面的bsg，在該工序中，共設(shè)有兩個(gè)用于化學(xué)反應(yīng)的槽a與槽b，從而保證去除干凈bsg，此外還設(shè)有一個(gè)副槽，槽a中的hf酸在反應(yīng)后通過定排到獨(dú)立的副槽中，再通過泵將副槽中的hf酸打入槽b使用，這樣槽b就不需要從外圍消耗hf酸，從而降低酸耗；

8、再利用堿的腐蝕作用，在硅片背面進(jìn)行拋光刻蝕；

9、s5、lpcvd：氧氣和硅在低壓高溫環(huán)境下反應(yīng)生產(chǎn)sio2，sih4在低壓高溫環(huán)境下通熱分解成si和h2，形成非晶硅層；

10、s6、磷擴(kuò)：pocl3源進(jìn)行一定時(shí)間的高溫?cái)U(kuò)散，在多晶硅薄膜上進(jìn)行磷摻雜；

11、s7、psg/正刻：利用一定濃度的酸液與硅片背面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而刻蝕掉邊結(jié)；

12、利用堿的腐蝕作用，去除正表面的多晶硅薄膜；

13、s8、ald：在爐管中通入tma、臭氧利用ald，即原子層沉積方式生長(zhǎng)alox薄膜；

14、s9、正背膜sinx：利用pecvd方式將爐管中通入的sih4、nh3進(jìn)行電離分解反應(yīng)，生長(zhǎng)sinx減反射薄膜。

15、本發(fā)明的進(jìn)一步技術(shù)方案是，槽a上設(shè)有補(bǔ)酸第一管道，槽a的底端通過第二管道連接于副槽頂端，副槽底部通過第三管道連接于槽b底部，且第三管道上連接有泵。

16、本發(fā)明的進(jìn)一步技術(shù)方案是，第三管道上連接有過濾器，防止顆粒物質(zhì)進(jìn)入槽b。

17、本發(fā)明的另一種技術(shù)方案是：

18、一種topcon太陽能電池，由上述的topcon太陽能電池的制備方法制備得到。

19、本發(fā)明的有益效果：

20、本發(fā)明的topcon太陽能電池的制備方法，原有槽b中hf酸通過外圍自補(bǔ)補(bǔ)入槽中，自補(bǔ)耗量約1.5l/萬片，而本發(fā)明將槽a中的hf酸排入副槽中，再補(bǔ)液至槽b中二次使用降低bsg工序中hf酸的耗量1.5l/萬片，進(jìn)而降低生產(chǎn)成本。

21、本發(fā)明的topcon太陽能電池的制備方法，在副槽與槽b的路徑上安裝一個(gè)過濾器，防止顆粒物質(zhì)進(jìn)入槽b。

技術(shù)特征：

1.一種topcon太陽能電池的制備方法，其特征在于包括如下步驟：

2.如權(quán)利要求1所述的一種topcon太陽能電池的制備方法，其特征在于：所述槽a（1）上設(shè)有補(bǔ)酸第一管道（4），槽a（1）的底端通過第二管道（5）連接于副槽（3）頂端，副槽（3）底部通過第三管道（6）連接于槽b（2）底部，且第三管道（6）上連接有泵（7）。

3.如權(quán)利要求2所述的一種topcon太陽能電池的制備方法，其特征在于：所述第三管道（6）上連接有過濾器（8），防止顆粒物質(zhì)進(jìn)入槽b（2）。

4.一種topcon太陽能電池，由權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的topcon太陽能電池的制備方法制備得到。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種TOPCon太陽能電池的制備方法，S4、去BSG&堿拋腐蝕：利用20%～25%濃度的酸液與硅片背面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而刻蝕掉背面的BSG，在該工序中，共設(shè)有兩個(gè)用于化學(xué)反應(yīng)的槽A與槽B，從而保證去除干凈BSG，此外還設(shè)有一個(gè)副槽，槽A中的HF酸在反應(yīng)后通過定排到獨(dú)立的副槽中，再通過泵將副槽中的HF酸打入槽B使用，這樣槽B就不需要從外圍消耗HF酸，從而降低酸耗；再利用堿的腐蝕作用，在硅片背面進(jìn)行拋光刻蝕。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明將槽A中的HF酸排入副槽中，再補(bǔ)液至槽B中二次使用降低BSG工序中HF酸的耗量，進(jìn)而降低生產(chǎn)成本。

技術(shù)研發(fā)人員：趙祥,潘增宇
受保護(hù)的技術(shù)使用者：淮安捷泰新能源科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/10/10