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      一種基于懸?guī)Ь€結(jié)構(gòu)的超寬帶大功率合成器的制作方法

      文檔序號(hào):40006808發(fā)布日期:2024-11-19 13:35閱讀:10來(lái)源:國(guó)知局
      一種基于懸?guī)Ь€結(jié)構(gòu)的超寬帶大功率合成器的制作方法

      本發(fā)明屬于微波,具體涉及一種基于懸?guī)Ь€結(jié)構(gòu)的超寬帶大功率合成器。


      背景技術(shù):

      1、功率放大器廣泛應(yīng)用于雷達(dá)、制導(dǎo)以及通信等領(lǐng)域,隨著微波技術(shù)的發(fā)展,對(duì)輸出功率等指標(biāo)提出了越來(lái)越高的要求,功率分配/合成器作為功率放大器的關(guān)鍵部分,其性能指標(biāo)的優(yōu)劣將會(huì)起到舉足輕重的作用。同時(shí),當(dāng)某一路放大芯片無(wú)法正常工作,其余放大芯片仍可正常工作,從而增強(qiáng)了系統(tǒng)工作的可靠性。

      2、微波固態(tài)功率放大器作為微波雷達(dá)、制導(dǎo)及通信以及測(cè)試等系統(tǒng)的重要組成部分,已然成為微波領(lǐng)域研究的主要熱點(diǎn)之一。隨著對(duì)放大器不同輸出功率要求的提高,依靠單個(gè)放大芯片的輸出功率已無(wú)法滿足實(shí)現(xiàn)工作的需要。因此,需要采用多路放大以及功率合成的技術(shù),有效提高放大器的輸出功率。

      3、常見(jiàn)的功率合成技術(shù)主要有:平面功率合成技術(shù)和空間功率合成技術(shù)。平面功率合成技術(shù)主要是指基于威爾金森結(jié)構(gòu)的合成技術(shù);而空間功率合成技術(shù)主要有波導(dǎo)合成和同軸合成兩種形式。

      4、采用傳統(tǒng)的基于微帶功率合成技術(shù)具有工作頻帶寬,加工裝配簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn),但由于其介質(zhì)損耗大、合成效率低等缺點(diǎn),無(wú)法滿足對(duì)大功率放大器的需求。

      5、采用基于同軸結(jié)構(gòu)的功率合成技術(shù),其優(yōu)點(diǎn)有插入損耗小、合成效率高、工作頻帶寬等優(yōu)點(diǎn),但缺點(diǎn)是承載功率較小。

      6、采用標(biāo)準(zhǔn)矩形波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的功率合成技術(shù)隨能實(shí)現(xiàn)較小的插入損耗及較高的合成效率,但矩形波導(dǎo)受截止頻率的影響,一般帶寬相對(duì)較窄。

      7、綜上所述,無(wú)論是微帶型合成器還是同軸型合成器都有明顯缺點(diǎn),而基于懸?guī)Ь€結(jié)構(gòu)的超寬帶大功率合成器同時(shí)具有兩者優(yōu)點(diǎn),其承載功率優(yōu)于同軸結(jié)構(gòu),帶寬優(yōu)于波導(dǎo)結(jié)構(gòu),滿足超寬帶及大功率的應(yīng)用需要。

      8、基于懸?guī)Ь€結(jié)構(gòu)的功率合成器,其結(jié)構(gòu)如圖1所示,該技術(shù)具有工作頻帶寬、插入損耗小、合成效率高等優(yōu)點(diǎn),已被應(yīng)用于微波毫米波領(lǐng)域。輸入信號(hào)從端口2、端口3、端口4及端口5通過(guò)懸?guī)Ь€合成輸出到端口1,該功率合成技術(shù)方案與本發(fā)明的技術(shù)方案最為接近。缺點(diǎn)是體積較大,無(wú)法滿足超寬帶的需求。

      9、現(xiàn)有的功率合成技術(shù)主要包括平面功率合成技術(shù)及空間功率合成技術(shù)。平面功率合成技術(shù)主要是基于傳統(tǒng)的微帶平面電路;而空間功率合成技術(shù)主要包括基于波導(dǎo)結(jié)構(gòu)與同軸結(jié)構(gòu)兩種。

      10、基于微帶結(jié)構(gòu)功率合成技術(shù)雖然可以實(shí)現(xiàn)超寬帶功率合成,但缺點(diǎn)有插入損耗大,合成效率低,空間利用率也低,很難滿足對(duì)大功率的需求。

      11、而同軸結(jié)構(gòu)由于其電磁場(chǎng)在徑向方向呈現(xiàn)不均勻性,從而造成電磁場(chǎng)在內(nèi)導(dǎo)體附近較大;此外,由于電磁波在同軸內(nèi)外導(dǎo)體之間傳輸,而內(nèi)外導(dǎo)體之間的空間比較小,加上內(nèi)外導(dǎo)體之間存在介質(zhì)損耗,最終導(dǎo)致其承受功率較小。

      12、綜上所述,由于平面微帶功率合成其本身?yè)p耗大,合成效率低,而基于同軸結(jié)構(gòu)的功率合成器其承載功率小,故提出本申請(qǐng)來(lái)解決上述問(wèn)題。本發(fā)明的目的就是通過(guò)在矩形腔體內(nèi)加入印制板,來(lái)提高功率合成器的工作帶寬,利用懸?guī)Ь€的場(chǎng)分布來(lái)提高功率合成器的承載能力,同時(shí),減小了插入損耗以提高合成效率,解決了微帶結(jié)構(gòu)損耗大的問(wèn)題以及同軸結(jié)構(gòu)的功率容量小的問(wèn)題,發(fā)揮了兩者的優(yōu)勢(shì)。該功率合成器是一種準(zhǔn)平面結(jié)構(gòu),結(jié)構(gòu)上由上下腔體和印制板組成,具有結(jié)構(gòu)緊湊、易加工、成本低和高功率容量等優(yōu)點(diǎn),可實(shí)現(xiàn)寬頻帶、大功率輸出,滿足更多客戶需求。


      技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

      1、針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述技術(shù)問(wèn)題,本發(fā)明提出了一種基于懸?guī)Ь€結(jié)構(gòu)的超寬帶大功率合成器,設(shè)計(jì)合理,克服了現(xiàn)有技術(shù)的不足,具有良好的效果。

      2、為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采用如下技術(shù)方案:

      3、一種基于懸?guī)Ь€結(jié)構(gòu)的超寬帶大功率合成器,包括阻抗變換結(jié)構(gòu)、合成結(jié)構(gòu)以及饋電端口;

      4、饋電端口包括第一端口、第二端口、第三端口、第四端口和第五端口,

      5、阻抗變換結(jié)構(gòu)包括多節(jié)阻抗匹配單元,被配置為用于實(shí)現(xiàn)4路的等幅同相功率分配或者合成;

      6、合成結(jié)構(gòu)包括“弓”形短路支節(jié)單元;被配置為用于縮短匹配長(zhǎng)度;

      7、信號(hào)通過(guò)第二端口、第三端口、第四端口和第五端口輸入,經(jīng)過(guò)阻抗變換結(jié)構(gòu)以及合成結(jié)構(gòu)輸出到第一端口,實(shí)現(xiàn)超寬帶輸出。

      8、優(yōu)選地,該合成器包括矩形腔體,矩形腔體包括上腔體和下腔體;矩形腔體的內(nèi)部設(shè)置有印制板,印制板用于提高功率容量。

      9、優(yōu)選地,阻抗變換結(jié)構(gòu)為“蛇”型結(jié)構(gòu)。

      10、優(yōu)選地,饋電端口采用同軸方式饋電,經(jīng)過(guò)同軸-懸?guī)Ь€過(guò)渡。

      11、優(yōu)選地,阻抗變換結(jié)構(gòu)和合成結(jié)構(gòu)位于矩形腔體內(nèi)。

      12、優(yōu)選地,該合成器還包括同軸接頭,用于連接其它設(shè)備;同軸接頭與印制板采用穿插式安裝。

      13、本發(fā)明所帶來(lái)的有益技術(shù)效果:

      14、(1)本發(fā)明所提出的基于懸?guī)Ь€結(jié)構(gòu)的超寬帶大功率合成器是一種準(zhǔn)平面結(jié)構(gòu),結(jié)構(gòu)上由上下腔體和印制板組成,具有結(jié)構(gòu)緊湊、易加工、成本低和高功率容量等優(yōu)點(diǎn)。

      15、(2)該合成器頻率范圍覆蓋廣,采用基于懸?guī)Ь€二項(xiàng)式分布的多節(jié)阻抗匹配結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)4路的等幅同相功率分配,具有帶寬寬和損耗小等優(yōu)點(diǎn)。

      16、(3)懸?guī)Ь€功分結(jié)構(gòu)處,通過(guò)加入“弓”形短路支節(jié),達(dá)到相同帶寬的前提下,有效的縮短了匹配長(zhǎng)度,減小了合成結(jié)構(gòu)尺寸,降低了傳輸損耗,提高了合成效率。

      17、(4)通過(guò)同軸接頭的特殊加工與印制板采用穿插式安裝方式,實(shí)現(xiàn)了同軸結(jié)構(gòu)與懸?guī)Ь€的良好轉(zhuǎn)換過(guò)度,提升性能的同時(shí),簡(jiǎn)化了裝配結(jié)構(gòu)。



      技術(shù)特征:

      1.一種基于懸?guī)Ь€結(jié)構(gòu)的超寬帶大功率合成器,其特征在于:包括阻抗變換結(jié)構(gòu)、合成結(jié)構(gòu)以及饋電端口;

      2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于懸?guī)Ь€結(jié)構(gòu)的超寬帶大功率合成器,其特征在于:該合成器包括矩形腔體,矩形腔體包括上腔體和下腔體;矩形腔體的內(nèi)部設(shè)置有印制板,印制板用于提高功率容量。

      3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于懸?guī)Ь€結(jié)構(gòu)的超寬帶大功率合成器,其特征在于:阻抗變換結(jié)構(gòu)為“蛇”型結(jié)構(gòu)。

      4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的基于懸?guī)Ь€結(jié)構(gòu)的超寬帶大功率合成器,其特征在于:饋電端口采用同軸方式饋電,經(jīng)過(guò)同軸-懸?guī)Ь€過(guò)渡。

      5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的基于懸?guī)Ь€結(jié)構(gòu)的超寬帶大功率合成器,其特征在于:阻抗變換結(jié)構(gòu)和合成結(jié)構(gòu)位于矩形腔體內(nèi)。

      6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的基于懸?guī)Ь€結(jié)構(gòu)的超寬帶大功率合成器,其特征在于:該合成器還包括同軸接頭,用于連接其它設(shè)備;同軸接頭與印制板采用穿插式安裝。


      技術(shù)總結(jié)
      本發(fā)明公開(kāi)了一種基于懸?guī)Ь€結(jié)構(gòu)的超寬帶大功率合成器,屬于微波技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明所提出的基于懸?guī)Ь€結(jié)構(gòu)的超寬帶大功率合成器是一種準(zhǔn)平面結(jié)構(gòu),結(jié)構(gòu)上由上下腔體和印制板組成,具有結(jié)構(gòu)緊湊、易加工、成本低和高功率容量等優(yōu)點(diǎn);該合成器頻率范圍覆蓋廣,采用基于懸?guī)Ь€二項(xiàng)式分布的多節(jié)阻抗匹配結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)4路的等幅同相功率分配,具有帶寬寬和損耗小等優(yōu)點(diǎn);懸?guī)Ь€功分結(jié)構(gòu)處,通過(guò)加入“弓”形短路支節(jié),達(dá)到相同帶寬的前提下,有效的縮短了匹配長(zhǎng)度,減小了合成結(jié)構(gòu)尺寸,降低了傳輸損耗,提高了合成效率;通過(guò)同軸接頭的特殊加工與印制板采用穿插式安裝方式,實(shí)現(xiàn)了同軸結(jié)構(gòu)與懸?guī)Ь€的良好轉(zhuǎn)換過(guò)度,提升性能的同時(shí),簡(jiǎn)化了裝配結(jié)構(gòu)。

      技術(shù)研發(fā)人員:宋洪飛,寧曰民,樸智棋,王琦,石先寶
      受保護(hù)的技術(shù)使用者:中電科思儀科技股份有限公司
      技術(shù)研發(fā)日:
      技術(shù)公布日:2024/11/18
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